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公开(公告)号：CN116182902B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202310131015.0
申请日：2023-02-17
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种全天时恒星探测视场选通成像系统的标定方法，该方法包括：利用光源、多星星点板和平行光管构建多星光模拟器，多星星点板的中心星点位于平行光管的焦点上；使中心选通视场成像通道的光轴与平行光管的光轴共轴；中心星点像在探测器上的位置即为中心选通视场成像通道的主点位置，将该位置坐标作为所有选通视场在探测器上的参考点；切换至其他选通视场，调整并记录转台的方位角和俯仰角，使中心星点像位于探测器上的参考点位置；通过转台的方位角和俯仰角实现选通视场间的坐标关系的标定，通过各选通视场内多星星图的星对角距不变性实现对各选通视场的焦距和畸变的标定。本发明可以解决多光轴、多成像通道光学成像系统的标定问题。
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公开(公告)号：CN116182902A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310131015.0
申请日：2023-02-17
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种全天时恒星探测视场选通成像系统的标定方法，该方法包括：利用光源、多星星点板和平行光管构建多星光模拟器，多星星点板的中心星点位于平行光管的焦点上；使中心选通视场成像通道的光轴与平行光管的光轴共轴；中心星点像在探测器上的位置即为中心选通视场成像通道的主点位置，将该位置坐标作为所有选通视场在探测器上的参考点；切换至其他选通视场，调整并记录转台的方位角和俯仰角，使中心星点像位于探测器上的参考点位置；通过转台的方位角和俯仰角实现选通视场间的坐标关系的标定，通过各选通视场内多星星图的星对角距不变性实现对各选通视场的焦距和畸变的标定。本发明可以解决多光轴、多成像通道光学成像系统的标定问题。
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公开(公告)号：CN114384539A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111570200.7
申请日：2021-12-21
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01S17/58
Abstract: 本发明公开一种基于背景光同步差分的吸收谱线相移测速方法，包括：步骤一，将多普勒非对称空间外差(DASH)光谱仪的两臂光程差置零，观察干涉条纹中心亮度位置的信号能量；调节太阳望远镜后的增益并来回切换光源对比，使得背景光与信号光的干涉条纹具有基本相同的能量幅值，记录二者的幅值比例。步骤二，将多普勒非对称空间外差(DASH)光谱仪的两臂光程差调制合理位置，观察干涉条纹旁瓣位置的信号能量；选择背景光源，放大图像采集端的增益，记录白炽灯光源生成的干涉条纹信号作为背景参考信息。步骤三，选择信号光源，启用多普勒速度发生模块，记录信号光生成的干涉条纹信号，并与步骤二的背景信号做差分；对差值信号进行相位解析，验证测量精度。
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公开(公告)号：CN113608288A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110950789.7
申请日：2021-08-18
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G02B3/00
Abstract: 本发明涉及一种大尺寸透镜阵列加工及组装方法，该方法包括：(1)选取精抛光的基片作为定位板基板，在基片表面涂布光刻胶；(2)将设计好的掩模板图形通过光刻工艺转移到硅片上；(3)用半导体刻蚀工艺将硅片上的图形刻蚀为相应的孔基板；(4)选取玻璃片作为承载基板，将对准图案沉积在承载基板上；(5)将第(3)步中得到的定位板与承载基板通过对准标记进行对准；(6)将事先加工好的多个透镜，放置入定位板的孔中；(7)在透镜侧面涂布粘接剂，待粘接固化完成后得到透镜阵列。本发明制作的大尺寸透镜阵列，由于有半导体工艺制造的定位板，排布方式灵活，相对位置精度较高，可广泛应用于对透镜阵列位置精度要求较高的成像等领域。
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公开(公告)号：CN106097864A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610411202.4
申请日：2016-06-12
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G09B25/00
CPC classification number: G09B25/00
Abstract: 本发明公开了一种用于模拟测量恒星Doppler视向速度的实验装置与方法。该装置包含模拟光源、分束器、转盘、回射胶带、电机及其控制系统、光开关和光纤及耦合系统。用卤钨灯和碘蒸气吸收池模拟类似恒星谱线；转盘在电机及其控制系统的驱动下高速旋转，转盘倾斜放置用于产生需要的视向方向速度，转盘上的回射胶带沿视向方向使光束反转并耦合进入光纤，在出射端进入待测测量系统。光开关用于控制光束通过或不通过转盘从而实现发生或未发生Doppler频移两种状态。该实验装置实现了在实验室环境下模拟恒星Doppler视向速度，具有体积小、重量轻、速度连续可调等优点，适合作为在实验室条件下模拟恒星发生Doppler红移或蓝移情况的速度变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104330890B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410614452.9
申请日：2014-11-04
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G02B26/00
Abstract: 本发明提供一种长腔长微机电可调谐法布里－珀罗滤波器，滤波器的上基板由双面腐蚀后截面呈“W”形的体硅及其下表面的浓硼掺杂层构成，“W”形体硅上表面以透明薄膜作为支撑膜，其上的反射膜作为法布里－珀罗滤波器的前腔镜，“W”形体硅下表面不同区域的浓硼掺杂层可分别作为悬臂梁和上电极。滤波器的下基板由石英玻璃构成，其上表面与前腔镜和上电极对应的区域分别制作有后腔镜和下电极，下表面与后腔镜对应的区域刻有衍射光栅。该微机电滤波器可方便获得200μm以上的初始腔长，能在不同方向上实现单一波长的滤波，具有窄半峰全宽和宽自由光谱范围的优点，在光通讯，光信息读取，激光技术等领域中有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102096316A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010617769.X
申请日：2010-12-22
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种利用岛型结构掩模提高超衍射光刻分辨力和光刻质量的方法，其特征在于首先在掩模基底上制备岛型凸起结构，然后溅射避光膜层，利用直写手段在岛形区域的避光膜层上加工纳米图形。本发明可以提高掩模图形结构特征尺寸小于λ/2时，超衍射光刻所得光刻材料图形结构的分辨力和光刻图形质量。
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公开(公告)号：CN101441421B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200810239210.0
申请日：2008-12-04
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 利用劳埃镜实现无掩模表面等离子体干涉光刻的装置，包括调节入射光角度的精密转台，耦合激发表面等离子体干涉的直角梯形棱镜，压紧基片和直角梯形棱镜的压紧装置，固定压紧装置的支架；将直角梯形棱镜一个侧面固定于精密转台上，使P偏振的激光束垂直入射至其斜面，微调精密转台确定激发表面等离子体的实际共振角；将涂有光刻胶的基片置于棱镜底面并调节压紧装置将棱镜和基片压紧；用宽光束以实际共振角入射至棱镜，在金属膜下表面实现表面等离子体干涉并对光刻胶曝光；取下曝光后的基片；对光刻胶后烘、显影，实现表面等离子体干涉光刻；本发明具有成本低廉、工作效率高、加工图形区域面积大、容易装调等优点，还有利于纳米光子晶体和人工材料的研究和应用。
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公开(公告)号：CN101825845A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200910243538.4
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种用于高深宽比纳米图形加工的表面等离子体成像光刻方法，该方法是利用表面等离子体成像光刻复合掩模和加工有三层光刻胶结构的基片接触曝光，通过显影，实现纳米尺度线宽的图形成像光刻在厚度很薄的表层光刻胶膜层上，进一步通过两步刻蚀将图形传递到底层光刻胶，其光刻胶图形可以达到100nm～500nm。该方法解决了传统技术报道中表面等离子体成像光刻的图形深度浅、对比度低的技术缺陷，实现了高深宽比的纳米线宽图形光刻，可用于加工线宽20nm～500nm的纳米光刻胶图形，在电子集成线路加工、纳米光学材料加工等众多领域有广泛应用。
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公开(公告)号：CN101726990A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910241920.1
申请日：2009-12-15
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F1/08
Abstract: 一种用于200nm以下线宽超衍射光刻的硅掩模及其制作方法，该掩模由紫外透明材料基片上的硅膜作为图形层。其制作方法是：首先在基片上加工一定厚度的硅膜，使其对紫外光的透过率在5％以内；然后在硅膜表面加工一层薄的铬膜；利用聚焦离子束在铬膜上制备线宽小于200nm的图形；以铬膜层为遮蔽层，通过反应离子束刻蚀硅膜，使铬膜上的图形转移至硅膜上；最后用去铬液腐蚀掉残留的铬膜，制成分辨率高、图形层深度大的实用硅掩模。该硅掩模和加工方法解决了聚焦离子束难以制作图形层深度大、线宽小于200nm的铬掩模的技术困难，在纳米光刻技术中具有广阔的应用前景。
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