公开(公告)号：CN104037101A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410259001.8

申请日：2014-06-12

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 刘丹 ,  陈昱 ,  冯婧文 ,  周松敏 ,  曹菊英 ,  林春 ,  何高胤 ,  胡晓宁

IPC: H01L21/60 ,  C09G1/02

CPC classification number: H01L24/11 ,  C09G1/02 ,  H01L31/02024 ,  H01L2224/11

Abstract: 本发明公开了一种基于化学机械抛光工艺的铟柱制备方法，该方法是在焦平面器件上光刻铟孔并蒸发铟膜，利用具有弱腐蚀性的化学抛光液，通过化学机械抛光工艺制备铟柱。该种方法制备的铟柱具有高度一致性好、平整度高和致密等优点，能满足大面阵焦平面器件倒装互连的要求。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。

公开(公告)号：CN104037101B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201410259001.8

申请日：2014-06-12

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 刘丹 ,  陈昱 ,  冯婧文 ,  周松敏 ,  曹菊英 ,  林春 ,  何高胤 ,  胡晓宁

IPC: H01L21/60 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明公开了一种基于化学机械抛光工艺的铟柱制备方法，该方法是在焦平面器件上光刻铟孔并蒸发铟膜，利用具有弱腐蚀性的化学抛光液，通过化学机械抛光工艺制备铟柱。该种方法制备的铟柱具有高度一致性好、平整度高和致密等优点，能满足大面阵焦平面器件倒装互连的要求。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。