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公开(公告)号：CN109417029A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780042178.4
申请日：2017-07-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 一实施方式所涉及的方法(MT)提供一种在有机膜等的加工中能够进行图案形状的控制的技术。成为一实施方式的方法(MT)的应用对象的晶片(W)具备被蚀刻层(EL)、有机膜(OL)及掩模(ALM)，有机膜(OL)由第1区域(VL1)与第2区域(VL2)构成，掩模(ALM)设置于第1区域(VL1)上，第1区域(VL1)设置于第2区域(VL2)上，第2区域(VL2)设置于被蚀刻层(EL)上。方法(MT)中，在收容有晶片(W)的处理容器(12)内生成包含氮气的气体的等离子体而对第1区域(VL1)进行蚀刻直至到达第2区域(VL2)，从第1区域(VL1)形成掩模(OLM1)，在掩模(OLM1)的侧面(SF)保形形成保护膜(SX)，且对第2区域(VL2)进行蚀刻直至到达被蚀刻层(EL)，从第2区域(VL2)形成掩模(OLM2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104576453B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201410575684.8
申请日：2014-10-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32862 , B08B7/0035 , C23C16/4405 , H01J37/32091 , H01J37/32477 , H01J37/32642 , H01J2237/334 , H01J2237/3344 , H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其有效地除去含金属的附着物。该等离子体处理方法，利用含CxFy气体(其中，x为2以下的整数，y为6以下的整数)且不含氯类气体和氮类气体的处理气体的等离子体，除去附着在配置于处理容器的内部的部件上的含过渡金属和贱金属中的至少任一者的附着物。
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公开(公告)号：CN107731677B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201710659499.0
申请日：2017-08-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种用于降低有机膜的蚀刻所使用的掩模的除去对有机膜的侧壁形状造成的影响的技术。一个实施方式的处理被处理体的方法，其中，被处理体包括被蚀刻层、设置在被蚀刻层上的有机膜和设置在有机膜上的掩模，有机膜由第1层和第2层构成，掩模设置在第1层上，第1层设置在第2层上，第2层设置在被蚀刻层上，该方法包括：在收纳有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内，生成第1气体的等离子体，使用等离子体和掩模对第1层进行蚀刻直至第2层，在第1层的侧面共形地形成保护膜的工序；和在处理容器内，生成第2气体的等离子体，使用等离子体除去掩模的工序。
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公开(公告)号：CN104576453A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410575684.8
申请日：2014-10-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32862 , B08B7/0035 , C23C16/4405 , H01J37/32091 , H01J37/32477 , H01J37/32642 , H01J2237/334 , H01J2237/3344 , H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其有效地除去含金属的附着物。该等离子体处理方法，利用含CxFy气体(其中，x为2以下的整数，y为6以下的整数)且不含氯类气体和氮类气体的处理气体的等离子体，除去附着在配置于处理容器的内部的部件上的含过渡金属和贱金属中的至少任一者的附着物。
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公开(公告)号：CN109417029B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201780042178.4
申请日：2017-07-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 一实施方式所涉及的方法(MT)提供一种在有机膜等的加工中能够进行图案形状的控制的技术。成为一实施方式的方法(MT)的应用对象的晶片(W)具备被蚀刻层(EL)、有机膜(OL)及掩模(ALM)，有机膜(OL)由第1区域(VL1)与第2区域(VL2)构成，掩模(ALM)设置于第1区域(VL1)上，第1区域(VL1)设置于第2区域(VL2)上，第2区域(VL2)设置于被蚀刻层(EL)上。方法(MT)中，在收容有晶片(W)的处理容器(12)内生成包含氮气的气体的等离子体而对第1区域(VL1)进行蚀刻直至到达第2区域(VL2)，从第1区域(VL1)形成掩模(OLM1)，在掩模(OLM1)的侧面(SF)保形形成保护膜(SX)，且对第2区域(VL2)进行蚀刻直至到达被蚀刻层(EL)，从第2区域(VL2)形成掩模(OLM2)。
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公开(公告)号：CN107731677A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710659499.0
申请日：2017-08-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32082 , H01J37/32165 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0276 , H01L21/0337 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/67069 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种用于降低有机膜的蚀刻所使用的掩模的除去对有机膜的侧壁形状造成的影响的技术。一个实施方式的处理被处理体的方法，其中，被处理体包括被蚀刻层、设置在被蚀刻层上的有机膜和设置在有机膜上的掩模，有机膜由第1层和第2层构成，掩模设置在第1层上，第1层设置在第2层上，第2层设置在被蚀刻层上，该方法包括：在收纳有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内，生成第1气体的等离子体，使用等离子体和掩模对第1层进行蚀刻直至第2层，在第1层的侧面共形地形成保护膜的工序；和在处理容器内，生成第2气体的等离子体，使用等离子体除去掩模的工序。
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