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公开(公告)号：CN101718952B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200910243534.6
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种基于移动编码掩模原理制备多层浮雕结构复合膜层的方法，其特征在于：由所制备膜层的厚度分布函数得到对应的掩模开孔函数，确定掩模开孔的形状和几何尺寸；沿掩模移动方向，在掩模上周期性地制备出此开孔；在膜料沉积过程中移动掩模，由掩模开孔的形状和几何尺寸控制此膜层各沉积区域的膜厚分布；重复以上步骤，通过更换掩模和膜料，可连续沉积多层不同材料和厚度分布的浮雕结构膜层。该方法结合了移动掩模技术和定向沉积技术，不需要经过曝光、刻蚀等复杂工艺步骤就可以在基底上直接沉积得到一层或多层预定厚度分布的浮雕结构膜层。
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公开(公告)号：CN101736287B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200910241921.6
申请日：2009-12-15
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种利用阴影蒸镀和湿法腐蚀来制备半圆柱形沟槽的方法，包括：采用常规技术在衬底上沉积掩蔽膜层，在掩蔽膜层上涂布光刻胶；采用光刻技术在光刻胶上制备线条结构；以一定角度进行倾斜蒸镀，在每条光刻胶线条边缘外形成一条一定宽度的没有沉积蒸镀材料的阴影区；然后以蒸镀的材料作为保护层对掩蔽膜层进行干法刻蚀，阴影区域的掩蔽膜层由于没有蒸镀材料的保护而被刻蚀掉，这样得到对应于阴影区域的掩蔽膜层狭缝；通过掩蔽膜层狭缝以稀释的氢氟酸溶液对衬底进行各向同性腐蚀，得到位于衬底表面的半圆柱形沟槽。该方法不需要电子束、离子束等昂贵的设备，就可以大面积地制备得到宽度为二十纳米到二微米的掩蔽膜层狭缝，进而得到直径为一百纳米到十微米之间任何数值的半圆柱形沟槽。
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公开(公告)号：CN101726998A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910241923.5
申请日：2009-12-15
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种利用金属反射膜结构实现提高近场光刻质量的方法，其特征在于以下步骤：(1)首先选择基底材料；(2)在基底表面沉积利于金属附着的沉积层A，厚度为Da；(3)在沉积层A上沉积金属薄膜，形成可用于激发表面等离子体的金属层B，层厚度为Db；(4)在金属层B上沉积保护膜层C，用作隔绝金属层B与抗蚀剂、显影液等接触的保护层，层厚度为Dc；(5)在上步骤获得的结构表面旋涂抗蚀剂D；(6)将经设计的周期结构图形掩模置于最上层表面；(7)对所得的结构进行曝光；(8)曝光结束后，去除掩模结构；(9)将所得的结构放入与抗蚀剂相匹配的显影液中进行显影；(10)去除结构表面残留的显影液，后烘以获得最终近场光刻结构图形；利用上述方法明可以提高掩模图形结构特征尺寸小于λ/2时，近场光刻所得抗蚀剂图形结构的深度、陡度及光滑度。
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公开(公告)号：CN101723307A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910243541.6
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种利用两次膜层沉积和湿法腐蚀制备半圆柱形微细沟槽的方法步骤为：采用常规技术在石英衬底上沉积膜层，在膜层上涂布光刻胶，进行光刻、显影、坚模；利用光刻胶图形作掩蔽和湿法腐蚀各向同性的特点，使用腐蚀液刻蚀掉光刻胶图形边缘下方的膜层，形成一定宽度的空气间隙；湿法腐蚀后得到的结构表面再次沉积相同材料的膜层，去除光刻胶后得到和空气间隙宽度相同的狭缝；再利用膜层为掩蔽，通过狭缝，使用氢氟酸缓冲液对石英衬底进行各向同性腐蚀，得到半圆柱形微细沟槽。该方法不需要电子束、粒子束、干法刻蚀等昂贵的设备就可制备得到宽度范围在700纳米到2.5微米的狭缝，通过控制湿法腐蚀的条件进而得到直径宽度范围为700纳米到2.5微米，深度范围为350纳米到1.25微米的半圆柱形微细沟槽。
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公开(公告)号：CN102096316A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010617769.X
申请日：2010-12-22
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种利用岛型结构掩模提高超衍射光刻分辨力和光刻质量的方法，其特征在于首先在掩模基底上制备岛型凸起结构，然后溅射避光膜层，利用直写手段在岛形区域的避光膜层上加工纳米图形。本发明可以提高掩模图形结构特征尺寸小于λ/2时，超衍射光刻所得光刻材料图形结构的分辨力和光刻图形质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102073225A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201110038321.7
申请日：2011-02-14
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种纳光子直写头精密旋转定位调焦系统，属于直写光刻设备领域，(1)直写头调节装置可以进行纳米级Z向移动；(2)直写头调节装置可以进行0～90°转动；(3)基片台可以进行高速转动；(4)直写头悬臂具有一定弹性变形量；(5)直写头采用空气动力学原理设计结构，可以在基片台转动产生的气流作用下浮起基片表面。基片台高速转动时产生的气流可以实现直写头浮起基片表面几十纳米范围，保证光刻时两者距离处于近场倏逝波作用范围，突破衍射极限限制，实现高分辨力的光刻结果。
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公开(公告)号：CN101349771B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810119562.2
申请日：2008-09-03
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G02B3/00
Abstract: 一种实现超分辨成像功能的金属介质膜结构，其特征在于包括下列步骤：(1)选择入射光，其波长为λ；(2)选择金属材料和介质材料，介电常数分别为εm和εd；(3)交替排布金属薄膜和介质薄膜材料，形成多层金属介质薄膜结构，其中金属和介质单层膜层厚度分别为dm和dd，多层金属介质膜的总厚度为d；(4)将物点放置于多层膜材料的一侧，并用入射光来照射，在另一侧即可成像，其物像之间的距离为(5)步骤(3)所得结构即为能够实现超分辨成像功能的金属介质膜结构。本发明的金属介质膜结构，不需要金属和介质的介电常数匹配，只要在结构参数选择上满足特定条件，即可实现倏逝波放大，从而可以大大拓展实现超分辨成像的工作波长。
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公开(公告)号：CN101441421B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200810239210.0
申请日：2008-12-04
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 利用劳埃镜实现无掩模表面等离子体干涉光刻的装置，包括调节入射光角度的精密转台，耦合激发表面等离子体干涉的直角梯形棱镜，压紧基片和直角梯形棱镜的压紧装置，固定压紧装置的支架；将直角梯形棱镜一个侧面固定于精密转台上，使P偏振的激光束垂直入射至其斜面，微调精密转台确定激发表面等离子体的实际共振角；将涂有光刻胶的基片置于棱镜底面并调节压紧装置将棱镜和基片压紧；用宽光束以实际共振角入射至棱镜，在金属膜下表面实现表面等离子体干涉并对光刻胶曝光；取下曝光后的基片；对光刻胶后烘、显影，实现表面等离子体干涉光刻；本发明具有成本低廉、工作效率高、加工图形区域面积大、容易装调等优点，还有利于纳米光子晶体和人工材料的研究和应用。
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公开(公告)号：CN101825845A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200910243538.4
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种用于高深宽比纳米图形加工的表面等离子体成像光刻方法，该方法是利用表面等离子体成像光刻复合掩模和加工有三层光刻胶结构的基片接触曝光，通过显影，实现纳米尺度线宽的图形成像光刻在厚度很薄的表层光刻胶膜层上，进一步通过两步刻蚀将图形传递到底层光刻胶，其光刻胶图形可以达到100nm～500nm。该方法解决了传统技术报道中表面等离子体成像光刻的图形深度浅、对比度低的技术缺陷，实现了高深宽比的纳米线宽图形光刻，可用于加工线宽20nm～500nm的纳米光刻胶图形，在电子集成线路加工、纳米光学材料加工等众多领域有广泛应用。
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公开(公告)号：CN101794070A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200910243540.1
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种用于缩小投影超分辨成像的器件和光刻方法。器件主要结构特征为多层交替叠加的金属和介质薄膜，薄膜界面为特殊设计的曲面。在薄膜结构最外层掩模物信息以一定缩小倍率成像传递到另外一侧最外层表面，该表面外为光刻胶，实现缩小投影超分辨成像光刻。或者通过投影光学系统将掩模图形投影成像到超分辨成像器件的物平面上，再以一定缩小倍率成像传递到器件另外一侧最外层表面，该表面外为光刻胶，实现缩小投影超分辨成像光刻。
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