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公开(公告)号：CN101285677B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200810090440.5
申请日：2008-04-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G01B11/24 , G03F7/70625
Abstract: 本发明公开了利用具有仿真衍射信号输入的支持向量机的光学计量。可以利用支持向量机来检查在半导体晶片上形成的结构。获得结构的轮廓模型。该轮廓模型由表征结构的几何形状的轮廓参数定义。获得一组轮廓参数值。利用该组轮廓参数值生成一组仿真衍射信号，每个仿真衍射信号表征从所述结构衍射的光的行为。利用该组仿真衍射信号作为对支持向量机的输入并且利用该组轮廓参数值作为支持向量机的期望输出，对该支持向量机进行训练。获得离开结构的测得衍射信号。将测得衍射信号输入到经训练的支持向量机。获得结构的轮廓参数值作为经训练的支持向量机的输出。
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公开(公告)号：CN101286047B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810090441.X
申请日：2008-04-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/70491
Abstract: 本发明公开了利用支持向量机控制制造工具。获得结构的轮廓模型。该轮廓模型由表征结构的几何形状的轮廓参数定义。获得一组轮廓参数值。利用该组轮廓参数值生成一组仿真衍射信号，每个仿真衍射信号表征从所述结构衍射的光的行为。利用该组仿真衍射信号作为对支持向量机的输入并且利用该组轮廓参数值作为支持向量机的期望输出，对该支持向量机进行训练。在训练了支持向量机之后，利用制造工具执行在晶片上制造结构的制造过程。获得离开结构的测得衍射信号。将测得衍射信号输入到经训练的支持向量机。获得作为经训练的支持向量机的输出的结构的轮廓参数值。基于所获得的轮廓参数值，对制造工具的一个或多个工艺参数或设备设置进行调节。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101286047A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810090441.X
申请日：2008-04-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/70491
Abstract: 本发明公开了利用支持向量机控制制造工具。获得结构的轮廓模型。该轮廓模型由表征结构的几何形状的轮廓参数定义。获得一组轮廓参数值。利用该组轮廓参数值生成一组仿真衍射信号，每个仿真衍射信号表征从所述结构衍射的光的行为。利用该组仿真衍射信号作为对支持向量机的输入并且利用该组轮廓参数值作为支持向量机的期望输出，对该支持向量机进行训练。在训练了支持向量机之后，利用制造工具执行在晶片上制造结构的制造过程。获得离开结构的测得衍射信号。将测得衍射信号输入到经训练的支持向量机。获得作为经训练的支持向量机的输出的结构的轮廓参数值。基于所获得的轮廓参数值，对制造工具的一个或多个工艺参数或设备设置进行调节。
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公开(公告)号：CN110546749A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880026624.7
申请日：2018-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/66
Abstract: 用于在等离子体处理室中进行原位蚀刻监测的装置、系统和方法。该装置包括连续波宽带光源；照射系统，其被配置成利用具有固定偏振方向的入射光束照射基板上的区域，来自宽带光源的入射光束由光闸进行调制；收集系统，其被配置成收集从所照射的基板上的区域反射的反射光束，并且将该反射光束引导至检测器；以及处理电路。处理电路被配置成处理反射光束以抑制背景光，根据经处理的光确定性质值以及基于所确定的性质值来控制蚀刻处理。
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公开(公告)号：CN103443900A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280008607.3
申请日：2012-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 克拉-坦科股份有限公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: G03F7/70491 , G03F7/70625 , H01L22/12
Abstract: 本发明描述了生成用于计量的宽处理范围库的方法。例如，方法包括生成第一库，该第一库具有针对第一参数的第一处理范围。生成第二库，该第二库具有针对所述第一参数的第二处理范围。所述第二处理范围与所述第一处理范围重叠。所述第二库被拼接至所述第一库以生成第三库，该第三库具有针对所述第一参数的第三处理范围。所述第三处理范围比所述第一处理范围和第二处理范围的中每一者都宽。
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公开(公告)号：CN103403724A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280010987.4
申请日：2012-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 克拉-坦科股份有限公司
CPC classification number: G06N3/08 , G06N3/0454
Abstract: 描述了用于基于库的临界尺寸（CD）计量的精确神经网络训练的方法。还描述了用于基于库的临界尺寸（CD）计量的快速神经网络训练的方法。
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公开(公告)号：CN101285677A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810090440.5
申请日：2008-04-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G01B11/24 , G03F7/70625
Abstract: 本发明公开了利用具有仿真衍射信号输入的支持向量机的光学计量。可以利用支持向量机来检查在半导体晶片上形成的结构。获得结构的轮廓模型。该轮廓模型由表征结构的几何形状的轮廓参数定义。获得一组轮廓参数值。利用该组轮廓参数值生成一组仿真衍射信号，每个仿真衍射信号表征从所述结构衍射的光的行为。利用该组仿真衍射信号作为对支持向量机的输入并且利用该组轮廓参数值作为支持向量机的期望输出，对该支持向量机进行训练。获得离开结构的测得衍射信号。将测得衍射信号输入到经训练的支持向量机。获得结构的轮廓参数值作为经训练的支持向量机的输出。
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