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公开(公告)号：CN101038860A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710088374.3
申请日：2007-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/66 , C23F4/00 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置，能够自动判定基板的种类，自动选择与所判定基板类别对应的终点检测设定，由此，能够在不限定基板类别的情况下进行正确的终点检测。预先求得与多种晶片类别对应而设定的晶片类别数据与光学数据的相关关系，在等离子体处理晶片时，利用相关关系，从开始等离子体处理时得到的光学数据算出晶片类别数据(S221、S222)，基于算出的晶片类别数据判定晶片类别(S223)，从存储在数据存储单元中的各终点检测设定数据中选择与所判定晶片类别对应的终点检测设定数据(S224)，基于所选择的终点检测设定数据进行等离子体处理的终点检测。
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公开(公告)号：CN101770946A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910265524.2
申请日：2009-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/3085
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，能够提高硅层相对于作为掩模层的氧化膜层的蚀刻选择比。将包括作为掩模层的SiO2层(62)和作为处理对象层的硅层(61)的晶片W搬入到处理模块(25)的腔室(42)内，利用由NF3气体、HBr气体、O2气体和SiCl4气体的混合气体生成的等离子体，使沉积物(65)堆积在SiO2层(62)表面，以确保作为掩模层的层厚，并且对硅层(61)进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN111819667A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980017866.4
申请日：2019-07-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 一个例示的实施方式的等离子体处理方法在电容耦合型的等离子体处理装置的基片支承台上载置有基片的状态下实施。等离子体处理方法包括：对腔室内供给非活性气体的步骤；和使含硅材料沉积在基片上的步骤。在进行沉积的步骤中，选择性地实施两个处理中的一者以从腔室内的非活性气体生成等离子体，该两个处理是：将第一高频电功率供给到等离子体处理装置的上部电极的处理；和将第二高频电功率供给到基片支承台的下部电极的处理。此外，在进行沉积的步骤中，对上部电极施加负极性的偏置电压。
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公开(公告)号：CN111725062A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010176495.9
申请日：2020-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种膜的蚀刻方法和等离子体处理装置。该方法在蚀刻基板的膜时能够抑制形成于膜的图案的宽度的缩小并且提供膜的侧壁面的垂直性。一个例示性的实施方式所涉及的方法用于蚀刻基板的膜。基板具有基底区域、膜以及掩模。膜设置于基底区域上。掩模设置于膜上。方法包括对膜执行主蚀刻的工序。主蚀刻为针对膜的等离子体蚀刻，使基底区域的至少一部分露出。方法还包括在执行主蚀刻的工序之后至少在掩模的侧壁面上形成保护层的工序。保护层的材料与膜的材料不同。方法还包括在形成保护层的工序之后执行针对膜的过蚀刻的工序。过蚀刻为针对膜的等离子体蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111725062B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010176495.9
申请日：2020-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种膜的蚀刻方法和等离子体处理装置。该方法在蚀刻基板的膜时能够抑制形成于膜的图案的宽度的缩小并且提供膜的侧壁面的垂直性。一个例示性的实施方式所涉及的方法用于蚀刻基板的膜。基板具有基底区域、膜以及掩模。膜设置于基底区域上。掩模设置于膜上。方法包括对膜执行主蚀刻的工序。主蚀刻为针对膜的等离子体蚀刻，使基底区域的至少一部分露出。方法还包括在执行主蚀刻的工序之后至少在掩模的侧壁面上形成保护层的工序。保护层的材料与膜的材料不同。方法还包括在形成保护层的工序之后执行针对膜的过蚀刻的工序。过蚀刻为针对膜的等离子体蚀刻。
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公开(公告)号：CN114464551A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202111289390.5
申请日：2021-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种处理装置和处理方法，用于削减在搬送室的周围设置有多个气体处理室的基板的处理装置中的向所述气体处理室供给处理气体的气体箱的设置数量。对基板进行处理的处理装置具有：多个处理室，在所述多个处理室中在期望的处理气体的气氛下对所述基板进行处理；多个罐单元，所述多个罐单元与多个所述处理室分别对应地设置，所述罐单元具备用于临时储存所述处理气体的多个罐；以及气体箱，其经由所述罐单元向所述处理室供给处理气体。
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公开(公告)号：CN111819667B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201980017866.4
申请日：2019-07-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 一个例示的实施方式的等离子体处理方法在电容耦合型的等离子体处理装置的基片支承台上载置有基片的状态下实施。等离子体处理方法包括：对腔室内供给非活性气体的步骤；和使含硅材料沉积在基片上的步骤。在进行沉积的步骤中，选择性地实施两个处理中的一者以从腔室内的非活性气体生成等离子体，该两个处理是：将第一高频电功率供给到等离子体处理装置的上部电极的处理；和将第二高频电功率供给到基片支承台的下部电极的处理。此外，在进行沉积的步骤中，对上部电极施加负极性的偏置电压。
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公开(公告)号：CN101770946B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN200910265524.2
申请日：2009-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/3085
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，能够提高硅层相对于作为掩模层的氧化膜层的蚀刻选择比。将包括作为掩模层的SiO2层(62)和作为处理对象层的硅层(61)的晶片W搬入到处理模块(25)的腔室(42)内，利用由NF3气体、HBr气体、O2气体和SiCl4气体的混合气体生成的等离子体，使沉积物(65)堆积在SiO2层(62)表面，以确保作为掩模层的层厚，并且对硅层(61)进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN100495641C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710088374.3
申请日：2007-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/66 , C23F4/00 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置，能够自动判定基板的种类，自动选择与所判定基板类别对应的终点检测设定，由此，能够在不限定基板类别的情况下进行正确的终点检测。预先求得与多种晶片类别对应而设定的晶片类别数据与光学数据的相关关系，在等离子体处理晶片时，利用相关关系，从开始等离子体处理时得到的光学数据算出晶片类别数据(S221、S222)，基于算出的晶片类别数据判定晶片类别(S223)，从存储在数据存储单元中的各终点检测设定数据中选择与所判定晶片类别对应的终点检测设定数据(S224)，基于所选择的终点检测设定数据进行等离子体处理的终点检测。
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