公开(公告)号：CN103646986A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201310729555.5

申请日：2013-12-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨敏 ,  种明 ,  赵德刚 ,  王晓勇 ,  苏艳梅 ,  孙捷 ,  孙秀艳

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1013 ,  H01L31/11 ,  H01L31/1848 ,  H01L31/1852

Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法。该探测器包括：衬底；缓冲层；n-i-p-i-n单元，其包括缓冲层上依次生长的下n型掺杂层、下i型有源层、p型掺杂层、上i型有源层和上n型掺杂层；上台面，其是通过刻蚀上n型掺杂层、上i型有源层、p型掺杂层两侧形成的台面；下台面，其是通过刻蚀上台面下方两侧的p型掺杂层形成；n型欧姆接触金属层，其生长在上n型掺杂层表面，以及下台面一侧的下n型掺杂层上表面；p型欧姆接触金属层，其生长在上台面一侧的p型掺杂层上表面；加厚金属层，其生长在n型欧姆接触金属层和p型欧姆接触金属层上表面，其尺寸大于其下方的欧姆接触金属层的尺寸；二氧化硅层。

公开(公告)号：CN103646986B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310729555.5

申请日：2013-12-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨敏 ,  种明 ,  赵德刚 ,  王晓勇 ,  苏艳梅 ,  孙捷 ,  孙秀艳

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法。该探测器包括：衬底；缓冲层；n?i?p?i?n单元，其包括缓冲层上依次生长的下n型掺杂层、下i型有源层、p型掺杂层、上i型有源层和上n型掺杂层；上台面，其是通过刻蚀上n型掺杂层、上i型有源层、p型掺杂层两侧形成的台面；下台面，其是通过刻蚀上台面下方两侧的p型掺杂层形成；n型欧姆接触金属层，其生长在上n型掺杂层表面，以及下台面一侧的下n型掺杂层上表面；p型欧姆接触金属层，其生长在上台面一侧的p型掺杂层上表面；加厚金属层，其生长在n型欧姆接触金属层和p型欧姆接触金属层上表面，其尺寸大于其下方的欧姆接触金属层的尺寸；二氧化硅层。