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公开(公告)号：CN118311838A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410688246.6
申请日：2024-05-30
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开的实施例提供一种吹气承片装置、光刻装置及光刻方法，吹气承片装置包括：吹气承片台，被配置为承托基片，吹气承片台表面为平面，平面被划分为至少一个场区，每个场区用作曝光场和/或压印场；场区内设置有多个贯穿吹气承片台的通气孔；通气控制组件，通过吹气管道与通气孔连通，通气控制组件被配置为通过通气孔向对应的场区通入气体来控制场区内的气压或气流，以控制场区对应的基片的形变量，使场区对应的基片贴合掩模；间隙检测组件，被配置为检测基片与掩模之间的间隙值；控制系统，被配置为基于间隙值控制通气控制组件调整场区内的气压或气流。
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公开(公告)号：CN115831721A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211451697.5
申请日：2022-11-18
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01L21/033
Abstract: 本公开提供了一种基于侧壁保护的硬掩模刻蚀方法，包括：S1，制备超分辨光刻结构，自下而上依次包括衬底、介质层、含碳硬掩模层、含Si抗反射涂层、金属层和感光膜层；S2，在感光膜层中形成光刻图形结构，并依次刻蚀传递至金属层、含Si抗反射涂层，光刻图形结构包括在含Si抗反射涂层中形成的凹陷结构；S3，利用保护气体在含Si抗反射涂层上沉积聚合物，至少使含Si抗反射涂层的凹陷结构侧壁形成聚合物保护层；S4，利用等离子体刻蚀去除凹陷结构底部的聚合物保护层并继续刻蚀含碳硬掩模层，凹陷结构侧壁被聚合物保护层保护；S5，在凹陷结构侧壁的聚合物保护层消耗完之前，重复进行S3～S4，直至将光刻图形结构传递至含碳硬掩模层。
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公开(公告)号：CN115233159A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210942761.3
申请日：2022-08-05
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供了一种低粗糙度和介电常数可控的银膜及其制备方法，该银膜的制备方法包括：S1，向真空腔体中通入氩气与氮气的混合气体，调整银靶材、氮化铝靶材的溅射功率，共同溅射沉积制备得到不同溅射功率下的多个银膜；S2，获取多个银膜的多条介电常数‑波长曲线；S3，基于目标银膜在特定波长下的目标介电常数，根据多条介电常数‑波长曲线，确定银靶材的第一溅射功率、氮化铝靶材的第二溅射功率；S4，向真空腔体中通入氩气与氮气的混合气体，对银靶材使用第一溅射功率、氮化铝靶材使用第二溅射功率，沉积制备得到目标介电常数下的低粗糙度银膜。本公开的方法通过氮化铝的掺杂实现了对银膜介电常数的调控，同时明显降低了银膜的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN115047728A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210776506.6
申请日：2022-07-01
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供了一种等离子体共振腔透镜光刻的成像结构保护方法及其结构，该方法包括：S1，在基底表面沉积反射金属膜层；S2，在反射金属膜层上沉积保护膜层，保护膜层用于保护反射金属膜层；S3，在保护膜层上制备感光膜层；S4，在感光膜层上沉积透明保护膜层，透明保护膜层用于保护感光膜层；S5，在透明保护膜层上沉积透射金属膜层，得到等离子体共振腔透镜光刻的成像结构。本公开通过在反射金属膜层、透射金属膜层上分别设置保护膜层、透明保护膜层，避免了去除金属的腐蚀溶液对感光膜层、显影液对反射金属膜层造成的损伤与破坏，有利于提升等离子体共振腔成像光刻的图形质量。
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公开(公告)号：CN111517274B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010354561.7
申请日：2020-04-29
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种曲面衬底上微纳结构图形高精度刻蚀传递方法。采用真空热蒸镀、磁控溅射沉积等方法，在石英、硅等材料的曲面衬底表面制备一层导电薄膜，之后经过涂胶、光刻、直写、湿法刻蚀或干法刻蚀等工序制备出与微结构图形一致的图形化导电薄膜，然后利用金属外壳和导电胶带，将曲面衬底四周的导电膜层与样品台下电极联接，确保良好导电接触，形成等电位体，然后进行反应离子刻蚀。该方法能够确保曲面衬底上刻蚀区的电位一致，使得整个曲面衬底裸露出来的区域被均匀刻蚀下去，金属导电薄膜遮蔽的区域被保护起来。本发明中图形化的金属薄膜即是掩模，同时又是电极，解决了石英、硅等介质材料曲面衬底上微纳结构图形的刻蚀传递不均匀难题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114217510A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111547641.5
申请日：2021-12-16
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供一种光刻方法，包括：在光刻基底表面依次制备叠设的功能膜层、反射式辅助成像膜层及第一光刻胶层。对第一光刻胶层进行光刻，得到第一光刻结构。以第一光刻结构为掩蔽层对反射式辅助成像膜层进行刻蚀，以将第一光刻结构的图形传递到反射式辅助成像膜层上。在反射式辅助成像膜层的图形上依次制备叠设的第二光刻胶层及透射式辅助成像膜层。以反射式辅助成像膜层的图形为掩模进行表面等离子体光刻，去除透射式辅助成像膜层后对第二光刻胶层进行显影，得到第二光刻结构。以第二光刻结构为掩蔽层对功能膜层进行刻蚀，以将第二光刻结构的图形传递至功能膜层，得到第三光刻结构。本公开的方法能够提升光刻的分辨力。
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公开(公告)号：CN105954866B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201610556663.0
申请日：2016-07-15
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开一种照明深度可调的宽波段光源超分辨表层显微成像方法，其中，用于所述超分辨表层显微成像的照明器件从下到上依次包括：透明基底，光栅，金属/介质多层膜层；所述显微成像方法利用金属/介质多层膜层在光栅的激发下产生的深亚波长体等离子体(BPPs)模式，作为显微成像时的照明场，可在可见光及紫外光波段实现待测样品5nm‑300nm的表层超分辨成像。该方法有望应用于活细胞中细胞质膜的实时在线显微成像，应用广泛。本发明不仅可对待测样品进行纵向照明深度的调节，也可横向提高图像的空间分辨率，大大提高了样品表层成像质量。
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公开(公告)号：CN108037640A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711334920.7
申请日：2017-12-14
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于白光干涉间隙检测和超精密对准套刻技术的分离式近场微纳光刻方法和装置，该方法可实现大面积分离式曝光和超精密对准套刻，该装置包括超精密环控系统、主动隔振平台、支撑框架、紫外曝光光源、光刻镜头模块、间隙检测系统、对准模块、承片台模块和控制系统。该装置通过白光干涉光谱测量技术，可实现纳米量级的在线间隙检测和调平，从而实现分离式曝光；通过对准模块和控制系统，可实现超精密对准套刻技术。
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公开(公告)号：CN102879916A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210324705.X
申请日：2012-09-05
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种位相型纳米物体表面等离子体超分辨成像方法，对于确定的工作波长，选择透明的载玻片，载玻片上加工典型的金属-介质-金属结构，即双层金属膜包裹生物样本层、要求金属膜和生物样本材料的介电常数匹配，利用双层金属薄膜包裹生物样本层，对于线偏振的光照射，该表面等离子体超分辨成像器件能够将生物样本层中位相型物体与生物样本层的微小折射率差异转化为近场光强强度分布，通过近场探针或者光记录方式记录近场的光强强度分布从而实现位相型纳米物体的超衍射分辨。本发明用于生物样本中位相型纳米物体的超衍射分辨，采用双层金属薄膜包裹生物样本层的设计，拓展传统相衬相位技术分辨力衍射受限的局限。
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公开(公告)号：CN102629073A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210107975.5
申请日：2012-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种用于表面等离子体光刻的纳米光栅掩模制备方法，其步骤为：在基底上制备光栅阵列结构；在光栅线条一侧方向进行阴影蒸镀掩蔽层、RIE刻蚀基底、去除掩蔽层，然后在光栅线条另一侧方向进行阴影蒸镀掩蔽层、RIE刻蚀基底、去除掩蔽层；使用RIE进行各向同性刻蚀，或用腐蚀液对光栅线条进行各向同性湿法腐蚀，控制RIE刻蚀或湿法腐蚀的深度使光栅线条的宽度缩小至预定值；在宽度缩小的光栅线条一侧方向进行阴影蒸镀掩蔽层、RIE刻蚀基底、去除掩蔽层，然后在宽度缩小的光栅线条另一侧方向进行阴影蒸镀掩蔽层、RIE刻蚀基底、去除掩蔽层。本发明得到的线条数量为原有光栅的四倍，光栅周期缩小为原有光栅周期的四分之一。
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