公开(公告)号：CN119678244A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202380058464.5

申请日：2023-08-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 荒卷昂 ,  四本松康太 ,  李黎夫 ,  辻本宏

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供在等离子体处理中能够控制基片的边缘部分处的离子的入射角，并且能够抑制在控制了离子入射角时等离子体处理结果发生变动的技术。等离子体处理装置包括：腔室；配置于腔室内的基片支承部，基片支承部具有导电性基座、静电吸盘、边缘环、基片偏置电极和边缘环偏置电极，边缘环偏置电极在俯视时延伸至基片支承面的边缘部分，具有与基片偏置电极局部重叠的环状重叠部分，环状重叠部分具有9mm～11mm的径向的宽度；上部电极；RF生成器；第一电压脉冲生成器，其与基片偏置电极电连接，构成为能够生成第一电压脉冲的序列；和第二电压脉冲生成器，其与边缘环偏置电极电连接，构成为能够生成第二电压脉冲的序列。

公开(公告)号：CN119301743A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202380043422.4

申请日：2023-10-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 荒卷昂 ,  李黎夫

IPC: H01L21/3065

Abstract: 基板处理装置具备处理容器、载物台、边缘环、升降机、以及控制部。载物台具有第一载置面和第二载置面。边缘环载置于第二载置面。升降机使边缘环相对于第二载置面升降。控制部在工序a)中，对载置于第一载置面的基板实施等离子体处理。另外，控制部在工序b)中，每当对第一数量的基板执行工序a)时，通过控制升降机使边缘环从第二载置面分离，执行处理容器内的第一清洁。另外，控制部在工序c)中，在进行边缘环的更换前，通过控制升降机使边缘环从第二载置面分离，执行处理容器内的第二清洁。

公开(公告)号：CN119013770A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202380031926.4

申请日：2023-08-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 荒卷昂 ,  李黎夫 ,  佐佐木信峰 ,  赤间俊纪 ,  加藤秀征 ,  朴景民 ,  清水涉 ,  小板桥岭太

IPC: H01L21/3065 ,  B65G49/07 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种基片处理系统，其包括等离子体处理装置、与等离子体处理装置连接的减压输送装置、和控制装置，等离子体处理装置包括：能够被减压的处理容器；设置在处理容器内的基片支承台，其包括基片载置面、能够以边缘环包围基片的方式载置边缘环的环载置面、和将边缘环静电吸附在环载置面上的静电卡盘，基片支承台与供给偏置用的脉冲状的直流电压的电源连接；使边缘环升降的升降机构；和在处理容器内生成等离子体的等离子体生成部，减压输送装置具有输送边缘环的输送机器人，控制装置能够控制：利用升降机构，使由输送机器人输送到处理容器内并交接到升降机构的边缘环下降而将其载置在环载置面上的载置步骤；将已被载置的边缘环静电吸附在环载置面上的步骤；和在对产品基片进行等离子体处理之前，在处理容器内生成等离子体，使边缘环在静电卡盘上的静电吸附稳定化的稳定化步骤，稳定化步骤包括对基片支承台施加偏置用的脉冲状的直流电压的施加步骤，施加步骤包括：施加第一偏置电压的第一步骤；和在第一步骤后，施加比第一偏置电压高的第二偏置电压的第二步骤。

公开(公告)号：CN116344309A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211594618.6

申请日：2022-12-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 四本松康太 ,  荒卷昂 ,  李黎夫

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供控制等离子体处理的面内均匀性的等离子体处理装置和气体供给方法。本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：等离子体处理室，其具有构成为能够支承基片的基片支承部；具有多个气体导入部的喷淋头，其中，上述多个气体导入部构成为能够分别向上述等离子体处理室内的各区域导入气体；气体供给部，其构成为能够向多个上述气体导入部供给气体；等离子体生成部，其构成为能够生成上述气体的等离子体；和控制部，其构成为能够至少控制上述气体供给部，上述气体供给部包括：气体单元，其构成为能够向多个上述气体导入部供给共用气体；和注入单元，其构成为能够向多个上述气体导入部中的所选择的上述气体导入部供给注入气体，上述控制部控制上述注入单元，以使得将2种以上的上述注入气体供给到2个不同的上述气体导入部。

公开(公告)号：CN119325646A

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202380044131.7

申请日：2023-09-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 赤间俊纪 ,  加藤秀征 ,  朴景民 ,  佐佐木信峰 ,  荒卷昂 ,  李黎夫

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明的基片处理系统包括等离子体处理装置、与上述等离子体处理装置连接的减压输送装置、和控制装置，上述等离子体处理装置包括：构成为能够减压的处理容器；和基片支承台，其设置在上述处理容器内，包括基片载置面、以包围上述基片载置面的方式载置边缘环的环载置面、和在上述环载置面静电吸附上述边缘环的静电吸盘；使上述边缘环相对于上述环载置面升降的升降机构；对上述边缘环的背面与上述环载置面之间供给气体的供给路径；和与上述供给路径连接的压力传感器，上述减压输送装置具有输送上述边缘环的输送机器人，上述控制装置控制：利用上述升降机构使由上述输送机器人输送到上述处理容器内并被交接到上述升降机构的上述边缘环下降而载置到上述环载置面的步骤；将所载置的上述边缘环静电吸附于上述环载置面的步骤；在上述静电吸附的步骤后，向上述供给路径供给上述气体以使得将上述供给路径的压力被保持得比上述处理容器内的压力高的步骤；测量上述供给路径的压力的步骤；和基于测量出的压力，来判断上述边缘环在上述环载置面的载置状态的步骤。

公开(公告)号：CN115116815A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210223405.6

申请日：2022-03-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 荒卷昂 ,  辻本宏 ,  李黎夫 ,  桑原有生 ,  阿部凉也

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其能够降低因基片周围的部件的随时间变化而导致的对处理的影响。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；构成为能够在上述等离子体处理腔室内生成等离子体的等离子体生成部；配置在上述等离子体处理腔室内的基片支承部；以包围上述基片支承部上的基片的方式配置的第一导电性环；以包围上述第一导电性环的方式配置的绝缘环；和以包围上述绝缘环的方式配置并与接地电位连接的第二导电性环。

公开(公告)号：CN114496705A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111299671.9

申请日：2021-11-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 李黎夫 ,  仓本纯弥 ,  荒卷昂 ,  辻本宏

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种能够提高基板处理的控制性的基板处理装置以及基板处理方法。该基板处理装置包括:处理容器,其具有用于支承基板的基板支承台；气体供给部,其用于向上述处理容器供给多种处理气体；等离子体生成部,其用于生成上述处理气体的等离子体；以及控制部,上述气体供给部具有:第一气体供给部,其用于将第一处理气体供给至上述处理容器；以及第二气体供给部,其用于将第二处理气体注入向上述处理容器供给的上述第一处理气体。