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公开(公告)号：CN102341893B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201080010581.7
申请日：2010-02-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/36 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/7802 , C30B25/02 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/0878 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/7395 , H01L29/7828 , H01L29/872
Abstract: 在偏角为5度以下的SiC半导体基板上成膜使聚束台阶高度和因平台上的反应种的迁移不良引起的结晶缺陷都减少的外延层。在偏角为5度以下的SiC半导体基板的表面上，且与该表面相接地，在生长温度T1下从时刻t1到时刻t2的期间内成膜第一层外延层。使反应炉的温度从生长温度T1降温至生长温度T2，在第一层外延层的表面上，且与该表面相接地，在生长温度T2(＜T1)下从时刻t3到时刻t4的期间内使第二层外延层外延生长。如上所述，将外延层设为两层结构，相比第一外延层将第二外延层的生长温度设定为低。
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公开(公告)号：CN103890539B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201180074445.9
申请日：2011-10-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01B11/06 , G01B9/02044 , G01B9/02084 , G01B11/0625
Abstract: 本发明涉及一种对形成于半导体基板的多层的外延层的膜厚进行测定的膜厚测定方法，对于在半导体基板(21)上，将与该半导体基板之间不存在实部折射率差的第1及第2外延层(22、23)按该顺序依次层叠而成的测定对象(20)，进行使用傅里叶变换红外分光光度计的反射干涉解析，并将第1外延层的厚度用作拟合参数，以使得所得到的反射干涉图案中因声子吸收而产生的折射率的异常分散区域附近的波数区域中出现的包含失真的干涉波形、与数值计算反射干涉图案中相同波数区域中的干涉波形之间没有偏差，此外，将在对数值计算反射干涉图案进行拟合时设定的第1外延层的厚度作为第1外延层的厚度的实际测量值。
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公开(公告)号：CN103890539A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201180074445.9
申请日：2011-10-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01B11/06 , G01B9/02044 , G01B9/02084 , G01B11/0625
Abstract: 本发明涉及一种对形成于半导体基板的多层的外延层的膜厚进行测定的膜厚测定方法，对于在半导体基板(21)上，将与该半导体基板之间不存在实部折射率差的第1及第2外延层(22、23)按该顺序依次层叠而成的测定对象(20)，进行使用傅里叶变换红外分光光度计的反射干涉解析反射解析，并将第1外延层的厚度用作拟合参数，以使得所得到的反射干涉图案中因声子吸收而产生的折射率的异常分散区域附近的波数区域中出现的包含失真的干涉波形、与数值计算反射干涉图案中相同波数区域中的干涉波形之间没有偏差，此外，将在对数值计算反射干涉图案进行拟合时设定的第1外延层的厚度作为第1外延层的厚度的实际测量值。
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公开(公告)号：CN102859654B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201180020657.9
申请日：2011-03-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/42
CPC classification number: H01L21/02529 , C30B25/02 , C30B25/186 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02587 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L21/6719 , H01L21/68771 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供表面平坦性极其良好且在外延生长后表现的胡萝卜缺陷及三角缺陷显著低密度的碳化硅外延晶片的制造方法。通过如下制造碳化硅外延晶片，即，第一工序，将与 面的倾斜角比5度更小的碳化硅块状衬底在还原性气体气氛中，在第一温度T1及处理时间t的条件下进行退火；第二工序，在还原性气体气氛中降低衬底温度；第三工序，以比第一工序中的退火温度T1更低的第二温度T2下供给至少包含硅原子的气体和包含碳原子的气体进行外延生长。
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公开(公告)号：CN104078331A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410112911.3
申请日：2014-03-25
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: C30B25/20 , C30B29/36 , C30B29/68 , Y10T428/24331 , Y10T428/24612
Abstract: 本发明可得到能够减少晶体缺陷的单晶4H-SiC衬底及其制造方法。准备具有平坦性的4H-SiC体材料单晶衬底（1）。在4H-SiC体材料单晶衬底（1）上外延生长具有凹部（2）的单晶4H-SiC层（3）。单晶4H-SiC层（3）的膜厚为X[μm]时，凹部（2）的直径Y[μm]是0.2×X[μm]以上、2×X[μm]以下，且凹部（2）的深度Z[nm]是0.95×X[μm]+0.5[nm]以上、10×X[μm]以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104995718B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201380072880.7
申请日：2013-12-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/36
CPC classification number: C30B25/20 , C30B25/02 , C30B25/10 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/0262
Abstract: 本发明提高在第1温度和第2温度下进行SiC外延生长时、可以抑制升温中的台阶聚束等的表面缺陷的产生的SiC外延晶片的制造方法。具备：向以带有不足5°的偏离角的4H‑SiC(0001)作为主面的SiC块状衬底上供给Si供给气体和C供给气体、在1480℃以上1530℃以下的第1温度进行第1外延生长的第1工序；停止Si供给气体和C供给气体的供给、将SiC块状衬底从第1温度向第2温度升温的第2工序；向在第2工序中被升温了的SiC块状衬底上供给Si供给气体和C供给气体、在第2温度下进行第2外延生长的第3工序。
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公开(公告)号：CN104078331B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410112911.3
申请日：2014-03-25
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: C30B25/20 , C30B29/36 , C30B29/68 , Y10T428/24331 , Y10T428/24612
Abstract: 本发明可得到能够减少晶体缺陷的单晶4H-SiC衬底及其制造方法。准备具有平坦性的4H-SiC体材料单晶衬底（1）。在4H-SiC体材料单晶衬底（1）上外延生长具有凹部（2）的单晶4H-SiC层3）。单晶4H-SiC层（3）的膜厚为X[μm]时，凹部2）的直径Y[μm]是0.2×X[μm]以上、2×X[μm]以下，且凹部（2）的深度Z[nm]是0.95×X[μm]+0.5[nm]以上、10×X[μm]以下。
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公开(公告)号：CN104995718A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201380072880.7
申请日：2013-12-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/36
CPC classification number: C30B25/20 , C30B25/02 , C30B25/10 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/0262
Abstract: 本发明提高在第1温度和第2温度下进行SiC外延生长时、可以抑制升温中的台阶聚束等的表面缺陷的产生的SiC外延晶片的制造方法。具备：向以带有不足5°的偏离角的4H-SiC(0001)作为主面的SiC块状衬底上供给Si供给气体和C供给气体、在1480℃以上1530℃以下的第1温度进行第1外延生长的第1工序；停止Si供给气体和C供给气体的供给、将SiC块状衬底从第1温度向第2温度升温的第2工序；向在第2工序中被升温了的SiC块状衬底上供给Si供给气体和C供给气体、在第2温度下进行第2外延生长的第3工序。
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公开(公告)号：CN102859654A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180020657.9
申请日：2011-03-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/42
CPC classification number: H01L21/02529 , C30B25/02 , C30B25/186 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02587 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L21/6719 , H01L21/68771 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供表面平坦性极其良好且在外延生长后表现的胡萝卜缺陷及三角缺陷显著低密度的碳化硅外延晶片的制造方法。通过如下制造碳化硅外延晶片，即，第一工序，将与 面的倾斜角比5度更小的碳化硅块状衬底在还原性气体气氛中，在第一温度T1及处理时间t的条件下进行退火；第二工序，在还原性气体气氛中降低衬底温度；第三工序，以比第一工序中的退火温度T1更低的第二温度T2下供给至少包含硅原子的气体和包含碳原子的气体进行外延生长。
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公开(公告)号：CN102341893A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201080010581.7
申请日：2010-02-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/36 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/7802 , C30B25/02 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/0878 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/7395 , H01L29/7828 , H01L29/872
Abstract: 在偏角为5度以下的SiC半导体基板上成膜使聚束台阶高度和因平台上的反应种的迁移不良引起的结晶缺陷都减少的外延层。在偏角为5度以下的SiC半导体基板的表面上，且与该表面相接地，在生长温度T1下从时刻t1到时刻t2的期间内成膜第一层外延层。使反应炉的温度从生长温度T1降温至生长温度T2，在第一层外延层的表面上，且与该表面相接地，在生长温度T2(＜T1)下从时刻t3到时刻t4的期间内使第二层外延层外延生长。如上所述，将外延层设为两层结构，相比第一外延层将第二外延层的生长温度设定为低。
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