载置台和基片处理装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114388425A

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202111191054.7

    申请日:2021-10-13

    Abstract: 本发明提供一种载置台和基片处理装置,即使在贯通孔中发生偏移也能移动销并缩小与贯通孔中的销之间的间隙。载置台包括:基座;形成有贯穿载置所支承的对象物的第1面和作为该第1面的背面的第2面的第1贯通孔。支承部;按照与基座的第2面侧重叠的方式配置,形成有贯穿与第2面接触的第3面和作为该第3面的背面的第4面,并与第1贯通孔连通的第2贯通孔。第1销部件;容纳在第1贯通孔中,能在第1贯通孔的轴向移动。第2销部件;容纳在第2贯通孔中,能沿轴向移动,第3面侧的端部以能滑动的状态与第1销部件接触。对于第1贯通孔和第2贯通孔中的至少一个,第1贯通孔在第2面一侧比第1面一侧大,第2贯通孔在第3面一侧比第4面一侧大。

    基片处理系统
    2.
    发明公开
    基片处理系统 审中-实审

    公开(公告)号:CN119325646A

    公开(公告)日:2025-01-17

    申请号:CN202380044131.7

    申请日:2023-09-26

    Abstract: 本发明的基片处理系统包括等离子体处理装置、与上述等离子体处理装置连接的减压输送装置、和控制装置,上述等离子体处理装置包括:构成为能够减压的处理容器;和基片支承台,其设置在上述处理容器内,包括基片载置面、以包围上述基片载置面的方式载置边缘环的环载置面、和在上述环载置面静电吸附上述边缘环的静电吸盘;使上述边缘环相对于上述环载置面升降的升降机构;对上述边缘环的背面与上述环载置面之间供给气体的供给路径;和与上述供给路径连接的压力传感器,上述减压输送装置具有输送上述边缘环的输送机器人,上述控制装置控制:利用上述升降机构使由上述输送机器人输送到上述处理容器内并被交接到上述升降机构的上述边缘环下降而载置到上述环载置面的步骤;将所载置的上述边缘环静电吸附于上述环载置面的步骤;在上述静电吸附的步骤后,向上述供给路径供给上述气体以使得将上述供给路径的压力被保持得比上述处理容器内的压力高的步骤;测量上述供给路径的压力的步骤;和基于测量出的压力,来判断上述边缘环在上述环载置面的载置状态的步骤。

    基片处理系统和边缘环的安装方法

    公开(公告)号:CN119013770A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202380031926.4

    申请日:2023-08-24

    Abstract: 本发明提供一种基片处理系统,其包括等离子体处理装置、与等离子体处理装置连接的减压输送装置、和控制装置,等离子体处理装置包括:能够被减压的处理容器;设置在处理容器内的基片支承台,其包括基片载置面、能够以边缘环包围基片的方式载置边缘环的环载置面、和将边缘环静电吸附在环载置面上的静电卡盘,基片支承台与供给偏置用的脉冲状的直流电压的电源连接;使边缘环升降的升降机构;和在处理容器内生成等离子体的等离子体生成部,减压输送装置具有输送边缘环的输送机器人,控制装置能够控制:利用升降机构,使由输送机器人输送到处理容器内并交接到升降机构的边缘环下降而将其载置在环载置面上的载置步骤;将已被载置的边缘环静电吸附在环载置面上的步骤;和在对产品基片进行等离子体处理之前,在处理容器内生成等离子体,使边缘环在静电卡盘上的静电吸附稳定化的稳定化步骤,稳定化步骤包括对基片支承台施加偏置用的脉冲状的直流电压的施加步骤,施加步骤包括:施加第一偏置电压的第一步骤;和在第一步骤后,施加比第一偏置电压高的第二偏置电压的第二步骤。

    基片支承座、等离子体处理装置和环的更换方法

    公开(公告)号:CN116246996A

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN202211562655.9

    申请日:2022-12-07

    Abstract: 本发明提供基片支承座、等离子体处理装置和环的更换方法,能够利用共用的升降机构来更换基片支承座所具有的两种环。基片支承座包括:基片载置部;第一环,其以包围上述基片载置部的方式设置;第二环,其以包围上述第一环并且俯视时不与该第一环重叠的方式设置;第三环,其以内侧部分在俯视时与上述第一环重叠,外侧部分在俯视时与上述第二环重叠的方式设置于上述第一环和上述第二环的下方,在上述内侧部分具有孔;设置有第一接合部和第二接合部的升降机构,上述第一接合部能够从上述第三环的上述孔向上方突出而与上述第一环接合,上述第二接合部位于上述第一接合部的下方,能够与上述第三环接合;以及使上述升降机构升降的致动器。

    基片处理系统和输送方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116057676A

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202280006376.6

    申请日:2022-02-02

    Abstract: 本发明的基片处理系统包括等离子体处理模块,上述等离子体处理模块包括:第一环,其配置在载置台的环支承面上;第二环,其配置在上述第一环上,具有比上述第一环的内径小的内径;多个第一支承销,其配置在上述环支承面的下方;和多个第二支承销,其配置在上述基片支承面的下方。在上述基片处理系统中,控制器构为,能够选择性地执行同时输送上述第一环和上述第二环的同时输送模式、以及单独输送上述第二环的单独输送模式。在上述同时输送模式中,利用上述多个第一支承销将上述第一环和上述第二环一起抬起并交接给输送机器人。在上述单独输送模式中,利用上述多个第一支承销将上述第一环和上述第二环一起抬起,接着,利用上述多个第二支承销将输送治具支承在比上述第二环的高度低的高度,之后,使上述多个第一支承销下降,利用上述多个第二支承销支承上述输送治具和上述第二环,将它们一起交接给输送机器人。

    等离子体处理装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115497798A

    公开(公告)日:2022-12-20

    申请号:CN202210639782.8

    申请日:2022-06-08

    Abstract: 本发明提供一种包括能够使用于等离子体处理的环组件适当地升降的升降销机构的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括:等离子体处理腔室;在等离子体处理腔室内生成等离子体的等离子体生成部;和配置于等离子体处理腔室内的基片支承部,基片支承部包括:基座;包围基片支承面上的基片地配置的第一环状部件;配置于第一环状部件的下方且具有多个贯通孔的第二环状部件;与多个贯通孔对应地配置的多个升降销,其包括上侧部分和比其宽的下侧部分,上侧部分经由第二环状部件所对应的贯通孔支承第一环状部件;固定于至少一个升降销的至少一个间隔件,其配置于下侧部分上,支承第二环状部件;和使多个升降销在纵向上移动至少一个致动器。

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