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公开(公告)号：CN104532172B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410748540.8
申请日：2014-12-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C22F1/00
Abstract: 本发明公开了一种两步法消除碲锌镉材料中富碲沉淀相缺陷的热处理方法，该方法先将碲锌镉材料放置在富碲状态下进行热处理，使富碲沉淀相缺陷中过量的碲原子从样品中排出，然后再用富镉热处理对样品进行处理，使Cd原子进入液态的富碲沉淀相，利用液态的富碲沉淀相发生过饱和外延的过程减小富碲沉淀相缺陷的尺寸。常规的热处理方法在减小富碲沉淀相缺陷的尺寸，同时会在沉淀相缺陷的周边材料中产生大量的失配位错。与之相比，本发明方法中由于富碲沉淀相中的碲原子含量在富碲热处理过程中得到了控制，这一过程将不对周边材料产生应力和失配位错。两步法热处理技术能有效提高材料的质量，满足碲锌镉材料作为光电器件或衬底材料应用的需求。
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公开(公告)号：CN105908254A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610406792.1
申请日：2016-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C30B25/08
CPC classification number: C30B25/08
Abstract: 本发明公开了一种用于制备半导体材料的套管式腔体结构，套管式腔体采用多层管子相套而成的结构，内管形成的腔体为材料制备提供需要的工艺环境和条件。通过选择套管的层数，控制套管之间的间隙和各层套管的长度，并采用在套管开口处加塞等辅助手段，该工艺腔体能有效减小腔体内源材料的泄漏，改善材料制备工艺的稳定性和工艺状态的均匀性。通过对外层套管的设计，并适当选择工艺腔体各部分的温度分布，套管式工艺腔体还具有对泄漏出来的源材料进行收集的功能，减少源材料泄漏对材料制备系统的污染。本发明弥补了普通开管式材料制备工艺中源材料泄漏量大的不足，规避了闭管式材料制备工艺的高成本，特别适用于材料的批生产制备工艺。
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公开(公告)号：CN103849929B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410020944.5
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C30B19/06
Abstract: 本发明公开了一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的样品架，该样品架采用多边形结构，底部设置用于上下搅拌的托板，通过在母液中旋转和上下运动实现母液的均匀化；样品架的主体采用高纯石墨制作，表面由石英垫片和氮化硼底部托板覆盖，能有效防止石墨材料产生碎屑并沾污母液；采用石英垫片还能有效地防止母液对衬底背面的粘附。所发明的样品架用于材料生长时，样品架对衬底进行固定的机构不浸入母液，在不经过高温烘烤条件下，外延后能对衬底或外延片进行装卸，且母液在外延材料边缘残留的尺寸小，能够满足浸渍式碲镉汞液相外延材料批量化生产的需求。
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公开(公告)号：CN103882527A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410020985.4
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种减少碲镉汞液相外延材料表面粘液的生长装置。装置包括石墨支架、石墨板、石墨滑块和石墨盖板,石墨板上有衬底槽和母液收集槽，衬底和垫片叠放在衬底槽内。其特征在于：通过控制垫片与衬底的厚度，使其总厚度略小于衬底槽的深度，从而有利于母液刮除并不会划伤衬底表面；在石墨板上有一个母液收集槽，使得生长结束后，尚未冷却的液态母液可以被有效收集，不会回流到衬底表面。通过以上的改进，可以有效减少外延材料表面的残留母液。
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公开(公告)号：CN103196919A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310100303.6
申请日：2013-03-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉晶体表面沉淀物腐蚀坑的识别方法。包括晶体表面预处理、晶体表面清洗、配制腐蚀液并腐蚀晶体表面和观察识别晶体缺陷4个步骤，其特征在于：在观察识别晶体缺陷的步骤中使用常规光学显微镜对碲锌镉晶片表面的腐蚀坑进行观察，在1000倍率视场下，腐蚀坑底表面粗糙并因此在显微镜下成黑色的三角形、六边形或不规则形腐蚀坑所对应的缺陷为沉淀物，其中在50倍率视场下观察，腐蚀坑周围的材料形貌呈凹坑的孤立腐蚀坑为富碲沉淀物形成的腐蚀坑；腐蚀坑周围的材料中有大量位错腐蚀坑集聚的腐蚀坑为富镉沉淀物形成的腐蚀坑。本发明的特点在于：能直接在碲锌镉材料表面识别各种沉淀物腐蚀坑，便于研究和快速检测沉淀物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100541726C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200810033251.4
申请日：2008-01-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/302 , C23F11/04
Abstract: 本发明公开了一种用于II-VI族半导体材料位错显示的腐蚀剂，该腐蚀剂的成份配比为：H2O∶HCl∶HNO3∶HF∶K2Cr2O7∶CrO3＝80ml∶6-10ml∶10-15ml∶0-5ml∶5.1g∶2.0-7.0g。所说的II-VI族半导体材料为ZnyCd1-yTe体材料和以其为衬底外延生长的Hg1-xCdxTe薄膜材料。腐蚀方法包括：被腐蚀样品的预处理，位错腐蚀和被腐蚀样品的后处理。它相比于目前Hg1-xCdxTe薄膜材料专用位错显示的两种常用Schaake和Chen腐蚀剂具有明显优势，体现在：腐蚀坑型较大、规则、背景清晰；又可以显示衬底材料Cd1-yZnyTe的位错腐蚀坑，这对于研究外延和衬底的位错对应关系具有重要意义。
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公开(公告)号：CN101403604A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810201535.X
申请日：2008-10-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01B11/06 , G01N21/17 , G01N23/205
Abstract: 本发明公开了一种外延薄膜表面保护测试技术，它可以在外延生长结束后，对外延薄膜进行涂覆保护，涂覆层起到杂质粘污阻挡层的作用，并且，在带有涂覆层的情况下，可以提取外延材料组分、厚度、x光貌相参数。其特征是：外延薄膜表面采用光刻胶保护，参考衬底表面涂覆的光刻胶厚度与外延层表面保护用的光刻胶厚度相同，透射光谱测试时以参考衬底的透射光谱作为背景，通过迭代法从不规则的透射光谱中提取外延层的厚度和组分参数。本发明的优点是，完全避免了测试过程中的环境和测试设备对外延层的沾污，简化了后续的清洗工艺，提高了薄膜材料的成品率。
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公开(公告)号：CN101109105A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710045151.9
申请日：2007-08-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于改善碲镉汞液相外延薄膜表面形貌的石墨舟，该石墨舟的特征是将原置于母液槽的前方或后方的汞源槽改为置于母液槽的正上方，两槽之间有通道相通，汞源槽产生的汞蒸气通过通道从母液槽的顶面向母液补充汞，使得汞源槽产生的汞蒸气对母液的补充更为均匀，从而母液上方的压力更为均匀，同时母液槽前后方的结构相似，促使母液槽周围的温场更为均匀。本发明的优点是：可以最大程度上消除压力和温场的不均匀，减缓母液对流，从而降低外延材料表面的波纹。
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公开(公告)号：CN1354287A
公开(公告)日：2002-06-19
申请号：CN01131924.0
申请日：2001-10-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C30B33/02 , H01L21/324 , H01L21/477 , H01L31/00 , H01L31/072
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种开管式HgTe源碲镉汞外延材料热处理方法,热处理所需的稳定的汞蒸气压采用石墨盒的结构来提供,石墨盒也可通过改进液相外延的石墨舟来实现,开管工艺为材料的批量生产化提供了一种途径。用该工艺进行空穴导电型热处理的成功率达100%,材料在77K温度下的空穴浓度可在5×1015到5×1016cm－3范围内随意控制。同时,热处理过程中材料表面的位错不产生增值效应,材料的组分和表面形貌的完整性也得到了很好的保持。
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公开(公告)号：CN103849930B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201410020951.5
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的温度控制装置及方法。通过在生长腔体和坩埚之间增加温度检测点，对坩埚内母液温度的变化趋势进行提前预测，并通过对控温点温度参数的调整，实现外延温度的精确控制。该装置及方法能有效防止生长系统内管壁汞珠分布的变化和非稳定的汞回流效应对外延工艺中外延温度变化过程的干扰，有效提高浸渍式碲镉汞液相外延工艺的可重复性。
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