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公开(公告)号：CN111095497A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201980004435.4
申请日：2019-06-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 永岩利文
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
Abstract: 一个实施方式所涉及的等离子体处理装置具备腔室、基板支承台、高频电源以及控制部。基板支承台设置于腔室内，包括下部电极。高频电源向下部电极供给偏置高频电力。在基板支承台上以包围基板的方式搭载有聚焦环。控制部使用偏置高频电力的电力水平与通过向下部电极供给偏置高频电力而产生的聚焦环的直流电位之间的关系、来确定与聚焦环的直流电位的指定值对应的偏置高频电力的电力水平。控制部控制高频电源，以向下部电极供给具有确定出的电力水平的偏置高频电力。
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公开(公告)号：CN101651078A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910165205.4
申请日：2009-08-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32642
Abstract: 本发明提供与现有技术相比能够延长聚焦环的寿命、提高等离子体处理装置的运转率并降低运行成本的聚焦环、等离子体处理装置和等离子体处理方法。聚焦环(15)的内周部(15a)的上表面被配置为与半导体晶片(W)的周边部的下表面相对，该聚焦环(15)的内周部(15a)的上表面和半导体晶片(W)的周边部下表面的距离(a)，在开始将聚焦环(15)使用于等离子体处理的时刻，即，在开始使用新的聚焦环(15)的时刻，构成为0.4mm以上。
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公开(公告)号：CN102723305A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210082484.X
申请日：2012-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/3105 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/3105 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02337 , H01L21/67109 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76831
Abstract: 本发明提供一种在进行低介电常数膜的损伤恢复处理时，能够维持较低相对介电常数和泄漏电流值，同时能够除去内部水分的处理方法。在对形成于被处理基板的、表面部分有损伤层的低介电常数膜实施恢复处理时，使第一处理气体和第二处理气体作用于低介电常数膜的损伤层，其中，上述第一处理气体，其分子小到能够渗透到低介电常数膜的损伤层的内部的程度，并且能够除去损伤层内的水分，上述第二处理气体，在损伤层的表面形成疏水性的致密的改性层。
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公开(公告)号：CN101651078B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910165205.4
申请日：2009-08-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32642
Abstract: 本发明提供与现有技术相比能够延长聚焦环的寿命、提高等离子体处理装置的运转率并降低运行成本的聚焦环、等离子体处理装置和等离子体处理方法。聚焦环(15)的内周部(15a)的上表面被配置为与半导体晶片(W)的周边部的下表面相对，该聚焦环(15)的内周部(15a)的上表面和半导体晶片(W)的周边部下表面的距离(a)，在开始将聚焦环(15)使用于等离子体处理的时刻，即，在开始使用新的聚焦环(15)的时刻，构成为0.4mm以上。
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公开(公告)号：CN111146081B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN201911071001.4
申请日：2019-11-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/67 , H01J37/02 , H01J37/248 , H01J37/305
Abstract: 本发明提供被处理体的处理方法和等离子体处理装置。所述被处理体的处理方法使用等离子体处理装置对被处理体进行处理，所述等离子体处理装置具备：处理容器；载置台，其在处理容器内载置被处理体；外周构件，其配置于载置台的周围；以及第一电压施加装置，其向外周构件施加电压，所述被处理体的处理方法包括以下工序：准备被处理体，被处理体具有被蚀刻膜和形成在被蚀刻膜上的图案化的掩模；以及对掩模进行处理，其中，对掩模进行处理的工序包括以下工序：将包含第一稀有气体的第一处理气体供给至处理容器的工序；以及第一等离子体处理工序，一边向外周构件施加直流电压，一边利用第一处理气体的等离子体对位于被处理体的外周部的掩模进行处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111095497B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201980004435.4
申请日：2019-06-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 永岩利文
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
Abstract: 一个实施方式所涉及的等离子体处理装置具备腔室、基板支承台、高频电源以及控制部。基板支承台设置于腔室内，包括下部电极。高频电源向下部电极供给偏置高频电力。在基板支承台上以包围基板的方式搭载有聚焦环。控制部使用偏置高频电力的电力水平与通过向下部电极供给偏置高频电力而产生的聚焦环的直流电位之间的关系、来确定与聚焦环的直流电位的指定值对应的偏置高频电力的电力水平。控制部控制高频电源，以向下部电极供给具有确定出的电力水平的偏置高频电力。
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公开(公告)号：CN111095502B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201980004531.9
申请日：2019-06-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 永岩利文
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
Abstract: 在例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置中，在腔室内设置有基板支承台和聚焦环。聚焦环在基板支承台上包围基板。聚焦环具有第一区域和第二区域。第一区域包括聚焦环的内侧上表面。第二区域包括聚焦环的外侧上表面。内侧上表面延伸至比外侧上表面更靠近聚焦环的中心轴线的位置。聚焦环构成为：在腔室内生成等离子体期间，使第一区域的负极性的直流偏置电位的绝对值比第二区域的直流电位的绝对值高。
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公开(公告)号：CN111146081A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911071001.4
申请日：2019-11-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/67 , H01J37/02 , H01J37/248 , H01J37/305
Abstract: 本发明提供被处理体的处理方法和等离子体处理装置。所述被处理体的处理方法使用等离子体处理装置对被处理体进行处理，所述等离子体处理装置具备：处理容器；载置台，其在处理容器内载置被处理体；外周构件，其配置于载置台的周围；以及第一电压施加装置，其向外周构件施加电压，所述被处理体的处理方法包括以下工序：准备被处理体，被处理体具有被蚀刻膜和形成在被蚀刻膜上的图案化的掩模；以及对掩模进行处理，其中，对掩模进行处理的工序包括以下工序：将包含第一稀有气体的第一处理气体供给至处理容器的工序；以及第一等离子体处理工序，一边向外周构件施加直流电压，一边利用第一处理气体的等离子体对位于被处理体的外周部的掩模进行处理。
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公开(公告)号：CN111095502A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201980004531.9
申请日：2019-06-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 永岩利文
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
Abstract: 在例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置中，在腔室内设置有基板支承台和聚焦环。聚焦环在基板支承台上包围基板。聚焦环具有第一区域和第二区域。第一区域包括聚焦环的内侧上表面。第二区域包括聚焦环的外侧上表面。内侧上表面延伸至比外侧上表面更靠近聚焦环的中心轴线的位置。聚焦环构成为：在腔室内生成等离子体期间，使第一区域的负极性的直流偏置电位的绝对值比第二区域的直流电位的绝对值高。
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公开(公告)号：CN102723305B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210082484.X
申请日：2012-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/3105 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/3105 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02337 , H01L21/67109 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76831
Abstract: 本发明提供一种在进行低介电常数膜的损伤恢复处理时，能够维持较低相对介电常数和泄漏电流值，同时能够除去内部水分的处理方法。在对形成于被处理基板的、表面部分有损伤层的低介电常数膜实施恢复处理时，使第一处理气体和第二处理气体作用于低介电常数膜的损伤层，其中，上述第一处理气体，其分子小到能够渗透到低介电常数膜的损伤层的内部的程度，并且能够除去损伤层内的水分，上述第二处理气体，在损伤层的表面形成疏水性的致密的改性层。
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