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公开(公告)号：CN114551642A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210123432.6
申请日：2022-02-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种弱P型碲镉汞外延材料的退火方法。采用双温区退火装置，汞源和碲镉汞材料封装在石英管中，使汞源和碲镉汞样品分别处在双温区退火炉的低温段和高温段，根据所要求的碲镉汞空穴载流子的浓度，分别设置汞源和碲镉汞材料的退火温度，在退火结束后的冷却阶段分别设置汞源和碲镉汞材料的降温速率，使得在整个退火过程中汞蒸气的压力满足碲镉汞材料中汞空位浓度稳定性的要求，从而提高碲镉汞外延材料电学参数的稳定性和退火工艺的重复性。
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公开(公告)号：CN104599958B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201510028928.5
申请日：2015-01-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/266
Abstract: 本发明公开了一种用于高能离子注入的复合掩膜的制备方法。本发明的掩膜为一种具有三层结构的复合光致抗蚀剂掩膜，该掩膜将光致抗蚀剂掩膜图形制作在注入阻挡层介质膜与表层牺牲介质膜之间，用作高能离子注入掩膜。其制备方法采用正性光致抗蚀剂经光刻在注入阻挡层介质膜表面形成掩膜图形，再利用正负倾角薄膜蒸发工艺在注入区、光致抗蚀剂掩膜侧壁及顶端生长牺牲介质膜，用于高能离子注入。本发明的复合掩膜可避免光致抗蚀剂掩膜在高能离子轰击下的皲裂变性问题，且掩膜去除无残留，保证芯片表面洁净度，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN104037101B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410259001.8
申请日：2014-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于化学机械抛光工艺的铟柱制备方法，该方法是在焦平面器件上光刻铟孔并蒸发铟膜，利用具有弱腐蚀性的化学抛光液，通过化学机械抛光工艺制备铟柱。该种方法制备的铟柱具有高度一致性好、平整度高和致密等优点，能满足大面阵焦平面器件倒装互连的要求。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。
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公开(公告)号：CN105242503A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510607514.8
申请日：2015-09-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种多芯片边胶去除方法，去除装置有一个对芯片边胶进行选择性曝光的光刻掩膜版和一个用于承载并定位芯片的样品吸盘，样品吸盘上的十字凸台既可以用作定位芯片，也可以用作光刻的对版标记；样品吸盘中部开有孔槽，可配合光刻机吸盘固定芯片。光刻掩膜版上十字型图形内部有与十字凸台相对应的对准标记。将待去边胶的方形芯片放置在中央有十字定位凸台的样品吸盘上，用带有对准标记和十字掩膜图形的光刻掩膜版对芯片进行两步曝光，经过显影及定影后，去除掉芯片的边胶。该方法提高了方形芯片边胶去除效率，从而减小了后续光刻工艺的极限尺寸和套准难度。
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公开(公告)号：CN105047574A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510295755.3
申请日：2015-06-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/12
Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞探测器N区横向展宽的变间距测量方法，该方法是在已经制备ZnS阻挡层和对准标记的碲镉汞红外芯片上，通过光刻工艺，设计一系列不同间距PN结的离子注入掩膜。离子注入后再通过常规工艺制备钝化层和金属化欧姆接触，剥离并获得一系列不同间距PN结展宽的测试图形。最后，用低温冷探针系统对每对PN结进行电流电压测试，并通过结合电流电压测试结果分析和每对PN结间距判断横向展宽宽度。本发明方法操作简单，便于实现在线分析PN结结宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104889573A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510295613.7
申请日：2015-06-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B23K26/364
Abstract: 本发明公开了一种用激光切割碲镉汞薄膜的方法，它包括以下步骤：1、利用作图软件绘制切割路径，保存图形文档。2、将样品放在激光加工平台上，调节样品位置和水平，使激光聚焦在样品表面。3、设定激光加工系统的工作参数：波长：532nm/1064nm；脉宽：10ps～20fs；输出功率：10～200mW；扫描速度：200～2000mm/s；重复频率：500～1500Hz；重复次数：10～100次。4、样品切割。使用本发明进行碲镉汞薄膜切割能够获得宽度较窄、机械损伤小、边缘光滑、内部干净的切割槽，且操作简单，提高了工艺可靠性。
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公开(公告)号：CN103022246A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210506767.2
申请日：2012-11-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞红外探测器衬底去除技术中的选择性湿法腐蚀工艺方法，该方法是在红外光敏感芯片和读出电路在冷压混成互连后，采用高选择比的无机酸腐蚀液，通过湿法腐蚀工艺，完全腐蚀衬底留下外延层，以展宽探测波段至可见光，减小衬底与读出电路间热应力失配导致的损伤，消除衬底荧光效应，从而提高探测器性能和模块的可靠性。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。
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公开(公告)号：CN101894847B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201010182364.8
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明公开了一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器，它采用在前视光场方向上原位集成红外镜面窗口的浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器的结构方案。浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器不仅具有微凸镜列阵型探测器能抑制串音和提高响应率的优点，而且还能通过将微透镜列阵与前视光场耦合界面迁移到红外镜面窗口位置，以减小受衍射极限限制的光敏元尺寸。这解决了微凸镜列阵型红外焦平面探测器受红外衍射极限严重限制的缺点。同时，折射率合适的低温环氧胶、二氧化硅和硫化锌等多种材料，都能方便地制作浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器的红外镜面窗口。因而本发明具有结构合理和可制作性好的特点。
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公开(公告)号：CN101719505B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910198961.7
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用直接将生长完碲化镉/硫化锌(CdTe/ZnS)复合介质钝化膜后的HgCdTe红外焦平面探测器光敏感元芯片，放置在真空腔体内进行低能等离子体植氢处理的钝化界面优化的技术方案，有效解决了碲镉汞红外焦平面钝化界面存在过多的未饱和悬挂键、界面电荷的问题。本发明方法具有工艺简单、操作快捷、可控性好和稳定性高的特点。
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公开(公告)号：CN101740502B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910198967.4
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞微台面红外探测芯片的光敏感元列阵成形方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用先于碲镉汞红外焦平面探测芯片表面制作用于形成深微台面列阵芯片隔离沟槽的光刻胶掩蔽膜图形，然后利用旋转涂敷的方法往光刻胶掩蔽膜构成的沟槽图形内填充一定数量的碲镉汞材料的溴与氢溴酸混合腐蚀液，并通过控制光刻胶掩蔽膜形成的隔离沟槽图形的深度和腐蚀时间来控制深微台面列阵芯片所需的隔离沟槽深度的技术方案，有效解决了常规光敏感元列阵成形方法存在工艺损伤和占空比低的问题。本发明方法具有与HgCdTe探测芯片常规工艺完全兼容、低成本、高可控性、高均匀性和无工艺诱导电学损伤等特点。
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