公开(公告)号：CN107731677B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201710659499.0

申请日：2017-08-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 森北信也 ,  伴瀬贵德 ,  瀬谷祐太 ,  新妻良祐

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种用于降低有机膜的蚀刻所使用的掩模的除去对有机膜的侧壁形状造成的影响的技术。一个实施方式的处理被处理体的方法，其中，被处理体包括被蚀刻层、设置在被蚀刻层上的有机膜和设置在有机膜上的掩模，有机膜由第1层和第2层构成，掩模设置在第1层上，第1层设置在第2层上，第2层设置在被蚀刻层上，该方法包括：在收纳有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内，生成第1气体的等离子体，使用等离子体和掩模对第1层进行蚀刻直至第2层，在第1层的侧面共形地形成保护膜的工序；和在处理容器内，生成第2气体的等离子体，使用等离子体除去掩模的工序。

公开(公告)号：CN107731677A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710659499.0

申请日：2017-08-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 森北信也 ,  伴瀬贵德 ,  瀬谷祐太 ,  新妻良祐

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种用于降低有机膜的蚀刻所使用的掩模的除去对有机膜的侧壁形状造成的影响的技术。一个实施方式的处理被处理体的方法，其中，被处理体包括被蚀刻层、设置在被蚀刻层上的有机膜和设置在有机膜上的掩模，有机膜由第1层和第2层构成，掩模设置在第1层上，第1层设置在第2层上，第2层设置在被蚀刻层上，该方法包括：在收纳有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内，生成第1气体的等离子体，使用等离子体和掩模对第1层进行蚀刻直至第2层，在第1层的侧面共形地形成保护膜的工序；和在处理容器内，生成第2气体的等离子体，使用等离子体除去掩模的工序。