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公开(公告)号：CN104599958B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201510028928.5
申请日：2015-01-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/266
Abstract: 本发明公开了一种用于高能离子注入的复合掩膜的制备方法。本发明的掩膜为一种具有三层结构的复合光致抗蚀剂掩膜，该掩膜将光致抗蚀剂掩膜图形制作在注入阻挡层介质膜与表层牺牲介质膜之间，用作高能离子注入掩膜。其制备方法采用正性光致抗蚀剂经光刻在注入阻挡层介质膜表面形成掩膜图形，再利用正负倾角薄膜蒸发工艺在注入区、光致抗蚀剂掩膜侧壁及顶端生长牺牲介质膜，用于高能离子注入。本发明的复合掩膜可避免光致抗蚀剂掩膜在高能离子轰击下的皲裂变性问题，且掩膜去除无残留，保证芯片表面洁净度，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN105242503A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510607514.8
申请日：2015-09-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种多芯片边胶去除方法，去除装置有一个对芯片边胶进行选择性曝光的光刻掩膜版和一个用于承载并定位芯片的样品吸盘，样品吸盘上的十字凸台既可以用作定位芯片，也可以用作光刻的对版标记；样品吸盘中部开有孔槽，可配合光刻机吸盘固定芯片。光刻掩膜版上十字型图形内部有与十字凸台相对应的对准标记。将待去边胶的方形芯片放置在中央有十字定位凸台的样品吸盘上，用带有对准标记和十字掩膜图形的光刻掩膜版对芯片进行两步曝光，经过显影及定影后，去除掉芯片的边胶。该方法提高了方形芯片边胶去除效率，从而减小了后续光刻工艺的极限尺寸和套准难度。
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公开(公告)号：CN107622940A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710776706.0
申请日：2017-09-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Inventor： 施长治
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明公开了一种易去胶的高能离子注入多层掩膜的制备方法。所述的多层掩膜为一种具有翼缘式横截面的光致抗蚀剂多层掩膜。该掩膜的制作工艺在注入阻挡层上制备一层牺牲过渡层介质膜，然后在该过渡介质膜上制作图形化的光致抗蚀剂掩膜。采用湿法腐蚀或湿法腐蚀辅助的等离子体干法刻蚀，以光致抗蚀剂图形为掩膜，腐蚀牺牲过渡层，通过控制腐蚀速率和时间，使牺牲过渡层图形边缘相对于光致抗蚀剂掩膜缩进固定宽度，制备出具有翼缘式侧壁结构的三层复合掩膜。本发明的复合掩膜可以避免高能离子轰击下光致抗蚀剂掩膜边缘变性所导致的去胶困难，常规的去胶液浸泡即可完全去除光致抗蚀剂掩膜，避免了擦拭芯片表面带来的机械损伤，提高了芯片的表面质量。
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公开(公告)号：CN104752285B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510145208.7
申请日：2015-03-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/673 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种用于芯片高温退火的插板式石英舟。本发明中的石英舟为一种具有活动斜槽叶片的插板式石英舟结构，该结构分为底板插座和带斜槽的活动叶片，底板插座四角有支撑脚，每对叶片的斜槽与竖直方向呈43°‑47°倾角，斜槽壁间夹角约50°～70°，叶片通过底端方棱形叶柄插在具有方孔阵列的底板插座上，芯片竖直斜放于叶片斜槽中。本发明的石英舟通过调节斜槽的水平间距可同时承载不同尺寸的芯片；采用竖直装片方式及斜槽结构，可避免固体尘粒及蒸汽液化产生的液滴对芯片表面的污染和侵蚀；叶片间留有距离保证芯片间良好的气体流动性，提高退火工艺一致性；底座支撑脚减少舟体与炉体的热交换，抑制温度梯度过大造成的蒸汽冷凝成液滴侵蚀芯片表面的现象。
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公开(公告)号：CN105242503B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201510607514.8
申请日：2015-09-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种多芯片边胶去除方法，去除装置有一个对芯片边胶进行选择性曝光的光刻掩膜版和一个用于承载并定位芯片的样品吸盘，样品吸盘上的十字凸台既可以用作定位芯片，也可以用作光刻的对版标记；样品吸盘中部开有孔槽，可配合光刻机吸盘固定芯片。光刻掩膜版上十字型图形内部有与十字凸台相对应的对准标记。将待去边胶的方形芯片放置在中央有十字定位凸台的样品吸盘上，用带有对准标记和十字掩膜图形的光刻掩膜版对芯片进行两步曝光，经过显影及定影后，去除掉芯片的边胶。该方法提高了方形芯片边胶去除效率，从而减小了后续光刻工艺的极限尺寸和套准难度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104867837A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510295752.X
申请日：2015-06-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/426 , H01L21/36 , H01L21/027 , H01L21/475 , H01L21/471
CPC classification number: H01L21/426 , H01L21/0226 , H01L21/0332
Abstract: 本发明公开了一种用于高能离子注入的复合掩膜。本发明中的掩膜为一种具有三层结构的复合光致抗蚀剂掩膜，该掩膜将光致抗蚀剂掩膜图形制作在注入阻挡层介质膜与表层牺牲介质膜之间，用作高能离子注入掩膜。本发明的复合掩膜可避免光致抗蚀剂掩膜在高能离子轰击下的皲裂变性问题，且掩膜去除无残留，保证芯片表面洁净度，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN104752285A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510145208.7
申请日：2015-03-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/673 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6732 , H01L21/683 , H01L21/68785
Abstract: 本发明公开了一种用于芯片高温退火的插板式石英舟。本发明中的石英舟为一种具有活动斜槽叶片的插板式石英舟结构，该结构分为底板插座和带斜槽的活动叶片，底板插座四角有支撑脚，每对叶片的斜槽与竖直方向呈43°-47°倾角，斜槽壁间夹角约50°～70°，叶片通过底端方棱形叶柄插在具有方孔阵列的底板插座上，芯片竖直斜放于叶片斜槽中。本发明的石英舟通过调节斜槽的水平间距可同时承载不同尺寸的芯片；采用竖直装片方式及斜槽结构，可避免固体尘粒及蒸汽液化产生的液滴对芯片表面的污染和侵蚀；叶片间留有距离保证芯片间良好的气体流动性，提高退火工艺一致性；底座支撑脚减少舟体与炉体的热交换，抑制温度梯度过大造成的蒸汽冷凝成液滴侵蚀芯片表面的现象。
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公开(公告)号：CN104616974A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510029323.8
申请日：2015-01-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , G03F7/42 , G03F7/20
CPC classification number: H01L21/02082 , G03F7/20 , G03F7/42 , G03F7/422 , H01L21/0272 , H01L21/0273 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种用于高能离子注入的复合掩膜的去除方法。本发明中的掩膜为一种具有三层结构的复合光致抗蚀剂掩膜，该掩膜将光致抗蚀剂掩膜图形制作在注入阻挡层介质膜与表层牺牲介质膜之间，用作高能离子注入掩膜。去除复合掩膜的两种介质膜刻蚀剂不同，去除掩膜时，依次去除牺牲介质膜、光致抗蚀剂掩膜及阻挡层介质膜。本发明的复合掩膜可避免光致抗蚀剂掩膜在高能离子轰击下的皲裂变性问题，且掩膜去除无残留，保证芯片表面洁净度，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN105137727B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN201510607502.5
申请日：2015-09-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种多芯片边胶去除装置，去除装置有一个对芯片边胶进行选择性曝光的光刻掩膜版和一个用于承载并定位芯片的样品吸盘，样品吸盘上的十字凸台既可以用作定位芯片，也可以用作光刻的对版标记；样品吸盘中部开有孔槽，可配合光刻机吸盘固定芯片。光刻掩膜版上十字型图形内部有与十字凸台相对应的对准标记。将待去边胶的方形芯片放置在中央有十字定位凸台的样品吸盘上，用带有对准标记和十字掩膜图形的光刻掩膜版对芯片进行两步曝光，经过显影及定影后，去除掉芯片的边胶。该方法提高了方形芯片边胶去除效率，从而减小了后续光刻工艺的极限尺寸和套准难度。
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公开(公告)号：CN107622940B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201710776706.0
申请日：2017-09-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Inventor： 施长治
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明公开了一种易去胶的高能离子注入多层掩膜的制备方法。所述的多层掩膜为一种具有翼缘式横截面的光致抗蚀剂多层掩膜。该掩膜的制作工艺在注入阻挡层上制备一层牺牲过渡层介质膜，然后在该过渡介质膜上制作图形化的光致抗蚀剂掩膜。采用湿法腐蚀或湿法腐蚀辅助的等离子体干法刻蚀，以光致抗蚀剂图形为掩膜，腐蚀牺牲过渡层，通过控制腐蚀速率和时间，使牺牲过渡层图形边缘相对于光致抗蚀剂掩膜缩进固定宽度，制备出具有翼缘式侧壁结构的三层复合掩膜。本发明的复合掩膜可以避免高能离子轰击下光致抗蚀剂掩膜边缘变性所导致的去胶困难，常规的去胶液浸泡即可完全去除光致抗蚀剂掩膜，避免了擦拭芯片表面带来的机械损伤，提高了芯片的表面质量。
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