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公开(公告)号：CN101740501B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910198960.2
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种离子注入型碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面的光电p-n结修饰方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用直接将离子注入完的HgCdTe红外焦平面探测器光敏感元芯片放置在真空腔体内进行氢等离子体浴处理的光电p-n结列阵修饰的技术方案，有效解决了离子注入型光电p-n结常规修饰方法存在单步工艺时间长、操作复杂和稳定性较差，以及会影响红外光敏感元列阵芯片表面清洁度和介质膜钝化性能的问题。本发明方法具有工艺简单、操作快捷、稳定性高和与探测芯片工艺兼容性好的特点。
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公开(公告)号：CN101740662B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910198969.3
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用在由分子束外延生长碲镉汞红外探测材料的终点时，于碲镉汞薄膜表面先原位生长一层碲化镉薄膜，并在碲镉汞红外探测芯片制备过程中对需要钝化区域的碲化镉薄膜不予以破坏的碲化镉原位钝化的技术方案，有效解决了常规碲化镉钝化方法会造成碲镉汞红外焦平面探测芯片探测性能损失和工艺稳定性低的问题。本发明方法具有工艺简单、操作便捷、稳定性高和钝化效果好的特点。
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公开(公告)号：CN101726364A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910198962.1
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/02
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用在红外焦平面列阵器件光敏感元芯片非电极区域的钝化层表面制作起内反射镜面作用的金属层，来实现红外辐射吸收厚度比红外光敏感元列阵芯片有源区实际厚度大一倍的技术方案，有效解决了红外辐射在红外焦平面列阵器件内部吸收率、内量子效率低的问题。本发明方法具有工艺完全兼容、稳定性好以及不降低光电转换效率的特点。
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公开(公告)号：CN101718588A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910198963.6
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/02
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面列阵器件混成互连铟焊点寿命的提高方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用在常规结构的红外焦平面探测器的四个角增加四个大铟堆桥墩，以实现常规结构红外焦平面探测器混成互连铟焊点同时作为机械连通和电学连通双重功能的分离的技术方案，有效解决了混成互连铟焊点因受冷热温度循环冲击疲劳而限制红外焦平面列阵器件使用寿命的问题。本发明方法具有操作简单方便、无需经受高温处理和不影响器件探测性能的特点。
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公开(公告)号：CN101414123A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810203390.7
申请日：2008-11-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G03F7/16
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面深微台面列阵加工的光刻胶涂敷方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用先于红外焦平面探测芯片表面旋转涂敷一层AZ系列光刻胶的稀释剂以填充微台面列阵隔离深沟槽的底部大部分体积的物理空间，再在微台面列阵芯片上旋转涂敷HgCdTe红外焦平面探测芯片加工工艺常规使用的AZ系列光刻胶AZ1500的技术方案，有效解决了常规的涂敷工艺在匀胶后常出现深隔离沟槽光刻胶堆积，而微台面列阵顶部、特别是微台面侧壁的光刻胶又覆盖得很薄的问题。本发明方法具有与HgCdTe探测芯片常规光刻工艺完全兼容，无需高温操作，低成本等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101894847B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201010182364.8
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明公开了一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器，它采用在前视光场方向上原位集成红外镜面窗口的浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器的结构方案。浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器不仅具有微凸镜列阵型探测器能抑制串音和提高响应率的优点，而且还能通过将微透镜列阵与前视光场耦合界面迁移到红外镜面窗口位置，以减小受衍射极限限制的光敏元尺寸。这解决了微凸镜列阵型红外焦平面探测器受红外衍射极限严重限制的缺点。同时，折射率合适的低温环氧胶、二氧化硅和硫化锌等多种材料，都能方便地制作浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器的红外镜面窗口。因而本发明具有结构合理和可制作性好的特点。
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公开(公告)号：CN101719505B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910198961.7
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用直接将生长完碲化镉/硫化锌(CdTe/ZnS)复合介质钝化膜后的HgCdTe红外焦平面探测器光敏感元芯片，放置在真空腔体内进行低能等离子体植氢处理的钝化界面优化的技术方案，有效解决了碲镉汞红外焦平面钝化界面存在过多的未饱和悬挂键、界面电荷的问题。本发明方法具有工艺简单、操作快捷、可控性好和稳定性高的特点。
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公开(公告)号：CN101740502B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910198967.4
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞微台面红外探测芯片的光敏感元列阵成形方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用先于碲镉汞红外焦平面探测芯片表面制作用于形成深微台面列阵芯片隔离沟槽的光刻胶掩蔽膜图形，然后利用旋转涂敷的方法往光刻胶掩蔽膜构成的沟槽图形内填充一定数量的碲镉汞材料的溴与氢溴酸混合腐蚀液，并通过控制光刻胶掩蔽膜形成的隔离沟槽图形的深度和腐蚀时间来控制深微台面列阵芯片所需的隔离沟槽深度的技术方案，有效解决了常规光敏感元列阵成形方法存在工艺损伤和占空比低的问题。本发明方法具有与HgCdTe探测芯片常规工艺完全兼容、低成本、高可控性、高均匀性和无工艺诱导电学损伤等特点。
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公开(公告)号：CN101894847A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010182364.8
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明公开了一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器，它采用在前视光场方向上原位集成红外镜面窗口的浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器的结构方案。浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器不仅具有微凸镜列阵型探测器能抑制串音和提高响应率的优点，而且还能通过将微透镜列阵与前视光场耦合界面迁移到红外镜面窗口位置，以减小受衍射极限限制的光敏元尺寸。这解决了微凸镜列阵型红外焦平面探测器受红外衍射极限严重限制的缺点。同时，折射率合适的低温环氧胶、二氧化硅和硫化锌等多种材料，都能方便地制作浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器的红外镜面窗口。因而本发明具有结构合理和可制作性好的特点。
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公开(公告)号：CN101872804A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010182280.4
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面列阵器件原位集成红外微凸镜列阵工艺所需的掩模用光刻胶微凸镜列阵的成形方法，它涉及光电探测器件的制造技术。本发明采用高密度、低能量的诱导耦合等离子体(ICP)增强反应离子刻蚀(RIE)方法，仅对红外焦平面探测器表面光刻胶进行局部的等离子体轰击回流的掩模用光刻胶微凸镜列阵成形的技术方案。基于高密度、低能量氧等离子体的光刻胶微凸镜列阵成形方法，只在氧等离子体与光刻胶发生反应的局部区域产生温升回流，解决了采用常规热熔回流进行红外焦平面探测器掩模用光刻胶微凸镜成形时必须经受高温过程的缺点。因而，本发明具有操作简单、可控性好和无需经受高温过程的特点。
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