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公开(公告)号：CN1808707A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510004572.8
申请日：2005-01-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/822
Abstract: 一种共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法，在半绝缘GaAs衬底上依次用分子束外延设备生长高电子迁移率晶体管和共振遂穿二极管结构；在外延片的表面用光刻技术和湿法腐蚀形成共振遂穿二极管的台面；用光刻技术和湿法腐蚀实现器件之间的隔离，形成隔离沟；在高电子迁移率晶体管台面上，进行高电子迁移率晶体管的源极、漏极以及共振遂穿二极管下电极的金属欧姆接触制作，然后进行退火；在共振遂穿二极管的上表面进行金属欧姆接触制作发射极，然后退火；腐蚀出栅槽，当源漏极出现饱和电流时，停止腐蚀；用分子束蒸发在隔离沟内制作栅极；制作第一空气桥空和第二气桥，把共振遂穿二极管和高电子迁移率晶体管相互连接起来。
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