公开(公告)号：CN102723357A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201210110576.4

申请日：2012-04-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 何志 ,  张峰 ,  樊中朝 ,  赵咏梅 ,  孙国胜 ,  季安 ,  杨富华

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 一种沟道型碳化硅肖特基二极管，包括：一外延片，具有上、下表面，该外延片的上面向下开有一沟道，该沟道内的底部注入有P型离子，在该沟道的底部形成P+区；一氧化膜层，制作在外延片沟道的内壁面上，该氧化膜层的厚度为10纳米-10微米；一多晶硅层，制作在氧化膜层上，并充满外延片的沟道内；一肖特基金属电极，制作在外延片上，并覆盖该外延片的沟道；一欧姆接触电极，制作在外延片的下表面。本发明改进了沟道型肖特基器件的结构，使反向承压时最高场强从沟道金属和氧化硅膜界面处转移到碳化硅外延片中，从而避免破坏性击穿。

公开(公告)号：CN113707541B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202111147580.3

申请日：2021-09-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄鹏 ,  赵咏梅 ,  谢亮

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明公开了一种图形转移方法，包括：提供一衬底；在衬底上涂覆光刻胶；通过激光照射在光刻胶上形成欠曝光区域，其中，欠曝光区域呈上宽下窄的梯形槽状；通过对欠曝光区域的光刻胶显影、坚膜、减薄、刻蚀后，得到目标图形。

公开(公告)号：CN113707541A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202111147580.3

申请日：2021-09-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄鹏 ,  赵咏梅 ,  谢亮

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明公开了一种图形转移方法，包括：提供一衬底；在衬底上涂覆光刻胶；通过激光照射在光刻胶上形成欠曝光区域，其中，欠曝光区域呈上宽下窄的梯形槽状；通过对欠曝光区域的光刻胶显影、坚膜、减薄、刻蚀后，得到目标图形。