公开(公告)号：CN114388425A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111191054.7

申请日：2021-10-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木信峰 ,  松浦伸 ,  朴景民 ,  赤间俊纪

IPC: H01L21/687 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种载置台和基片处理装置，即使在贯通孔中发生偏移也能移动销并缩小与贯通孔中的销之间的间隙。载置台包括：基座；形成有贯穿载置所支承的对象物的第1面和作为该第1面的背面的第2面的第1贯通孔。支承部；按照与基座的第2面侧重叠的方式配置，形成有贯穿与第2面接触的第3面和作为该第3面的背面的第4面，并与第1贯通孔连通的第2贯通孔。第1销部件；容纳在第1贯通孔中，能在第1贯通孔的轴向移动。第2销部件；容纳在第2贯通孔中，能沿轴向移动，第3面侧的端部以能滑动的状态与第1销部件接触。对于第1贯通孔和第2贯通孔中的至少一个，第1贯通孔在第2面一侧比第1面一侧大，第2贯通孔在第3面一侧比第4面一侧大。

公开(公告)号：CN119013770A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202380031926.4

申请日：2023-08-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 荒卷昂 ,  李黎夫 ,  佐佐木信峰 ,  赤间俊纪 ,  加藤秀征 ,  朴景民 ,  清水涉 ,  小板桥岭太

IPC: H01L21/3065 ,  B65G49/07 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种基片处理系统，其包括等离子体处理装置、与等离子体处理装置连接的减压输送装置、和控制装置，等离子体处理装置包括：能够被减压的处理容器；设置在处理容器内的基片支承台，其包括基片载置面、能够以边缘环包围基片的方式载置边缘环的环载置面、和将边缘环静电吸附在环载置面上的静电卡盘，基片支承台与供给偏置用的脉冲状的直流电压的电源连接；使边缘环升降的升降机构；和在处理容器内生成等离子体的等离子体生成部，减压输送装置具有输送边缘环的输送机器人，控制装置能够控制：利用升降机构，使由输送机器人输送到处理容器内并交接到升降机构的边缘环下降而将其载置在环载置面上的载置步骤；将已被载置的边缘环静电吸附在环载置面上的步骤；和在对产品基片进行等离子体处理之前，在处理容器内生成等离子体，使边缘环在静电卡盘上的静电吸附稳定化的稳定化步骤，稳定化步骤包括对基片支承台施加偏置用的脉冲状的直流电压的施加步骤，施加步骤包括：施加第一偏置电压的第一步骤；和在第一步骤后，施加比第一偏置电压高的第二偏置电压的第二步骤。

公开(公告)号：CN119325646A

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202380044131.7

申请日：2023-09-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 赤间俊纪 ,  加藤秀征 ,  朴景民 ,  佐佐木信峰 ,  荒卷昂 ,  李黎夫

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明的基片处理系统包括等离子体处理装置、与上述等离子体处理装置连接的减压输送装置、和控制装置，上述等离子体处理装置包括：构成为能够减压的处理容器；和基片支承台，其设置在上述处理容器内，包括基片载置面、以包围上述基片载置面的方式载置边缘环的环载置面、和在上述环载置面静电吸附上述边缘环的静电吸盘；使上述边缘环相对于上述环载置面升降的升降机构；对上述边缘环的背面与上述环载置面之间供给气体的供给路径；和与上述供给路径连接的压力传感器，上述减压输送装置具有输送上述边缘环的输送机器人，上述控制装置控制：利用上述升降机构使由上述输送机器人输送到上述处理容器内并被交接到上述升降机构的上述边缘环下降而载置到上述环载置面的步骤；将所载置的上述边缘环静电吸附于上述环载置面的步骤；在上述静电吸附的步骤后，向上述供给路径供给上述气体以使得将上述供给路径的压力被保持得比上述处理容器内的压力高的步骤；测量上述供给路径的压力的步骤；和基于测量出的压力，来判断上述边缘环在上述环载置面的载置状态的步骤。