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公开(公告)号：CN103022246A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210506767.2
申请日：2012-11-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞红外探测器衬底去除技术中的选择性湿法腐蚀工艺方法，该方法是在红外光敏感芯片和读出电路在冷压混成互连后，采用高选择比的无机酸腐蚀液，通过湿法腐蚀工艺，完全腐蚀衬底留下外延层，以展宽探测波段至可见光，减小衬底与读出电路间热应力失配导致的损伤，消除衬底荧光效应，从而提高探测器性能和模块的可靠性。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。
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公开(公告)号：CN107907812A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201710950103.8
申请日：2017-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞红外焦平面探测器的失效分析方法。先将碲镉汞红外焦平面探测器中的碲镉汞红外光敏芯片与读出电路用切割的方式进行分离，通过宝石电极基板对碲镉汞红外光敏芯片进行电流电压测试；保护不需要观测的结构，对碲镉汞红外焦平面探测器的衬底去除后露出碲镉汞表面，用配制的腐蚀液逐层腐蚀碲镉汞，观察碲镉汞结区、钝化层及倒焊等界面，与焦平面测试结果和电流电压测试结果进行对比，获取器件失效的工艺原因。采用该方法可以对成型后的碲镉汞红外焦平面探测器的性能失效进行逆向工艺分析，对碲镉汞进行逐层腐蚀逐层观测，定位失效的工艺原因，从而改进工艺，进一步提高器件的成品率。
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公开(公告)号：CN103681961A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310590939.3
申请日：2013-11-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L21/02057 , H01L21/0209 , H01L21/02096 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种红外探测器芯片的清洗方法，属红外探测器器件制造工艺技术领域。本发明采用去蜡剂取代三氯乙烯清洗芯片表面残留的蜡，在常温条件下，得到的芯片不管正面还是背面残留物几乎没有，比常规工艺清洗更加干净。基于常规工艺中，芯片表面石蜡的去除是在三氯乙烯中长时间浸泡，然后用毛笔和棉球清洗。这种方法不但浪费时间，而且清洗过程中，背面的蜡容易残留，正面毛笔的力度也不易控制，太轻容易残留蜡，太重则会损伤铟柱，没有客观的标准。本发明特提出采用去蜡剂取代三氯乙烯清洗芯片表面的石蜡，这样既节省了时间，提高了效率，又使操作简单方便，减少了人为因素对工艺过程的影响。
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公开(公告)号：CN107907812B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201710950103.8
申请日：2017-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞红外焦平面探测器的失效分析方法。先将碲镉汞红外焦平面探测器中的碲镉汞红外光敏芯片与读出电路用切割的方式进行分离，通过宝石电极基板对碲镉汞红外光敏芯片进行电流电压测试；保护不需要观测的结构，对碲镉汞红外焦平面探测器的衬底去除后露出碲镉汞表面，用配制的腐蚀液逐层腐蚀碲镉汞，观察碲镉汞结区、钝化层及倒焊等界面，与焦平面测试结果和电流电压测试结果进行对比，获取器件失效的工艺原因。采用该方法可以对成型后的碲镉汞红外焦平面探测器的性能失效进行逆向工艺分析，对碲镉汞进行逐层腐蚀逐层观测，定位失效的工艺原因，从而改进工艺，进一步提高器件的成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105651726A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201510864356.4
申请日：2015-12-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N21/3577 , G01N3/00 , G01N25/16
CPC classification number: G01N21/3577 , G01N3/00 , G01N25/16
Abstract: 本发明公开了一种用于红外焦平面器件低温底充胶固化温度的优化方法。其特征是，该方法包括以下步骤，步骤一，按特定组分对低温底充胶进行配置；步骤二，对配置的低温底充胶进行原位FTIR光谱测试，观察底充胶的成分变化，确定底充胶完全固化；步骤三，将特殊夹具固化的底充胶进行打磨、切割成固定尺寸；步骤四，利用动态热机械性能分析仪对底充胶进行常温、低温、变温下杨氏模量、低温热膨胀系数和玻璃态转变温度的测试表征；步骤五，改变固化温度重复步骤二至步骤四，分析测试结果，直至确定最优固化温度。本发明通过测试底充胶关键参数，实现了低温底充胶固化温度优化配制，为提高红外探测器可靠性提供基础。
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公开(公告)号：CN103022246B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201210506767.2
申请日：2012-11-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞红外探测器衬底去除技术中的选择性湿法腐蚀工艺方法，该方法是在红外光敏感芯片和读出电路在冷压混成互连后，采用高选择比的无机酸腐蚀液，通过湿法腐蚀工艺，完全腐蚀衬底留下外延层，以展宽探测波段至可见光，减小衬底与读出电路间热应力失配导致的损伤，消除衬底荧光效应，从而提高探测器性能和模块的可靠性。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。
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公开(公告)号：CN102969394B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210405755.0
申请日：2012-10-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于红外焦平面探测器背减薄的限位模具及制备方法。该限位模具特殊的限位设计能精确控制探测器芯片厚度的一致性和均匀性；模具主材为硬度非常大的两块白宝石片，探测器芯片背减薄磨抛条件对其几乎不起作用；根据探测器的特征尺寸将两块白宝石片利用激光进行中心开矩形孔并用Disco切割沿矩形孔对角线将其一分为二；再用特殊的DW3低温胶将两层粘结固化而成。本发明设计的限位模具原料简单易得；具备精准的厚度控制性；工艺过程可控，操作流程少；模具可重复利用，具有广泛的适用性。
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公开(公告)号：CN102969394A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210405755.0
申请日：2012-10-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于红外焦平面探测器背减薄的限位模具及制备方法。该限位模具特殊的限位设计能精确控制探测器芯片厚度的一致性和均匀性；模具主材为硬度非常大的两块白宝石片，探测器芯片背减薄磨抛条件对其几乎不起作用；根据探测器的特征尺寸将两块白宝石片利用激光进行中心开矩形孔并用Disco切割沿矩形孔对角线将其一分为二；再用特殊的DW3低温胶将两层粘结固化而成。本发明设计的限位模具原料简单易得；具备精准的厚度控制性；工艺过程可控，操作流程少；模具可重复利用，具有广泛的适用性。
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公开(公告)号：CN202888217U
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201220542719.4
申请日：2012-10-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
Abstract: 本实用新型公开了一种用于红外焦平面探测器背减薄的限位模具。该限位模具特殊的限位设计能精确控制探测器芯片厚度的一致性和均匀性；模具主材为硬度非常大的两块白宝石片，探测器芯片背减薄磨抛条件对其几乎不起作用；根据探测器的特征尺寸将两块白宝石片利用激光进行中心开矩形孔并用Disco切割沿矩形孔对角线将其一分为二；再用特殊的DW3低温胶将两层粘结固化而成。本实用新型设计的限位模具原料简单易得；具备精准的厚度控制性；工艺过程可控，操作流程少；模具可重复利用，具有广泛的适用性。
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