公开(公告)号：CN105047574B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201510295755.3

申请日：2015-06-02

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 周松敏 ,  翁彬 ,  刘丹 ,  林春 ,  徐刚毅 ,  李浩

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞探测器N区横向展宽的变间距测量方法，该方法是在已经制备ZnS阻挡层和对准标记的碲镉汞红外芯片上，通过光刻工艺，设计一系列不同间距PN结的离子注入掩膜。离子注入后再通过常规工艺制备钝化层和金属化欧姆接触，剥离并获得一系列不同间距PN结展宽的测试图形。最后，用低温冷探针系统对每对PN结进行电流电压测试，并通过结合电流电压测试结果分析和每对PN结间距判断横向展宽宽度。本发明方法操作简单，便于实现在线分析PN结结宽。

公开(公告)号：CN105047574A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510295755.3

申请日：2015-06-02

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 周松敏 ,  翁彬 ,  刘丹 ,  林春 ,  徐刚毅 ,  李浩

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/12

Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞探测器N区横向展宽的变间距测量方法，该方法是在已经制备ZnS阻挡层和对准标记的碲镉汞红外芯片上，通过光刻工艺，设计一系列不同间距PN结的离子注入掩膜。离子注入后再通过常规工艺制备钝化层和金属化欧姆接触，剥离并获得一系列不同间距PN结展宽的测试图形。最后，用低温冷探针系统对每对PN结进行电流电压测试，并通过结合电流电压测试结果分析和每对PN结间距判断横向展宽宽度。本发明方法操作简单，便于实现在线分析PN结结宽。