公开(公告)号：CN101546685A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910127092.9

申请日：2009-03-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本田昌伸 ,  增泽健二 ,  中山博之 ,  岩田学 ,  佐藤学 ,  成重和树

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32027 ,  H01J37/32091

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法，使得能够容易且自由地控制被处理基板上的电子密度或者工艺特性的分布特性。该电容耦合型等离子体处理装置在径方向上将上部电极分割成内侧上部电极(60)和外侧上部电极(62)这两个，从2个可变直流电源(80、82)将独立的第一和第二直流电压(VC、VE)同时施加在两个上部电极(60、62)上。通过适当选择这两个直流电压(VC、VE)的组合，能够在各种应用中提高等离子体工艺、蚀刻特性的均匀性。

公开(公告)号：CN102822943B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201180018012.1

申请日：2011-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 八重樫英民 ,  五十岚义树 ,  成重和树 ,  武川贵仁

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32139

Abstract: 具有如下工序：第一图案形成工序(S13)，通过将由光致抗蚀剂膜构成的第一线部作为掩模对反射防止膜进行蚀刻来形成包括第二线部的图案；照射工序(S14)，对光致抗蚀剂膜照射电子；氧化硅膜成膜工序(S15)，形成氧化硅膜；回蚀工序(S16)，对氧化硅膜进行回蚀，使其作为第二线部的侧壁部残留；以及第二图案形成工序(S18)，通过对上述第二线部进行灰化来形成包括由氧化硅膜构成的、作为侧壁部而残留的第三线部的掩模图案。

公开(公告)号：CN104347521A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410372926.3

申请日：2014-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小川和人 ,  成重和树 ,  佐藤孝纪

IPC: H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供半导体器件的制造方法。该制造方法包括：(a)在等离子体处理装置的处理容器内准备被处理体的工序，该被处理体具有：包括交替层叠的氧化硅膜和氮化硅膜的多层膜和设置于该多层膜上的掩模；和(b)对多层膜进行蚀刻的工序，在该工序中，将包括氢气、溴化氢气体和三氟化氮气体且包括烃气体、氟烃气体和碳氟化合物气体中的至少任一种的处理气体供给到处理容器内，在等离子体处理装置的处理容器内生成处理气体的等离子体。

公开(公告)号：CN101369537B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200810145897.1

申请日：2008-08-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成重和树 ,  长仓幸一

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31122 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法以及存储介质，能够每次在对基板上形成的有机膜进行蚀刻时得到良好的蚀刻形状。该半导体装置的制造方法包括：利用等离子体对含硅膜进行蚀刻，转印该含硅膜上的图案掩模的图案的工序；除去所述图案掩模使所述含硅膜的表面露出的工序；利用等离子体中的氧活性种通过所述含硅膜的图案对所述有机膜的表面进行蚀刻，由此形成凹部的工序；之后溅射所述含硅膜从而在所述凹部的内壁上形成由含硅物构成的保护膜的工序；和利用等离子体中的氧活性种通过所述含硅膜的图案沿更深方向对凹部进行蚀刻，从而形成孔或者槽的工序，通过这样，因为能够从氧活性种保护凹部侧壁的同时进行蚀刻，所以能够得到良好的图案形状。

公开(公告)号：CN113284786A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110183119.7

申请日：2021-02-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 渡部诚一 ,  成重和树 ,  林欣禾 ,  徐建峰 ,  黄艺豪 ,  梁振康 ,  吕育骏 ,  叶秋华 ,  赵斌 ,  蔡财进 ,  渡边雄仁 ,  河村浩司 ,  小松贤次 ,  金丽 ,  陈伟德 ,  刘达立

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供能够抑制蚀刻过程中的电弧放电的发生的基片处理方法和基片处理装置。本发明是一种腔室中的基片处理方法，其中，腔室包括：载置基片的载置台；与载置台相对的上部电极；和用于对腔室内供给处理气体的气体供给口，该基片处理方法包含下述a)～d)。a)是对载置台提供基片的工序。b)是对腔室内供给第一处理气体的工序。c)是通过一边对上部电极连续地供给负直流电压，一边连续地供给RF信号，来从第一处理气体生成等离子体的工序。d)是通过一边对上部电极连续地供给负直流电压，一边供给脉冲状的RF信号，来从第一处理气体生成等离子体的工序。c)和d)被交替地反复执行。此外，c)的每1次的期间为30秒以下。

公开(公告)号：CN104851795B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201510078894.0

申请日：2015-02-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥垒 ,  石田龙宇 ,  成重和树

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明提供半导体器件的制造方法。对多层膜高速且选择性进行蚀刻。在等离子体处理装置的处理容器内隔着掩模对设置于蚀刻停止层上的并且包括具有相互不同的介电常数的交替层叠的第一膜和第二膜的多层膜进行蚀刻。该方法包括：(a)将包含氢、溴化氢和三氟化氮且包含烃、碳氟化合物和氟代烃中至少任一者的第一气体供给到处理容器内，使该第一气体激发，从多层膜的表面至层叠方向的中途位置对该多层膜进行蚀刻的步骤；和(b)将实质上不包含溴化氢而包含氢和三氟化氮并且包含烃、碳氟化合物和氟代烃中至少任一者的第二气体供给到处理容器内，使该第二气体激发，从多层膜的中途位置至蚀刻停止层的表面对该多层膜进行蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN104106127B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201380006696.2

申请日：2013-02-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成重和树 ,  佐藤孝纪 ,  佐藤学

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/042 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置的制造方法，其用于对在基板上交替地层叠相对介电常数不同的第1膜和第2膜而成的多层膜进行蚀刻，在多层膜上形成规定形状的孔等，上述半导体制造装置的制造方法包括：利用包含含溴气体、含氯气体、含碘气体的至少任一种的气体和第1流量的CF类气体的气体，将多层膜蚀刻至第1深度的第1工序；在第1工序之后，利用包含含溴气体、含氯气体、含碘气体的至少任一种的气体和与第1流量不同的第2流量的CF类气体的气体，将多层膜蚀刻至与上述第1深度不同的第2深度的第2工序；和在第2工序后，实施过蚀刻直至孔等到达多层膜的基底层的第3工序。

公开(公告)号：CN104851795A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510078894.0

申请日：2015-02-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥垒 ,  石田龙宇 ,  成重和树

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明提供半导体器件的制造方法。对多层膜高速且选择性进行蚀刻。在等离子体处理装置的处理容器内隔着掩模对设置于蚀刻停止层上的并且包括具有相互不同的介电常数的交替层叠的第一膜和第二膜的多层膜进行蚀刻。该方法包括：(a)将包含氢、溴化氢和三氟化氮且包含烃、碳氟化合物和氟代烃中至少任一者的第一气体供给到处理容器内，使该第一气体激发，从多层膜的表面至层叠方向的中途位置对该多层膜进行蚀刻的步骤；和(b)将实质上不包含溴化氢而包含氢和三氟化氮并且包含烃、碳氟化合物和氟代烃中至少任一者的第二气体供给到处理容器内，使该第二气体激发，从多层膜的中途位置至蚀刻停止层的表面对该多层膜进行蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN104106127A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201380006696.2

申请日：2013-02-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成重和树 ,  佐藤孝纪 ,  佐藤学

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/042 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置的制造方法，其用于对在基板上交替地层叠相对介电常数不同的第1膜和第2膜而成的多层膜进行蚀刻，在多层膜上形成规定形状的孔等，上述半导体制造装置的制造方法包括：利用包含含溴气体、含氯气体、含碘气体的至少任一种的气体和第1流量的CF类气体的气体，将多层膜蚀刻至第1深度的第1工序；在第1工序之后，利用包含含溴气体、含氯气体、含碘气体的至少任一种的气体和与第1流量不同的第2流量的CF类气体的气体，将多层膜蚀刻至与上述第1深度不同的第2深度的第2工序；和在第2工序后，实施过蚀刻直至孔等到达多层膜的基底层的第3工序。

公开(公告)号：CN119731770A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202380059747.1

申请日：2023-08-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田边明良 ,  成重和树 ,  平井克典 ,  玉川裕介

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44

Abstract: 一种等离子体处理方法，包括以下工序：工序(A)，对导入到处理腔室内的基板进行等离子体处理；工序(B)，计算由于所述工序(A)而沉积于所述基板的反应产物的厚度；工序(C)，基于在所述工序(B)中所计算出的反应产物的厚度，来设定用于去除由于所述工序(A)而沉积于所述处理腔室的内部的反应产物的干式清洁的时间；以及工序(D)，在从所述处理腔室搬出了所述基板的状态下，以在所述工序(C)中所设定的时间来进行所述干式清洁。