-
公开(公告)号：CN119342928A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411501680.5
申请日：2024-10-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H10F71/00 , H10F30/225
Abstract: 本发明公开了一种吸收区全耗尽高温运行中波雪崩探测器结构的制备方法，该方法是采用背部高组分互扩散的碲镉汞材料，经离子注入形成n+区后推结退火形成雪崩探测器n‑倍增区，通过控制推结退火时间与温度，使倍增区集中在低组分区以获得最大增益与中波响应，而吸收区禁带宽度差异形成的内建电场耗尽吸收区厚度，实现通过减弱扩散电流形成高温运行中波雪崩探测器。
-
公开(公告)号：CN119028900A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411147816.7
申请日：2024-08-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种晶圆清洗腐蚀用夹具，属于芯片加工技术领域，包括样品槽、限位槽、晃动手柄、可移动卡扣、限位栓、固定挂钩。所述样品槽为四边形，内有一个四边形空心区域，用来防止晶圆浸入液体后产生吸力而不便取出；所述两个限位槽位于样品槽邻近两边，用来固定晶圆边缘；所述晃动手柄与样品槽相连；所述可移动卡扣所述可移动卡扣限定在晃动手柄上，施加一定推力后可上下移动，可调节位置来固定晶圆；所述限位栓固定在可移动卡扣上，用来精准固定晶圆位置；所述固定挂钩与晃动手柄相连；所述夹具由耐化学腐蚀的材料聚四氟乙烯制成。利用本发明进行晶圆清洗腐蚀，不仅能非常牢固地夹持晶圆，使其在清洗腐蚀和转移过程中均操作方便；而且尾部有挂钩设计，闲置时可将其悬挂在夹具架上，避免污染，清洗腐蚀过程中需要静置时亦可将其挂在烧杯壁。
-
公开(公告)号：CN104032304A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410258916.7
申请日：2014-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C23F1/30
Abstract: 本发明公开一种用于碲镉汞材料的腐蚀液及配制方法，该腐蚀液由溴、氢溴酸和乙二醇三种溶液组成。先按比例将氢溴酸溶液倒入乙二醇溶液中，静置5～10分钟，再按比例将溴溶液倒入氢溴酸和乙二醇的混合溶液中，待颜色稳定后，得到碲镉汞材料腐蚀液。该腐蚀液不仅可用于碲镉汞材料的表面腐蚀还可用于台面腐蚀，解决了现有技术中存在的对氢溴酸纯度要求过高和对腐蚀环境温度范围要求过于严格的问题，实现了在室温下对碲镉汞材料的可控腐蚀。
-
公开(公告)号：CN104037101B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410259001.8
申请日：2014-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于化学机械抛光工艺的铟柱制备方法，该方法是在焦平面器件上光刻铟孔并蒸发铟膜，利用具有弱腐蚀性的化学抛光液，通过化学机械抛光工艺制备铟柱。该种方法制备的铟柱具有高度一致性好、平整度高和致密等优点，能满足大面阵焦平面器件倒装互连的要求。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。
-
公开(公告)号：CN105047574A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510295755.3
申请日：2015-06-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/12
Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞探测器N区横向展宽的变间距测量方法，该方法是在已经制备ZnS阻挡层和对准标记的碲镉汞红外芯片上，通过光刻工艺，设计一系列不同间距PN结的离子注入掩膜。离子注入后再通过常规工艺制备钝化层和金属化欧姆接触，剥离并获得一系列不同间距PN结展宽的测试图形。最后，用低温冷探针系统对每对PN结进行电流电压测试，并通过结合电流电压测试结果分析和每对PN结间距判断横向展宽宽度。本发明方法操作简单，便于实现在线分析PN结结宽。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103049647A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210506895.7
申请日：2012-11-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明公开了一种统计焦平面铟柱阵列高度数据的处理方法。本发明根据焦平面器件铟柱的形状特点对由激光共聚焦显微镜获取的焦平面表面形貌数据进行数据处理，最终获得整个器件的铟柱高度数值及其统计分布。本发明包括：1，获取焦平面器件表面形貌数据矩阵，并生成对应的坐标矩阵；2，通过计算确定铟柱高度统计分析的基本高度；3，利用基本高度分离单个铟柱的高度数据矩阵；4，计算单个铟柱的高度；5，统计所有铟柱的高度。本发明的优点是：1，利用本发明可以实现铟柱高度统计的自动化，为焦平面器件的倒焊互连工艺提供依据；2，本发明提供的数据处理方法，其统计结果客观准确，排除人工选点的数据不完整性。
-
公开(公告)号：CN103022246A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210506767.2
申请日：2012-11-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞红外探测器衬底去除技术中的选择性湿法腐蚀工艺方法，该方法是在红外光敏感芯片和读出电路在冷压混成互连后，采用高选择比的无机酸腐蚀液，通过湿法腐蚀工艺，完全腐蚀衬底留下外延层，以展宽探测波段至可见光，减小衬底与读出电路间热应力失配导致的损伤，消除衬底荧光效应，从而提高探测器性能和模块的可靠性。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。
-
公开(公告)号：CN118831666A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410875186.9
申请日：2024-07-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种湿化学腐蚀用夹具，所述湿化学腐蚀用夹具包括：样品载盘、后置载盘、螺纹杆、螺纹钉、压片；其中，在所述样品载盘和后置载盘中心位置分别设置一个螺纹孔，大小与螺纹杆两端螺纹匹配，用螺纹杆将样品载盘和后置载盘连接在一起；在所述样品载盘上至少设置两个螺纹孔，所述螺纹钉穿过孔固定衬底；所述螺纹孔与螺纹钉匹配；所述样品载盘和后置载盘尺寸根据所用烧杯大小来制定，所述样品载盘进入烧杯，所述后置载盘不能进入烧杯，在样品接触腐蚀液进行腐蚀工作时整个夹具固定在烧杯上；所述每个压片均设置一个孔，孔洞尺寸与螺纹孔相同，所述螺纹钉穿过所述螺纹孔。其中，所述夹具由耐化学腐蚀的材料聚四氟乙烯制成。借助于本发明的技术方案，既可以使得整个样品表面同时接触到腐蚀液，解决使用花篮装载样品腐蚀时底部先接触腐蚀液，顶部后接触腐蚀液而导致腐蚀深度不一致的问题；又因配套使用磁力搅拌器，使得搅拌速率一致，从而避免了使用花篮装载样品腐蚀时人工搅拌速率不固定而导致的腐蚀速率差异。
-
公开(公告)号：CN103049647B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210506895.7
申请日：2012-11-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明公开了一种统计焦平面铟柱阵列高度数据的处理方法。本发明根据焦平面器件铟柱的形状特点对由激光共聚焦显微镜获取的焦平面表面形貌数据进行数据处理，最终获得整个器件的铟柱高度数值及其统计分布。本发明包括：1，获取焦平面器件表面形貌数据矩阵，并生成对应的坐标矩阵；2，通过计算确定铟柱高度统计分析的基本高度；3，利用基本高度分离单个铟柱的高度数据矩阵；4，计算单个铟柱的高度；5，统计所有铟柱的高度。本发明的优点是：1，利用本发明可以实现铟柱高度统计的自动化，为焦平面器件的倒焊互连工艺提供依据；2，本发明提供的数据处理方法，其统计结果客观准确，排除人工选点的数据不完整性。
-
公开(公告)号：CN104752244A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510145242.4
申请日：2015-03-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/81
Abstract: 本发明公开一种用于红外探测器的原位倒装回熔焊工艺方法。该工艺方法包括：对准、加压及加热三个步骤。该方法的优点在于可以根据实际需要选用铟、金等多种材料制作焊点，简化了焊点制备工艺，降低了对焊点形貌一致性的要求，同时也克服了回熔焊技术对还原性气氛和表面处理的依赖。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.024 seconds)
