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公开(公告)号：CN108292680A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680068913.4
申请日：2016-09-29
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L29/063 , H01L21/0465 , H01L21/047 , H01L21/049 , H01L29/045 , H01L29/0623 , H01L29/0878 , H01L29/0882 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7397 , H01L29/7813
Abstract: 本发明涉及一种能够抑制由晶面导致的通态电流的不均以及阈值的不均的碳化硅半导体装置。碳化硅半导体装置包括碳化硅漂移层(2)、主体区域(5)、源极区域(3)、多条沟槽(7)、栅极绝缘膜(9)、栅电极(10)、源电极(11)、漏电极(12)和耗尽抑制层(6)，所述碳化硅漂移层(2)形成在具有偏角的碳化硅半导体衬底(1)的上表面。耗尽抑制层俯视时位于被多条沟槽夹着的位置，在碳化硅半导体衬底的带有偏角的方向上，耗尽抑制层和与耗尽抑制层相邻的一个沟槽之间的距离，不同于耗尽抑制层和与耗尽抑制层相邻的另一个沟槽之间的距离。
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公开(公告)号：CN102741661A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201080062969.1
申请日：2010-12-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01D5/245
CPC classification number: G01D5/147 , G01D5/145 , G01D5/24438 , G01R29/12 , G01R33/09
Abstract: 磁式位置检测装置（10）具备磁铁（4）、形成在沿着基板（3）的假想平面上的第1~第4磁电转换元件（1A~1D）、以及由磁性体构成的磁通导向器（5）。磁通导向器（5）包括在与假想平面平行的X轴方向上隔开间隔而设置的第1以及第2突出部（9B、9A）。在从与假想平面垂直的Z轴方向观察时，在第1以及第2突出部之间的中央附近的磁通导向器（5）中设置了凹状地凹陷的中央部（MP）。在从Z轴方向观察时，第1以及第4磁电转换元件（1A、1D）以覆盖中央部（MP）的一部分的方式设置于第1以及第2突出部之间的大致中央。在从Z轴方向观察时，第2磁电转换元件（1B）设置于第1突出部（9B）与中央部（MP）之间。在从Z轴方向观察时，第2磁电转换元件（1B）设置于第2突出部（9A）与中央部（MP）之间。
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公开(公告)号：CN103222039A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180054833.0
申请日：2011-04-18
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L24/13 , H01L21/0485 , H01L23/4827 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/452 , H01L2224/04026 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/0517 , H01L2224/05171 , H01L2224/05179 , H01L2224/0518 , H01L2224/05181 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05669 , H01L2224/05678 , H01L2224/29006 , H01L2224/2908 , H01L2224/29339 , H01L2224/32013 , H01L2224/32245 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83439 , H01L2224/8384 , H01L2924/01006 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于得到一种半导体元件，具有电极，该电极即使半导体元件在高温下、特别是175℃以上动作的情况下，半导体元件和金属纳米粒子烧结层也能够稳定地密接充分长时间。具有电极，该电极具备：含Ni金属层（4），形成于半导体元件构造部的至少一个面侧且包含Ni；Ni阻挡金属层（5），在含Ni金属层（4）的与半导体元件构造部相反的一侧的外侧形成；以及表面金属层（6），在Ni阻挡金属层（5）的与半导体元件构造部相反的一侧的外侧形成，且将与金属纳米粒子烧结层（9）连接，Ni阻挡金属层（5）含有降低Ni向表面金属层（6）的扩散的金属。
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公开(公告)号：CN1940586B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200610084417.6
申请日：2006-05-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00
Abstract: 提供一种磁场检测装置及其制造方法，该磁场检测装置具有结构简单的、在外部磁场中电阻不变化的参照用磁致电阻元件。该磁场检测装置包括：磁体；具有包含铁磁性层的层结构、且电阻随上述铁磁性层的磁化方向的变化而变化的检测用磁致电阻元件；以及具有与上述检测用磁致电阻元件大致相同的层结构、且在铁磁性层的感测磁的方向上被从上述磁体施加具有大于等于饱和磁场的强度的磁场的参照用磁致电阻元件。
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公开(公告)号：CN100541222C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200480041867.6
申请日：2004-09-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/09 , B82Y25/00 , G01R15/205 , G01R33/093
Abstract: 一种磁场检测器，具有参考磁电阻元件和磁场检测磁电阻元件。参考磁电阻元件和磁场检测磁电阻元件每一个都具有叠层结构，该叠层结构包括反铁磁层、磁化方向由反铁磁层固定的铁磁材料的固定层、非磁性层、以及磁化方向适合于由外磁场改变的铁磁材料的自由层。参考磁电阻元件使得在不存在磁场的情况下固定层的磁化方向与自由层的磁化方向彼此平行或反平行，磁场检测磁电阻元件使得在不存在磁场的情况下固定层的磁化方向与自由层的磁化方向彼此不同。从而，可提供一种无论何时需要都能够独自校准检测器的灵敏性和分辨率的磁场检测器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102741661B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201080062969.1
申请日：2010-12-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01D5/245
CPC classification number: G01D5/147 , G01D5/145 , G01D5/24438 , G01R29/12 , G01R33/09
Abstract: 磁式位置检测装置（10）具备磁铁（4）、形成在沿着基板（3）的假想平面上的第1~第4磁电转换元件（1A~1D）、以及由磁性体构成的磁通导向器（5）。磁通导向器（5）包括在与假想平面平行的X轴方向上隔开间隔而设置的第1以及第2突出部（9B、9A）。在从与假想平面垂直的Z轴方向观察时，在第1以及第2突出部之间的中央附近的磁通导向器（5）中设置了凹状地凹陷的中央部（MP）。在从Z轴方向观察时，第1以及第4磁电转换元件（1A、1D）以覆盖中央部（MP）的一部分的方式设置于第1以及第2突出部之间的大致中央。在从Z轴方向观察时，第2磁电转换元件（1B）设置于第1突出部（9B）与中央部（MP）之间。在从Z轴方向观察时，第2磁电转换元件（1B）设置于第2突出部（9A）与中央部（MP）之间。
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公开(公告)号：CN1940586A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610084417.6
申请日：2006-05-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00
Abstract: 提供一种磁场检测装置及其制造方法，该磁场检测装置具有结构简单的、在外部磁场中电阻不变化的参照用磁致电阻元件。该磁场检测装置包括：磁体；具有包含铁磁性层的层结构、且电阻随上述铁磁性层的磁化方向的变化而变化的检测用磁致电阻元件；以及具有与上述检测用磁致电阻元件大致相同的层结构、且在铁磁性层的感测磁的方向上被从上述磁体施加具有大于等于饱和磁场的强度的磁场的参照用磁致电阻元件。
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公开(公告)号：CN1924603A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610128852.4
申请日：2006-08-31
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G01R15/205
Abstract: 本发明提供一种能够依照用途自由地使检测范围及检测灵敏度变化的磁场检测装置。在磁阻效应元件(2)上外加偏置磁场(Hb)及外部磁场(Hex)。由于偏置磁场(Hb)及外部磁场(Hex)在同一直线上产生，所以偏置磁场(Hb)以妨碍被外加给磁阻效应元件(2)的外部磁场(Hex)的方式发挥功能。为此，磁阻效应元件(2)中的自由层的磁化就得以抑制。磁化矢量(42)的旋转角度也减少。从而，磁阻效应元件(2)相对于外部磁场(Hex)的电阻值的特性就按偏置磁场(Hb)来进行偏移。
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公开(公告)号：CN110462112B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201880019618.9
申请日：2018-02-20
Applicant: 三菱电机株式会社 , 国立大学法人名古屋大学
IPC: C30B29/36 , C30B19/04 , C30B25/20 , H01L21/205 , H01L21/208 , H01L21/329 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明的目的在于提供不污染加工装置的低缺陷密度的碳化硅基板、和使用有该碳化硅基板的碳化硅半导体装置。本发明涉及的碳化硅基板(10)是具备基板内侧部(11)、和包围基板内侧部(11)的基板外侧部(12)的碳化硅基板(10)，基板内侧部(11)的非掺杂剂金属杂质浓度为1×1016cm‑3以上，基板外侧部(12)中至少表面侧的区域是非掺杂剂金属杂质浓度不到1×1016cm‑3的基板表面区域(13)。
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公开(公告)号：CN102859654B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201180020657.9
申请日：2011-03-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/42
CPC classification number: H01L21/02529 , C30B25/02 , C30B25/186 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02587 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L21/6719 , H01L21/68771 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供表面平坦性极其良好且在外延生长后表现的胡萝卜缺陷及三角缺陷显著低密度的碳化硅外延晶片的制造方法。通过如下制造碳化硅外延晶片，即，第一工序，将与 面的倾斜角比5度更小的碳化硅块状衬底在还原性气体气氛中，在第一温度T1及处理时间t的条件下进行退火；第二工序，在还原性气体气氛中降低衬底温度；第三工序，以比第一工序中的退火温度T1更低的第二温度T2下供给至少包含硅原子的气体和包含碳原子的气体进行外延生长。
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