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公开(公告)号：CN101393881B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810211422.8
申请日：2008-09-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L22/12 , G03F7/705 , G03F7/70625
Abstract: 本发明提供了检查形成在半导体晶片上的结构的系统和方法。对于形成在半导体晶片上的结构创建光学测量模型。光学测量模型包含一个或多个外形参数、一个或多个工艺参数和色散。获得将色散与一个或多个工艺参数中的至少一个相关联的色散函数。利用光学测量模型以及工艺参数中的所述至少一个的值和色散的值来创建仿真衍射信号。利用工艺参数中的所述至少一个的值和色散函数来计算色散的值。获得结构的测量衍射信号。将测量衍射信号与仿真衍射信号进行比较。基于测量衍射信号与仿真衍射信号的比较，来确定结构的一个或多个外形参数和一个或多个工艺参数。
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公开(公告)号：CN101276214A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810096658.1
申请日：2008-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G01B11/046 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , G01B11/06 , G01N2201/0639
Abstract: 本发明公开了使用光子纳米喷射、利用光学计量的自动化过程控制。可使用光学计量来控制制造集群。使用制造集群在晶片上执行制造工艺。产生光子纳米喷射，它是在电介质微球体的遮蔽表面侧引起的光学强度图案。使用光子纳米喷射扫描晶片上的监测区域。随着光子纳米喷射扫描监测区域，获得来自电介质微球体的回射光的测量数据。使用获得的回射光的测量数据确定监测区域中结构的存在状态。基于监测区域中的结构的存在状态的确定结果，调节该第一制造集群的一个或多个工艺参数。
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公开(公告)号：CN101276214B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200810096658.1
申请日：2008-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G01B11/046 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , G01B11/06 , G01N2201/0639
Abstract: 本发明公开了使用光子纳米喷射、利用光学计量的自动化过程控制。可使用光学计量来控制制造集群。使用制造集群在晶片上执行制造工艺。产生光子纳米喷射，它是在电介质微球体的遮蔽表面侧引起的光学强度图案。使用光子纳米喷射扫描晶片上的监测区域。随着光子纳米喷射扫描监测区域，获得来自电介质微球体的回射光的测量数据。使用获得的回射光的测量数据确定监测区域中结构的存在状态。基于监测区域中的结构的存在状态的确定结果，调节该第一制造集群的一个或多个工艺参数。
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公开(公告)号：CN101285677B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200810090440.5
申请日：2008-04-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G01B11/24 , G03F7/70625
Abstract: 本发明公开了利用具有仿真衍射信号输入的支持向量机的光学计量。可以利用支持向量机来检查在半导体晶片上形成的结构。获得结构的轮廓模型。该轮廓模型由表征结构的几何形状的轮廓参数定义。获得一组轮廓参数值。利用该组轮廓参数值生成一组仿真衍射信号，每个仿真衍射信号表征从所述结构衍射的光的行为。利用该组仿真衍射信号作为对支持向量机的输入并且利用该组轮廓参数值作为支持向量机的期望输出，对该支持向量机进行训练。获得离开结构的测得衍射信号。将测得衍射信号输入到经训练的支持向量机。获得结构的轮廓参数值作为经训练的支持向量机的输出。
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公开(公告)号：CN101331378B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200680041259.4
申请日：2006-09-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G01B11/24 , G01N21/4788
Abstract: 为了在光学计量中选择重复结构的单位元配置，为重复结构定义多个单位元配置。每个单位元配置由一个或多个单位元参数来定义。所述多个单位元配置中的各个单位元在至少一个单位元参数方面彼此不同。使用一个或多个选择标准来选择所述多个单位元配置中的一个。然后可以利用所选择的单位元配置来表征重复结构的俯视图轮廓。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101286047B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810090441.X
申请日：2008-04-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/70491
Abstract: 本发明公开了利用支持向量机控制制造工具。获得结构的轮廓模型。该轮廓模型由表征结构的几何形状的轮廓参数定义。获得一组轮廓参数值。利用该组轮廓参数值生成一组仿真衍射信号，每个仿真衍射信号表征从所述结构衍射的光的行为。利用该组仿真衍射信号作为对支持向量机的输入并且利用该组轮廓参数值作为支持向量机的期望输出，对该支持向量机进行训练。在训练了支持向量机之后，利用制造工具执行在晶片上制造结构的制造过程。获得离开结构的测得衍射信号。将测得衍射信号输入到经训练的支持向量机。获得作为经训练的支持向量机的输出的结构的轮廓参数值。基于所获得的轮廓参数值，对制造工具的一个或多个工艺参数或设备设置进行调节。
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公开(公告)号：CN101331378A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200680041259.4
申请日：2006-09-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G01B11/24 , G01N21/4788
Abstract: 为了在光学计量中选择重复结构的单位元配置，为重复结构定义多个单位元配置。每个单位元配置由一个或多个单位元参数来定义。所述多个单位元配置中的各个单位元在至少一个单位元参数方面彼此不同。使用一个或多个选择标准来选择所述多个单位元配置中的一个。然后可以利用所选择的单位元配置来表征重复结构的俯视图轮廓。
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公开(公告)号：CN101286047A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810090441.X
申请日：2008-04-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/70491
Abstract: 本发明公开了利用支持向量机控制制造工具。获得结构的轮廓模型。该轮廓模型由表征结构的几何形状的轮廓参数定义。获得一组轮廓参数值。利用该组轮廓参数值生成一组仿真衍射信号，每个仿真衍射信号表征从所述结构衍射的光的行为。利用该组仿真衍射信号作为对支持向量机的输入并且利用该组轮廓参数值作为支持向量机的期望输出，对该支持向量机进行训练。在训练了支持向量机之后，利用制造工具执行在晶片上制造结构的制造过程。获得离开结构的测得衍射信号。将测得衍射信号输入到经训练的支持向量机。获得作为经训练的支持向量机的输出的结构的轮廓参数值。基于所获得的轮廓参数值，对制造工具的一个或多个工艺参数或设备设置进行调节。
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公开(公告)号：CN101401080B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200780008294.0
申请日：2007-03-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G01B11/24
Abstract: 本发明涉及在光学计量中增强测量衍射信号的权重函数。获得权重函数以使光学计量中所用的测得衍射信号增强。为了获得权重函数，获得测得衍射信号。测得衍射信号是用光计量装置从晶片上的位置测量的。根据测得衍射信号中存在的噪声来定义第一权重函数。根据测得衍射信号的精度来定义第二权重函数。根据测得衍射信号的灵敏度来定义第三权重函数。根据第一权重函数、第二权重函数和第三权重函数中的一个或多个来定义第四权重函数。
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公开(公告)号：CN101413791B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200810213950.7
申请日：2008-08-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01B11/24
CPC classification number: G01B11/24 , G03F7/70625
Abstract: 本发明涉及在光学计量中用近似和精细衍射模型确定结构的轮廓参数，提供了一种通过使用光学计量模型确定结构的一个或多个轮廓参数的方法，该光学计量模型包括轮廓模型、近似衍射模型和精细衍射模型。根据所述结构的近似衍射模型产生模拟近似衍射信号。通过从每个模拟精细衍射信号减去所述模拟近似衍射信号获得一组差值衍射信号，并将所述组差值衍射信号与相对应的轮廓参数配对并且用于产生差值衍射信号的库。由所述模拟近似衍射信号所调节的测量衍射信号与所述库比对，以确定所述结构的至少一个轮廓参数。
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