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公开(公告)号：CN115565986A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210943778.0
申请日：2022-08-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本公开提供一种芯片结构及形成芯片结构的方法。芯片结构包括基板。芯片结构包括第一导线，位于基板上方。前述芯片结构包括绝缘层，位于基板和第一导线上方。前述芯片结构包括导电柱，位于绝缘层上方。导电柱为一体成型，导电柱具有下表面、突出连接部和突出锁固部，突出连接部突出于下表面，并且穿过绝缘层且直接接触第一导线，突出锁固部突出于下表面且内嵌于绝缘层中。前述芯片结构包括焊锡凸块，位于导电柱上。焊锡凸块直接接触导电柱。
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公开(公告)号：CN115565995A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210961300.0
申请日：2022-08-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/8238
Abstract: 本揭露实施例提供一种包括抗机械应力凸块结构的半导体晶粒。半导体晶粒包括嵌入金属互连结构的介电材料层、连接垫和通孔结构、以及包括凸块通孔部分和接合凸块部分的凸块结构。凸块通孔部分的底表面的整体位于连接垫和通孔结构的垫部分的水平顶表面的区域内。
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公开(公告)号：CN111261631B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN201911211799.8
申请日：2019-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 形成半导体器件的方法包括在衬底上沉积多个层，图案化位于多个层上面的第一掩模，以及使用第一掩模对多个层实施第一蚀刻工艺。该方法还包括沿着第一掩模的侧壁和多个层的侧壁形成聚合物材料，以及去除聚合物材料。该方法还包括使用剩余的第一掩模对多个层实施第二蚀刻工艺，其中，在第二蚀刻工艺终止之后，多个层的组合侧壁轮廓包括第一部分和第二部分，并且第一部分的第一角度和第二部分的第二角度彼此不同。本发明的实施例还涉及半导体器件。
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公开(公告)号：CN111261631A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911211799.8
申请日：2019-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 形成半导体器件的方法包括在衬底上沉积多个层，图案化位于多个层上面的第一掩模，以及使用第一掩模对多个层实施第一蚀刻工艺。该方法还包括沿着第一掩模的侧壁和多个层的侧壁形成聚合物材料，以及去除聚合物材料。该方法还包括使用剩余的第一掩模对多个层实施第二蚀刻工艺，其中，在第二蚀刻工艺终止之后，多个层的组合侧壁轮廓包括第一部分和第二部分，并且第一部分的第一角度和第二部分的第二角度彼此不同。本发明的实施例还涉及半导体器件。
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公开(公告)号：CN115579343A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202210937984.0
申请日：2022-08-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/544 , H01L21/60
Abstract: 提供了一种半导体元件结构及其封装结构与形成方法。半导体元件结构包括半导体基板和在半导体基板上的内连线结构。半导体元件结构还包括在内连线结构上的第一导电柱。第一导电柱具有自第一导电柱的较低表面朝向半导体基板延伸的第一凸出部分。半导体元件结构更包括在内连线结构上的第二导电柱。第二导电柱具有自第二导电柱的较低表面上朝向半导体基板延伸的第二凸出部分。第一导电柱相比第二导电柱更靠近半导体基板的中心点。第二凸出部分的底部比第一凸出部分的底部还宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114792648A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210171534.5
申请日：2022-02-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本公开一些实施例提供一种形成封装结构的设备。所述设备包括用于接合第一封装部件和第二封装部件的加工腔室。所述设备还包括设置于加工腔室中的接合头。接合头包括与多个真空装置连通的多个真空管。所述设备还包括连接至接合头的喷嘴，配置以固持第二封装部件。喷嘴包括与真空管重叠的多个第一孔。喷嘴还包括偏离第一孔的多个第二孔，其中第二孔与第二封装部件的至少两边缘重叠。此外，所述设备包括设置于加工腔室中的吸盘座，且吸盘座是配置以固持和加热第一封装部件。
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公开(公告)号：CN109755204A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201810101863.6
申请日：2018-02-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种微连接结构。所述微连接结构包括凸块下金属(UBM)接垫、凸块及绝缘环。所述凸块下金属接垫电连接到衬底的至少一个金属触点。所述凸块设置在凸块下金属接垫上且与凸块下金属接垫电连接。所述绝缘环环绕凸块及凸块下金属接垫。所述凸块与绝缘环隔开一距离且所述凸块被绝缘环与凸块之间的间隙隔离。
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公开(公告)号：CN118692930A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410570166.0
申请日：2024-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/603 , H01L21/02 , H01J37/32
Abstract: 可以通过以下步骤形成接合组件：在低氧环境中提供至少第一封装衬底；在低氧环境中提供至少第一半导体封装件；在低氧环境中通过将至少一个第一等离子体射流引导至接合到第一半导体封装件的第一焊料材料部分，来对第一半导体封装件执行第一等离子体封装件处理工艺；以及在将至少一个第一等离子体射流引导至第一焊料材料部分的同时，将第一焊料材料部分带到位于第一封装衬底上的第一衬底侧接合结构上或第一衬底侧接合结构附近。用第一等离子体射流处理第一衬底侧接合结构。在用第一等离子体射流处理第一衬底侧接合结构的同时或处理第一衬底侧接合结构之后，将第一半导体封装件接合到第一封装基板。本发明实施例还提供了用于形成接合组件的装置。
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公开(公告)号：CN118692883A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410334924.9
申请日：2024-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 根据本申请的实施例，提供了形成接合组件的方法，可以通过如下方法形成接合组件：在低氧环境中提供包括至少第一封装衬底和第二封装衬底的晶圆；在所具有的氧分压低于17kPa的低氧环境中在第一封装衬底上实施第一衬底处理工艺的同时，在低氧环境中在第一半导体封装件上实施第一等离子体封装件处理工艺；以及在第二封装衬底上实施第二衬底处理工艺的同时、以及在将第一半导体封装件接合至第一封装衬底的同时，在第二半导体封装件上实施第二等离子体封装件处理工艺。根据本申请的其他实施例，还提供了用于形成接合组件的装置。
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公开(公告)号：CN109755204B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201810101863.6
申请日：2018-02-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种微连接结构。所述微连接结构包括凸块下金属(UBM)接垫、凸块及绝缘环。所述凸块下金属接垫电连接到衬底的至少一个金属触点。所述凸块设置在凸块下金属接垫上且与凸块下金属接垫电连接。所述绝缘环环绕凸块及凸块下金属接垫。所述凸块与绝缘环隔开一距离且所述凸块被绝缘环与凸块之间的间隙隔离。
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