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公开(公告)号：CN107907812A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201710950103.8
申请日：2017-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞红外焦平面探测器的失效分析方法。先将碲镉汞红外焦平面探测器中的碲镉汞红外光敏芯片与读出电路用切割的方式进行分离，通过宝石电极基板对碲镉汞红外光敏芯片进行电流电压测试；保护不需要观测的结构，对碲镉汞红外焦平面探测器的衬底去除后露出碲镉汞表面，用配制的腐蚀液逐层腐蚀碲镉汞，观察碲镉汞结区、钝化层及倒焊等界面，与焦平面测试结果和电流电压测试结果进行对比，获取器件失效的工艺原因。采用该方法可以对成型后的碲镉汞红外焦平面探测器的性能失效进行逆向工艺分析，对碲镉汞进行逐层腐蚀逐层观测，定位失效的工艺原因，从而改进工艺，进一步提高器件的成品率。
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公开(公告)号：CN104032304A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410258916.7
申请日：2014-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C23F1/30
Abstract: 本发明公开一种用于碲镉汞材料的腐蚀液及配制方法，该腐蚀液由溴、氢溴酸和乙二醇三种溶液组成。先按比例将氢溴酸溶液倒入乙二醇溶液中，静置5～10分钟，再按比例将溴溶液倒入氢溴酸和乙二醇的混合溶液中，待颜色稳定后，得到碲镉汞材料腐蚀液。该腐蚀液不仅可用于碲镉汞材料的表面腐蚀还可用于台面腐蚀，解决了现有技术中存在的对氢溴酸纯度要求过高和对腐蚀环境温度范围要求过于严格的问题，实现了在室温下对碲镉汞材料的可控腐蚀。
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公开(公告)号：CN101958332A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010234876.4
申请日：2010-07-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/101 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种光电二极管n区结构优化的离子注入n+-on-p型碲镉汞(HgCdTe)红外长波(long-wavelength)光伏探测芯片，它涉及光电探测器件技术。本发明采用光电二极管n区由通过离子注入和低能等离子体优化形成的离子注入损伤修复区和光电二极管p-n结的推进区构成的n+-on-p型HgCdTe红外长波光伏探测芯片的结构方案，有效解决了传统HgCdTe红外焦平面列阵长波光伏探测芯片电学n区存在离子注入损伤和p-n结电场位于物理损伤区，而引起的光敏感元二极管动态阻抗和探测性能下降的问题。本发明具有结构集成度高的特点。
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公开(公告)号：CN101958330A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010234857.1
申请日：2010-07-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/101 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种电极金属化共用离子注入窗口的离子注入n+-on-p型碲镉汞(HgCdTe)红外光伏探测芯片，它涉及光电探测器件技术。基于离子注入诱导损伤形成的n区面积明显大于实际离子注入窗口的面积的试验结果，本发明采用光电二极管n区的电极金属化共用离子注入窗口的离子注入n+-on-p型HgCdTe红外光伏探测芯片的结构方案，有效解决了HgCdTe红外光伏探测芯片在像元尺寸的进一步缩小时n区离子注入窗口内制备光敏元金属化电极的面积变得非常有限而引起的电极金属化技术难度加大和光敏感元n区金属化区域HgCdTe表面在红外焦平面探测器倒装互连过程中承受挤压作用力增加的问题。本发明方法具有结构工艺简化和集成度高的特点。
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公开(公告)号：CN104037101B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410259001.8
申请日：2014-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于化学机械抛光工艺的铟柱制备方法，该方法是在焦平面器件上光刻铟孔并蒸发铟膜，利用具有弱腐蚀性的化学抛光液，通过化学机械抛光工艺制备铟柱。该种方法制备的铟柱具有高度一致性好、平整度高和致密等优点，能满足大面阵焦平面器件倒装互连的要求。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105047574A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510295755.3
申请日：2015-06-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/12
Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞探测器N区横向展宽的变间距测量方法，该方法是在已经制备ZnS阻挡层和对准标记的碲镉汞红外芯片上，通过光刻工艺，设计一系列不同间距PN结的离子注入掩膜。离子注入后再通过常规工艺制备钝化层和金属化欧姆接触，剥离并获得一系列不同间距PN结展宽的测试图形。最后，用低温冷探针系统对每对PN结进行电流电压测试，并通过结合电流电压测试结果分析和每对PN结间距判断横向展宽宽度。本发明方法操作简单，便于实现在线分析PN结结宽。
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公开(公告)号：CN104889573A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510295613.7
申请日：2015-06-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B23K26/364
Abstract: 本发明公开了一种用激光切割碲镉汞薄膜的方法，它包括以下步骤：1、利用作图软件绘制切割路径，保存图形文档。2、将样品放在激光加工平台上，调节样品位置和水平，使激光聚焦在样品表面。3、设定激光加工系统的工作参数：波长：532nm/1064nm；脉宽：10ps～20fs；输出功率：10～200mW；扫描速度：200～2000mm/s；重复频率：500～1500Hz；重复次数：10～100次。4、样品切割。使用本发明进行碲镉汞薄膜切割能够获得宽度较窄、机械损伤小、边缘光滑、内部干净的切割槽，且操作简单，提高了工艺可靠性。
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公开(公告)号：CN103022246A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210506767.2
申请日：2012-11-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞红外探测器衬底去除技术中的选择性湿法腐蚀工艺方法，该方法是在红外光敏感芯片和读出电路在冷压混成互连后，采用高选择比的无机酸腐蚀液，通过湿法腐蚀工艺，完全腐蚀衬底留下外延层，以展宽探测波段至可见光，减小衬底与读出电路间热应力失配导致的损伤，消除衬底荧光效应，从而提高探测器性能和模块的可靠性。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。
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公开(公告)号：CN101894847B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201010182364.8
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明公开了一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器，它采用在前视光场方向上原位集成红外镜面窗口的浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器的结构方案。浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器不仅具有微凸镜列阵型探测器能抑制串音和提高响应率的优点，而且还能通过将微透镜列阵与前视光场耦合界面迁移到红外镜面窗口位置，以减小受衍射极限限制的光敏元尺寸。这解决了微凸镜列阵型红外焦平面探测器受红外衍射极限严重限制的缺点。同时，折射率合适的低温环氧胶、二氧化硅和硫化锌等多种材料，都能方便地制作浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器的红外镜面窗口。因而本发明具有结构合理和可制作性好的特点。
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公开(公告)号：CN101894847A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010182364.8
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明公开了一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器，它采用在前视光场方向上原位集成红外镜面窗口的浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器的结构方案。浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器不仅具有微凸镜列阵型探测器能抑制串音和提高响应率的优点，而且还能通过将微透镜列阵与前视光场耦合界面迁移到红外镜面窗口位置，以减小受衍射极限限制的光敏元尺寸。这解决了微凸镜列阵型红外焦平面探测器受红外衍射极限严重限制的缺点。同时，折射率合适的低温环氧胶、二氧化硅和硫化锌等多种材料，都能方便地制作浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器的红外镜面窗口。因而本发明具有结构合理和可制作性好的特点。
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