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公开(公告)号：CN110620174B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201910523220.5
申请日：2019-06-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L43/08 , H01L43/02 , H01L23/552 , G11C11/16
Abstract: 在一些实施例中，本申请提供了存储器器件。存储器器件包括芯片，芯片上包括磁性随机存取存储器(MRAM)单元。磁场屏蔽结构包括至少部分地围绕芯片的导电或磁性材料。磁场屏蔽结构包括横向围绕芯片的侧壁区、从侧壁区向上延伸的上部区以及从侧壁区向下延伸的下部区。上部区和/或下部区的至少一个终止于芯片上方的开口。
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公开(公告)号：CN110941417A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910887657.7
申请日：2019-09-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，提供一种用于产生随机位的方法。方法包含通过将随机数产生器(RNG)信号提供到磁阻随机存取存储器(MRAM)单元来产生第一随机位。随机数产生器信号具有约0.5的机率将磁阻随机存取存储器单元的电阻状态从对应于第一数据状态的第一电阻状态切换到对应于第二数据状态的第二电阻状态。随后从磁阻随机存取存储器单元读取第一随机位。
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公开(公告)号：CN110660746A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910574417.1
申请日：2019-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，本申请提供一种存储器器件。存储器器件包含芯片，芯片包含磁性随机存取存储器(MRAM)单元。至少部分地包围芯片的磁场屏蔽结构包含多层堆叠。多层堆叠包含磁性层和介电层。第一磁性区位于磁场屏蔽结构的内表面内部且第二磁性区直接位于磁场屏蔽结构的外表面外部。第一磁性区中的磁场小于第二磁性区中的磁场。
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公开(公告)号：CN110620174A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910523220.5
申请日：2019-06-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L43/08 , H01L43/02 , H01L23/552 , G11C11/16
Abstract: 在一些实施例中，本申请提供了存储器器件。存储器器件包括芯片，芯片上包括磁性随机存取存储器(MRAM)单元。磁场屏蔽结构包括至少部分地围绕芯片的导电或磁性材料。磁场屏蔽结构包括横向围绕芯片的侧壁区、从侧壁区向上延伸的上部区以及从侧壁区向下延伸的下部区。上部区和/或下部区的至少一个终止于芯片上方的开口。
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公开(公告)号：CN110660746B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201910574417.1
申请日：2019-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，本申请提供一种存储器器件。存储器器件包含芯片，芯片包含磁性随机存取存储器(MRAM)单元。至少部分地包围芯片的磁场屏蔽结构包含多层堆叠。多层堆叠包含磁性层和介电层。第一磁性区位于磁场屏蔽结构的内表面内部且第二磁性区直接位于磁场屏蔽结构的外表面外部。第一磁性区中的磁场小于第二磁性区中的磁场。
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公开(公告)号：CN112151668A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010598072.6
申请日：2020-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12 , H01L23/552
Abstract: 提供了器件和方法，其中通过磁屏蔽层使诸如磁阻随机存取存储器(MRAM)芯片的磁敏半导体芯片被屏蔽以免受磁干扰。器件包括限定外表面的壳体。半导体芯片设置在壳体内，并且半导体芯片与壳体的外表面间隔开。磁屏蔽层与半导体芯片间隔开小于5mm的距离。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN114814668A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210200202.5
申请日：2022-03-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01R33/00
Abstract: 一种测试包括磁性层的多层结构的测试装置和方法，测试包括磁性层的多层结构的方法中，测量电磁性耦接至多层结构的波导的一或多个网络参数，一或多个网络参数作为在测量一或多个网络参数的期间施加至多层结构的频率的函数和磁场的函数。基于所测量的一或多个网络参数，判定多层结构的磁性层的至少一个磁性性质。在一些实施例中，网络参数是S参数。至少一个磁性性质可包括磁性层的有效各向异性场及/或磁性层的阻尼常数。
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公开(公告)号：CN113176491A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110180271.X
申请日：2021-02-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施涉及测试设备及其使用方法。根据本发明的一些实施例，一种用于测试设备的盖包含：盖体；多个磁体，其安置于所述盖体上方；及多个调整部件，其中所述每一调整部件安置于所述盖体与一个对应磁体之间。所述盖体与每一磁体之间的垂直距离由一个对应调整部件调整。
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公开(公告)号：CN221040539U
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202321559499.0
申请日：2023-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/16
Abstract: 本实用新型一些实施例涉及一种磁性存储器装置。所述磁性存储器装置包含经配置以感测外部磁场强度的磁性感测阵列。所述磁性存储器装置进一步包含经配置以响应于所述外部磁场强度大于阈值磁场强度而提供不同于所述磁性存储器装置的当前写入电压的测试电压的电压调制器。所述磁性存储器装置进一步包含错误检查阵列，所述错误检查阵列经配置以使用所述测试电压作为其写入电压，且提供对应于所述测试电压的位错误率。所述磁性存储器装置进一步包含控制单元，所述控制单元经配置以基于所述位错误率等于或小于阈值位错误率而将所述磁性存储器装置的写入电压从所述当前写入电压调整到所述测试电压。
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