公开(公告)号：CN100342547C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200410046387.0

申请日：2004-06-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 徐晓华 ,  倪海桥 ,  牛智川 ,  贺正宏 ,  王建林

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80

Abstract: 一种高击穿电压的高电子迁移率晶体管，包括：一缓冲层，用来抑制衬底杂质的扩散和吸收衬底缺陷；一空穴收集层，制作在缓冲层上，用于收集离化的空穴；一二维电子气量子阱，制作在空穴收集层上，用于提供高浓度高迁移率的电子；一隔离层，制作在二维电子气量子阱上，用于隔离中二维电子气量子阱的电子和其上掺杂层中的杂质的库仑相互作用；一面掺杂层，制作在隔离层上，用于提供电子，并有效提高势垒击穿电压；一势垒层，制作在面掺杂层上，用于调节阈值电压；一重掺杂盖层，制作在势垒层上，用于欧姆接触；源、栅、漏和侧向电极制作在重掺杂盖层上；侧向电极制作在本结构的一侧并与空穴收集层连接，用于将空穴抽取出晶体管。

公开(公告)号：CN1808707A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200510004572.8

申请日：2005-01-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄应龙 ,  杨富华 ,  王良臣 ,  王建林 ,  伊小燕 ,  马龙 ,  白云霞 ,  姜磊

IPC: H01L21/822

Abstract: 一种共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法，在半绝缘GaAs衬底上依次用分子束外延设备生长高电子迁移率晶体管和共振遂穿二极管结构；在外延片的表面用光刻技术和湿法腐蚀形成共振遂穿二极管的台面；用光刻技术和湿法腐蚀实现器件之间的隔离，形成隔离沟；在高电子迁移率晶体管台面上，进行高电子迁移率晶体管的源极、漏极以及共振遂穿二极管下电极的金属欧姆接触制作，然后进行退火；在共振遂穿二极管的上表面进行金属欧姆接触制作发射极，然后退火；腐蚀出栅槽，当源漏极出现饱和电流时，停止腐蚀；用分子束蒸发在隔离沟内制作栅极；制作第一空气桥空和第二气桥，把共振遂穿二极管和高电子迁移率晶体管相互连接起来。

公开(公告)号：CN1707807A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200410046387.0

申请日：2004-06-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 徐晓华 ,  倪海桥 ,  牛智川 ,  贺正宏 ,  王建林

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80

Abstract: 一种高击穿电压的高电子迁移率晶体管，包括：一缓冲层，用来抑制衬底杂质的扩散和吸收衬底缺陷；一空穴收集层，制作在缓冲层上，用于收集离化的空穴；一二维电子气量子阱，制作在空穴收集层上，用于提供高浓度高迁移率的电子；一隔离层，制作在二维电子气量子阱上，用于隔离中二维电子气量子阱的电子和其上掺杂层中的杂质的库仑相互作用；一面掺杂层，制作在隔离层上，用于提供电子，并有效提高势垒击穿电压；一势垒层，制作在面掺杂层上，用于调节阈值电压；一重掺杂盖层，制作在势垒层上，用于欧姆接触；源、栅、漏和侧向电极制作在重掺杂盖层上；侧向电极制作在本结构的一侧并与空穴收集层连接，用于将空穴抽取出晶体管。