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发明公开
一种光伏材料硫化亚铜（Cu2S）薄膜的制备方法无效

公开(公告)号：CN103952675A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410173480.1

申请日：2014-04-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 , 任兵 , 沈心蔚 , 黄健 , 杨晓蓉 , 杨惠敏 , 唐可 , 沈忠文 , 夏义本

IPC: C23C14/35 , C23C14/06

Abstract: 本发明为一种光伏材料硫化亚铜（Cu2S）薄膜的制备方法，公开了一种应用于光伏产业的硫化亚铜薄膜的制备技术。所述制备方法是基于直流磁控溅射技术。该工艺以高纯度硫化亚铜为溅射靶材，使用氩气作为工作气体。该方法具有沉积速率高、膜厚可控、重复性好等特点，可以制备大面积、均匀、高质量的硫化亚铜薄膜，有望实现硫化亚铜薄膜的产业化生产。

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