公开(公告)号：CN108336073A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201711240557.2

申请日：2017-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陆湘台 ,  陈硕懋 ,  王敏哲 ,  许峰诚 ,  杨肇祥 ,  郑心圃 ,  洪成佾 ,  林志贤 ,  陈岱璋 ,  林振华

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/544 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其制作方法，所述制作方法包含：形成重布层RDL；在所述RDL上方形成导电部件；通过所述导电部件执行第一电测试；在所述RDL上方放置第一裸片；通过所述导电部件执行第二电测试；及在所述第一裸片及所述导电部件上方放置第二裸片。

公开(公告)号：CN108336073B

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201711240557.2

申请日：2017-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陆湘台 ,  陈硕懋 ,  王敏哲 ,  许峰诚 ,  杨肇祥 ,  郑心圃 ,  洪成佾 ,  林志贤 ,  陈岱璋 ,  林振华

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/544 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其制作方法，所述制作方法包含：形成重布层RDL；在所述RDL上方形成导电部件；通过所述导电部件执行第一电测试；在所述RDL上方放置第一裸片；通过所述导电部件执行第二电测试；及在所述第一裸片及所述导电部件上方放置第二裸片。

公开(公告)号：CN109216289B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN201810344148.5

申请日：2018-04-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林柏尧 ,  洪成佾 ,  许峯诚 ,  陈硕懋 ,  郑心圃 ,  叶书伸 ,  李光君

IPC: H01L23/24 ,  H01L25/18 ,  H01L21/56

Abstract: 一种半导体装置封装包括重布线结构、第一半导体装置、多个第二半导体装置、至少一个翘曲调整组件及包封材料。所述第一半导体装置设置在重布线结构上。所述第二半导体装置设置在重布线结构上且环绕第一半导体装置。所述至少一个翘曲调整组件设置在所述多个第二半导体装置中的至少一者上。所述包封材料包封第一半导体装置、第二半导体装置及翘曲调整组件，其中所述翘曲调整组件的杨氏模量大于或等于所述包封材料的杨氏模量。

公开(公告)号：CN109216289A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810344148.5

申请日：2018-04-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林柏尧 ,  洪成佾 ,  许峯诚 ,  陈硕懋 ,  郑心圃 ,  叶书伸 ,  李光君

IPC: H01L23/24 ,  H01L25/18 ,  H01L21/56

Abstract: 一种半导体装置封装包括重布线结构、第一半导体装置、多个第二半导体装置、至少一个翘曲调整组件及包封材料。所述第一半导体装置设置在重布线结构上。所述第二半导体装置设置在重布线结构上且环绕第一半导体装置。所述至少一个翘曲调整组件设置在所述多个第二半导体装置中的至少一者上。所述包封材料包封第一半导体装置、第二半导体装置及翘曲调整组件，其中所述翘曲调整组件的杨氏模量大于或等于所述包封材料的杨氏模量。