公开(公告)号：CN101276214B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200810096658.1

申请日：2008-03-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 陈智刚 ,  褚汉友 ,  李世芳 ,  曼纽尔·玛德瑞加

IPC: G05B19/04 ,  G01B11/02 ,  G01B11/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: G01B11/046 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  G01B11/06 ,  G01N2201/0639

Abstract: 本发明公开了使用光子纳米喷射、利用光学计量的自动化过程控制。可使用光学计量来控制制造集群。使用制造集群在晶片上执行制造工艺。产生光子纳米喷射，它是在电介质微球体的遮蔽表面侧引起的光学强度图案。使用光子纳米喷射扫描晶片上的监测区域。随着光子纳米喷射扫描监测区域，获得来自电介质微球体的回射光的测量数据。使用获得的回射光的测量数据确定监测区域中结构的存在状态。基于监测区域中的结构的存在状态的确定结果，调节该第一制造集群的一个或多个工艺参数。

公开(公告)号：CN101276214A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810096658.1

申请日：2008-03-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 陈智刚 ,  褚汉友 ,  李世芳 ,  曼纽尔·玛德瑞加

IPC: G05B19/04 ,  G01B11/02 ,  G01B11/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: G01B11/046 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  G01B11/06 ,  G01N2201/0639

Abstract: 本发明公开了使用光子纳米喷射、利用光学计量的自动化过程控制。可使用光学计量来控制制造集群。使用制造集群在晶片上执行制造工艺。产生光子纳米喷射，它是在电介质微球体的遮蔽表面侧引起的光学强度图案。使用光子纳米喷射扫描晶片上的监测区域。随着光子纳米喷射扫描监测区域，获得来自电介质微球体的回射光的测量数据。使用获得的回射光的测量数据确定监测区域中结构的存在状态。基于监测区域中的结构的存在状态的确定结果，调节该第一制造集群的一个或多个工艺参数。