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公开(公告)号：CN102778818A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210211441.7
申请日：2012-06-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞深孔台面芯片薄膜制备的光刻方法。本发明中的光刻方法是指：配制一种用于旋涂的在显影液中腐蚀尺寸可控厚度可控的牺牲薄膜层溶胶，在涂胶步骤中，在芯片表面先旋涂一层该牺牲薄膜溶胶层，烘干后获得牺牲薄膜层，再旋涂用于图形曝光的厚型光刻胶；芯片烘干曝光后放入显影液中进行显影，显影过程中显影液同时腐蚀牺牲薄膜层，可以获得下面尺寸略大于上面曝光区域的光刻图形。采用该光刻图形，芯片薄膜制备后，剥离可以获得光洁的剥离边缘，图形边缘不会有薄膜层的多余残留物。采用本发明中的牺牲薄膜层进行光刻，特别适用于表面有深孔台面结构的芯片的选择性薄膜制备，既能保护台面结构，又能保证薄膜剥离的完整干净。
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公开(公告)号：CN102420270A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110355252.2
申请日：2011-11-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极及制备方法。本发明中的电极为一种延展电极，该电极将pn结注入区的电极延展至非注入区的复合钝化层表面。该方法采用负性光致抗蚀剂光刻后获得顶部大底部小的光刻胶台面，利用薄膜生长时光刻胶台面的图形阴影效应，在碲镉汞芯片pn结注入区周围生长一层厚度缓变的复合钝化层，然后生长一层电极，将电极延伸至远离pn结注入区位置。采用本发明中的方法制备的电极可以保证pn结注入区内的电极与复合钝化层表面电极的电学连通性达到100％，同时将用于倒焊互连的铟柱制备在电极的延伸处，远离pn结注入区位置，保证倒焊互连时的压力承受点远离pn结，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN101958332A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010234876.4
申请日：2010-07-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/101 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种光电二极管n区结构优化的离子注入n+-on-p型碲镉汞(HgCdTe)红外长波(long-wavelength)光伏探测芯片，它涉及光电探测器件技术。本发明采用光电二极管n区由通过离子注入和低能等离子体优化形成的离子注入损伤修复区和光电二极管p-n结的推进区构成的n+-on-p型HgCdTe红外长波光伏探测芯片的结构方案，有效解决了传统HgCdTe红外焦平面列阵长波光伏探测芯片电学n区存在离子注入损伤和p-n结电场位于物理损伤区，而引起的光敏感元二极管动态阻抗和探测性能下降的问题。本发明具有结构集成度高的特点。
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公开(公告)号：CN101958330A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010234857.1
申请日：2010-07-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/101 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种电极金属化共用离子注入窗口的离子注入n+-on-p型碲镉汞(HgCdTe)红外光伏探测芯片，它涉及光电探测器件技术。基于离子注入诱导损伤形成的n区面积明显大于实际离子注入窗口的面积的试验结果，本发明采用光电二极管n区的电极金属化共用离子注入窗口的离子注入n+-on-p型HgCdTe红外光伏探测芯片的结构方案，有效解决了HgCdTe红外光伏探测芯片在像元尺寸的进一步缩小时n区离子注入窗口内制备光敏元金属化电极的面积变得非常有限而引起的电极金属化技术难度加大和光敏感元n区金属化区域HgCdTe表面在红外焦平面探测器倒装互连过程中承受挤压作用力增加的问题。本发明方法具有结构工艺简化和集成度高的特点。
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公开(公告)号：CN104037101B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410259001.8
申请日：2014-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于化学机械抛光工艺的铟柱制备方法，该方法是在焦平面器件上光刻铟孔并蒸发铟膜，利用具有弱腐蚀性的化学抛光液，通过化学机械抛光工艺制备铟柱。该种方法制备的铟柱具有高度一致性好、平整度高和致密等优点，能满足大面阵焦平面器件倒装互连的要求。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101872804B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010182280.4
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面列阵器件原位集成红外微凸镜列阵工艺所需的掩模用光刻胶微凸镜列阵的成形方法，它涉及光电探测器件的制造技术。本发明采用高密度、低能量的诱导耦合等离子体(ICP)增强反应离子刻蚀(RIE)方法，仅对红外焦平面探测器表面光刻胶进行局部的等离子体轰击回流的掩模用光刻胶微凸镜列阵成形的技术方案。基于高密度、低能量氧等离子体的光刻胶微凸镜列阵成形方法，只在氧等离子体与光刻胶发生反应的局部区域产生温升回流，解决了采用常规热熔回流进行红外焦平面探测器掩模用光刻胶微凸镜成形时必须经受高温过程的缺点。因而，本发明具有操作简单、可控性好和无需经受高温过程的特点。
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公开(公告)号：CN101872803A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010182276.8
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法，它涉及光电探测器材料检测技术。本发明采用高密度、低能量的诱导耦合等离子体(ICP)增强反应离子刻蚀(RIE)的方法，来显现红外CZT衬底缺陷的技术方案，巧妙地运用了ICP增强RIE刻蚀速率的精确可控性，以及在红外CZT衬底正常区域和缺陷区域的不一致性，有效解决了常规缺陷显现方法存在去除衬底速率不可控、缺陷轮廓菱角模糊的问题。本发明方法具有工艺简单、稳定性好以及显现清晰的特点。
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公开(公告)号：CN102420270B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201110355252.2
申请日：2011-11-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极及制备方法。本发明中的电极为一种延展电极，该电极将pn结注入区的电极延展至非注入区的复合钝化层表面。该方法采用负性光致抗蚀剂光刻后获得顶部大底部小的光刻胶台面，利用薄膜生长时光刻胶台面的图形阴影效应，在碲镉汞芯片pn结注入区周围生长一层厚度缓变的复合钝化层，然后生长一层电极，将电极延伸至远离pn结注入区位置。采用本发明中的方法制备的电极可以保证pn结注入区内的电极与复合钝化层表面电极的电学连通性达到100％，同时将用于倒焊互连的铟柱制备在电极的延伸处，远离pn结注入区位置，保证倒焊互连时的压力承受点远离pn结，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN104752563A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510145256.6
申请日：2015-03-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种台面型红外探测器引出电极的结构及制备方法，在台面顶部引出电极一，在台面底部引出电极二，两电极的顶部处于一个水平高度。该结构的优点在于制备工艺简单，能够提高台面型红外探测器引出电极的可靠性。
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公开(公告)号：CN104037101A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410259001.8
申请日：2014-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: H01L24/11 , C09G1/02 , H01L31/02024 , H01L2224/11
Abstract: 本发明公开了一种基于化学机械抛光工艺的铟柱制备方法，该方法是在焦平面器件上光刻铟孔并蒸发铟膜，利用具有弱腐蚀性的化学抛光液，通过化学机械抛光工艺制备铟柱。该种方法制备的铟柱具有高度一致性好、平整度高和致密等优点，能满足大面阵焦平面器件倒装互连的要求。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。
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