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公开(公告)号：CN101276214B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200810096658.1
申请日：2008-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G01B11/046 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , G01B11/06 , G01N2201/0639
Abstract: 本发明公开了使用光子纳米喷射、利用光学计量的自动化过程控制。可使用光学计量来控制制造集群。使用制造集群在晶片上执行制造工艺。产生光子纳米喷射，它是在电介质微球体的遮蔽表面侧引起的光学强度图案。使用光子纳米喷射扫描晶片上的监测区域。随着光子纳米喷射扫描监测区域，获得来自电介质微球体的回射光的测量数据。使用获得的回射光的测量数据确定监测区域中结构的存在状态。基于监测区域中的结构的存在状态的确定结果，调节该第一制造集群的一个或多个工艺参数。
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公开(公告)号：CN110998292B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201880053668.9
申请日：2018-08-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供了一种用于原位相确定的设备和方法。该设备包括：被配置成保留物质的测量室；以及安装在测量室的一侧上的入射窗。出射窗安装在测量室的相对侧上，并且出射窗与入射窗平行。该设备还包括被配置成生成入射光束的光源。入射光束以相对于入射窗的法线的非零入射角度被引导至入射窗。入射光束穿过入射窗、测量室和出射窗以形成输出光束。检测器位于出射窗下方，并且被配置成收集穿过出射窗的输出光束并且生成测量数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101393881B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810211422.8
申请日：2008-09-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L22/12 , G03F7/705 , G03F7/70625
Abstract: 本发明提供了检查形成在半导体晶片上的结构的系统和方法。对于形成在半导体晶片上的结构创建光学测量模型。光学测量模型包含一个或多个外形参数、一个或多个工艺参数和色散。获得将色散与一个或多个工艺参数中的至少一个相关联的色散函数。利用光学测量模型以及工艺参数中的所述至少一个的值和色散的值来创建仿真衍射信号。利用工艺参数中的所述至少一个的值和色散函数来计算色散的值。获得结构的测量衍射信号。将测量衍射信号与仿真衍射信号进行比较。基于测量衍射信号与仿真衍射信号的比较，来确定结构的一个或多个外形参数和一个或多个工艺参数。
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公开(公告)号：CN101276214A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810096658.1
申请日：2008-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G01B11/046 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , G01B11/06 , G01N2201/0639
Abstract: 本发明公开了使用光子纳米喷射、利用光学计量的自动化过程控制。可使用光学计量来控制制造集群。使用制造集群在晶片上执行制造工艺。产生光子纳米喷射，它是在电介质微球体的遮蔽表面侧引起的光学强度图案。使用光子纳米喷射扫描晶片上的监测区域。随着光子纳米喷射扫描监测区域，获得来自电介质微球体的回射光的测量数据。使用获得的回射光的测量数据确定监测区域中结构的存在状态。基于监测区域中的结构的存在状态的确定结果，调节该第一制造集群的一个或多个工艺参数。
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公开(公告)号：CN110998292A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880053668.9
申请日：2018-08-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供了一种用于原位相确定的设备和方法。该设备包括：被配置成保留物质的测量室；以及安装在测量室的一侧上的入射窗。出射窗安装在测量室的相对侧上，并且出射窗与入射窗平行。该设备还包括被配置成生成入射光束的光源。入射光束以相对于入射窗的法线的非零入射角度被引导至入射窗。入射光束穿过入射窗、测量室和出射窗以形成输出光束。检测器位于出射窗下方，并且被配置成收集穿过出射窗的输出光束并且生成测量数据。
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公开(公告)号：CN112514043A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050131.1
申请日：2019-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/66 , H01L21/3065 , G01N21/95 , G01N21/88
Abstract: 提供了一种用于在等离子体加工室中进行原位蚀刻监测的装置、系统和方法。该装置包括连续波宽带光源、照射系统、收集系统和处理电路，该连续波宽带光源用于产生入射光束，该照射系统被配置为照射衬底上的区域，其中入射光束以正入射被引导到该衬底，该收集系统被配置为收集从该衬底上的照射区域反射的反射光束，并且将该反射光束引导到检测器。该处理电路被配置为处理该反射光束以抑制背景光，基于参考光束和被处理以抑制该背景光的该反射光束来确定该衬底或形成在其上的结构的性能，并且基于所确定的性能来控制蚀刻过程。
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公开(公告)号：CN101393881A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810211422.8
申请日：2008-09-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L22/12 , G03F7/705 , G03F7/70625
Abstract: 本发明提供了检查形成在半导体晶片上的结构的系统和方法。对于形成在半导体晶片上的结构创建光学测量模型。光学测量模型包含一个或多个外形参数、一个或多个工艺参数和色散。获得将色散与一个或多个工艺参数中的至少一个相关联的色散函数。利用光学测量模型以及工艺参数中的所述至少一个的值和色散的值来创建仿真衍射信号。利用工艺参数中的所述至少一个的值和色散函数来计算色散的值。获得结构的测量衍射信号。将测量衍射信号与仿真衍射信号进行比较。基于测量衍射信号与仿真衍射信号的比较，来确定结构的一个或多个外形参数和一个或多个工艺参数。
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