-
公开(公告)号：CN100533673C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN03119377.3
申请日：2003-03-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: B08B7/04 , B24C1/003 , Y10S134/902
Abstract: 本发明提供一种彻底清洗等离子加工装置中待清洗元件表面上的沉积物的方法，不会有任何已经在待清洗元件表面上形成的阳极涂层或喷雾涂层的损伤。这种清洗方法包括浸入有机溶剂(例如丙酮)的化学清洗步骤(a)；接着吹入压缩空气，以便去除已经由化学处理过的缓冲板(14)脱落的沉积物的步骤(b)；接着，通过采用CO2鼓风装置(103)鼓风物理清除残留在缓冲板(14)边缘的沉积物，和缓冲板(14)浸入纯水(104)，并给予超声振动清除保留在缓冲板(14)上的沉积物的f步骤。
-
公开(公告)号：CN1682339B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN03822079.2
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32431
Abstract: 本发明提出了用于等离子体工艺系统的一种改进的挡板，其中挡板的设计和制作在工艺空间内方便地提供了一个均匀的工艺等离子体，以及基本上最小地腐蚀挡板。
-
公开(公告)号：CN100508103C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN03822376.7
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32477
Abstract: 本发明提供了一种用于等离子体加工系统的改进的波纹管罩，其中结合到基底座电极的该波纹管罩的设计和制作通过实质使波纹管罩的侵蚀最小化从而有利地对波纹管提供了保护。
-
公开(公告)号：CN100555550C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN03823245.6
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/3255
Abstract: 本发明提供一种用于等离子加工系统的改进的上电极，其中，与上组件耦合的电极板的设计和制造可以在基本上对电极板造成最小腐蚀的条件下便利地提供加工气体的气体注入。
-
公开(公告)号：CN100466153C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN03823244.8
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32477 , Y10S156/916
Abstract: 本发明提供用于包围等离子加工系统中加工空间的改进的沉积罩，其中沉积罩的设计和制造有利地在等离子加工空间中提供纯净的加工等离子，其对沉积罩具有基本最小的腐蚀。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1685465A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03823244.8
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32477 , Y10S156/916
Abstract: 本发明提供用于包围等离子加工系统中加工空间的改进的沉积罩，其中沉积罩的设计和制造有利地在等离子加工空间中提供纯净的加工等离子，其对沉积罩具有基本最小的腐蚀。
-
公开(公告)号：CN1685464A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03823245.6
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/3255
Abstract: 本发明提供一种用于等离子加工系统的改进的上电极，其中，与上组件耦合的电极板的设计和制造可以在基本上对电极板造成最小腐蚀的条件下便利地提供加工气体的气体注入。
-
公开(公告)号：CN1682340A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03822080.6
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32458 , H01J37/32495 , H01J37/32972
Abstract: 本发明提出了用于等离子体工艺系统的改进的光学窗口淀积屏蔽，光学窗口淀积屏蔽通过一个淀积屏蔽，用于等离子体工艺系统中的工艺空间的光学入口，其中光学窗口淀积屏蔽的设计和制作对工艺空间中的工艺等离子体方便地提供了一个光学清洁入口，而基本上保持最小地腐蚀光学窗口淀积屏蔽。
-
公开(公告)号：CN100367446C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN03822080.6
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32458 , H01J37/32495 , H01J37/32972
Abstract: 本发明提出了用于等离子体工艺系统的改进的光学窗口淀积屏蔽，光学窗口淀积屏蔽通过一个淀积屏蔽，用于等离子体工艺系统中的工艺空间的光学入口，其中光学窗口淀积屏蔽的设计和制作对工艺空间中的工艺等离子体方便地提供了一个光学清洁入口，而基本上保持最小地腐蚀光学窗口淀积屏蔽。
-
公开(公告)号：CN1682345A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03822376.7
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32477
Abstract: 本发明提供了一种用于等离子体加工系统的改进的波纹管罩，其中结合到基底座电极的该波纹管罩的设计和制作通过实质使波纹管罩的侵蚀最小化从而有利地对波纹管提供了保护。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.022 seconds)
