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公开(公告)号：CN1971395B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200610165076.5
申请日：2006-12-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种光子晶体光限幅器的制作方法，主要分为三步：微细加工技术制作光子晶体；将酞菁有机非线性材料掺入光敏胶中，得到混合体系；再将混合体系渗透入光子晶体的空气凹槽或空气柱中，通过紫外光照固化，得到光子晶体光限幅器。本发明的光子晶体可为一维光子晶体和二维光子晶体。一维光子晶体由二氧化硅和空气凹槽交替排列构成。二维光子晶体由空气柱在二氧化硅中呈周期结构排列。空气凹槽和空气柱通过光刻和反应离子刻蚀微细加工技术在二氧化硅基片上制作得到。本发明具有简单、低成本的优点。
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公开(公告)号：CN100343698C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN03123567.0
申请日：2003-05-29
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种连续深浮雕非球面微透镜阵列制作方法，根据要求制作的微透镜阵列的尺寸设计制作二元掩模，对光刻胶进行两次涂胶，进行60℃-75℃低温、50min-90min长时间前烘，并将二元掩模经光学系统投影在经过涂胶和前烘工艺后的光刻胶上，然后采用移动掩模法进行曝光，即在曝光过程中移动掩模，再经过显影、漂洗及由70℃低温连续升温至120℃高温、90min-120min长时间后烘培，得到微透镜阵列。本发明所需的曝光时间极短(几十秒到几百秒)，比激光直写方法所需曝光时间少二至三个数量级，并且不需购置昂贵的设备，节约了制作成本，而且利用该方法制作的连续微透镜阵列，其组成微透镜阵列的透镜单元之间不存在死区，故填充因子接近100%。
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公开(公告)号：CN1996100A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610169886.8
申请日：2006-12-30
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 温度调控一维光子晶体产生动态光子晶体的方法，以加热炉连接在多层膜结构一维光子晶体上，当加热炉温度改变时，一维光子晶体的温度也发生改变，温度的改变导致膜层材料折射率发生改变，一维光子晶体的光子禁带位置随之发生偏移，形成动态光子晶体。本发明采用温度调制多层膜结构的一维光子晶体产生动态光子晶体，并不涉及二、三维光子晶体结构的制作和液晶材料的填充实验，通过温度调制膜层材料的折射率变化从而使光子带隙发生偏移，并有多种膜层材料可应用于本发明，大大降低了实验难度且灵活易行。
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公开(公告)号：CN1970599A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610165074.6
申请日：2006-12-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: SU－8环氧树脂的分离方法，本发明提出采用柱层析法和高压液相色谱－尺寸排阻色谱法进行分离，分离结果表明SU－8环氧树脂分子量分布范围很大，从100－100000，包括SU－8、SU－6、SU－4、SU－2、SU－1等多种组分及其混合物，并不是文献所报道的单纯SU－8。同时，由于SU－1、SU－2、SU－4小分子及其混合物在近紫外波段具有较强的吸收性，同时曝光后难以充分交联，造成图形分辨率不高和SU－8光刻胶的吸收性及缩胶问题，难以制作纳米级微结构。本发明为配制性能优化的SU－8光刻胶，以提高制作图形的分辨率，解决吸收性和缩胶问题，制作纳米级三维微结构奠定了基础。
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公开(公告)号：CN1970599B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200610165074.6
申请日：2006-12-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: SU-8环氧树脂的分离方法，本发明提出采用柱层析法和高压液相色谱-尺寸排阻色谱法进行分离，分离结果表明SU-8环氧树脂分子量分布范围很大，从100-100000，包括SU-8、SU-6、SU-4、SU-2、SU-1等多种组分及其混合物，并不是文献所报道的单纯SU-8。同时，由于SU-1、SU-2、SU-4小分子及其混合物在近紫外波段具有较强的吸收性，同时曝光后难以充分交联，造成图形分辨率不高和SU-8光刻胶的吸收性及缩胶问题，难以制作纳米级微结构。本发明为配制性能优化的SU-8光刻胶，以提高制作图形的分辨率，解决吸收性和缩胶问题，制作纳米级三维微结构奠定了基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1971395A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610165076.5
申请日：2006-12-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种光子晶体光限幅器的制作方法，主要分为三步：微细加工技术制作光子晶体；将酞菁有机非线性材料掺入光敏胶中，得到混合体系；再将混合体系渗透入光子晶体的空气凹槽或空气柱中，通过紫外光照固化，得到光子晶体光限幅器。本发明的光子晶体可为一维光子晶体和二维光子晶体。一维光子晶体由二氧化硅和空气凹槽交替排列构成。二维光子晶体由空气柱在二氧化硅中呈周期结构排列。空气凹槽和空气柱通过光刻和反应离子刻蚀微细加工技术在二氧化硅基片上制作得到。本发明具有简单、低成本的优点。
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公开(公告)号：CN1702536A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200410009119.1
申请日：2004-05-24
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G02F2/00
Abstract: 光子晶体可为一维光子晶体和二维光子晶体，一维光子晶体由基片和介质膜层构成，介质膜层由高低折射率材料交替排列呈周期结构分布，通过离子束淀积法、真空磁控溅射法、热压、溶胶－凝胶、化学气相沉积法、真空蒸发法等技术在基片上制作得到，膜层材料和厚度可以根据所要求的入射光波和变频光波波段进行选择；二维光子晶体由高低折射率材料呈空气柱或介质柱型结构构成，空气柱或介质柱形成三角形、四方形、蜂窝形、棋盘形、复式格子等晶格结构的周期单元，采用光刻、干法刻蚀等微细加工技术、光电化学腐蚀等技术制作，该二维光子晶体的晶格常数、圆柱直径、圆柱高度可以根据所要求的入射光波和变频光波波段进行选择。本发明具有激光频率转换不依赖于入射光强，转换效率高和转换范围大等优点。
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公开(公告)号：CN100444016C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200410009119.1
申请日：2004-05-24
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 光子晶体可为一维光子晶体和二维光子晶体，一维光子晶体由基片和介质膜层构成，介质膜层由高低折射率材料交替排列呈周期结构分布，通过离子束淀积法、真空磁控溅射法、热压、溶胶-凝胶、化学气相沉积法、真空蒸发法等技术在基片上制作得到，膜层材料和厚度可以根据所要求的入射光波和变频光波波段进行选择；二维光子晶体由高低折射率材料呈空气柱或介质柱型结构构成，空气柱或介质柱形成三角形、四方形、蜂窝形、棋盘形、复式格子等晶格结构的周期单元，采用光刻、干法刻蚀等微细加工技术、光电化学腐蚀等技术制作，该二维光子晶体的晶格常数、圆柱直径、圆柱高度可以根据所要求的入射光波和变频光波波段进行选择。本发明具有激光频率转换不依赖于入射光强，转换效率高和转换范围大等优点。
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公开(公告)号：CN1553222A
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN03123567.0
申请日：2003-05-29
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种连续深浮雕非球面微透镜阵列制作方法，根据要求制作的微透镜阵列的尺寸设计制作二元掩模，对光刻胶进行两次涂胶，进行60℃－75℃低温、50min－90min长时间前烘，并将二元掩模经光学系统投影在经过涂胶和前烘工艺后的光刻胶上，然后采用移动掩模法进行曝光，即在曝光过程中移动掩模，再经过显影、漂洗及由70℃低温连续升温至120℃高温、90min－120min长时间后烘培，得到微透镜阵列。本发明所需的曝光时间极短(几十秒到几百秒)，比激光直写方法所需曝光时间少二至三个数量级，并且不需购置昂贵的设备，节约了制作成本，而且利用该方法制作的连续微透镜阵列，其组成微透镜阵列的透镜单元之间不存在死区，故填充因子接近100％。
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