公开(公告)号：CN102723305A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201210082484.X

申请日：2012-03-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 清水涉 ,  前田清司 ,  永岩利文

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/3105 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831

Abstract: 本发明提供一种在进行低介电常数膜的损伤恢复处理时，能够维持较低相对介电常数和泄漏电流值，同时能够除去内部水分的处理方法。在对形成于被处理基板的、表面部分有损伤层的低介电常数膜实施恢复处理时，使第一处理气体和第二处理气体作用于低介电常数膜的损伤层，其中，上述第一处理气体，其分子小到能够渗透到低介电常数膜的损伤层的内部的程度，并且能够除去损伤层内的水分，上述第二处理气体，在损伤层的表面形成疏水性的致密的改性层。

公开(公告)号：CN116420430A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202180069770.X

申请日：2021-10-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井口敦智 ,  斋藤泰彦 ,  前田清司

IPC: H05H1/46

Abstract: 基板处理方法是基板处理装置中的基板处理方法，包括以下工序：工序a)，向配置有载置台的处理容器供给特定条件的工艺气体，该载置用于载置具有被蚀刻膜和以及被蚀刻膜上的掩模的被处理体；工序b)，通过在第一等离子体生成条件下生成的工艺气体的第一等离子体来对被处理体进行等离子体处理；工序c)，通过在第二等离子体生成条件下生成的工艺气体的第二等离子体来对被处理体进行等离子体处理，该第二等离子体生成条件是与第一等离子体生成条件中的高频电力的条件及处理时间不同而其它条件相同的等离子体生成条件；以及工序d)，重复进行工序b)和工序c)。

公开(公告)号：CN102723305B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210082484.X

申请日：2012-03-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 清水涉 ,  前田清司 ,  永岩利文

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/3105 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831

Abstract: 本发明提供一种在进行低介电常数膜的损伤恢复处理时，能够维持较低相对介电常数和泄漏电流值，同时能够除去内部水分的处理方法。在对形成于被处理基板的、表面部分有损伤层的低介电常数膜实施恢复处理时，使第一处理气体和第二处理气体作用于低介电常数膜的损伤层，其中，上述第一处理气体，其分子小到能够渗透到低介电常数膜的损伤层的内部的程度，并且能够除去损伤层内的水分，上述第二处理气体，在损伤层的表面形成疏水性的致密的改性层。