公开(公告)号：CN102859654A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180020657.9

申请日：2011-03-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 富田信之 ,  浜野健一 ,  多留谷政良 ,  三谷阳一郎 ,  黑岩丈晴 ,  今泉昌之 ,  炭谷博昭 ,  大塚健一 ,  古庄智明 ,  泽田隆夫 ,  阿部雄次

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/02529 ,  C30B25/02 ,  C30B25/186 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68771 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供表面平坦性极其良好且在外延生长后表现的胡萝卜缺陷及三角缺陷显著低密度的碳化硅外延晶片的制造方法。通过如下制造碳化硅外延晶片，即，第一工序，将与 面的倾斜角比5度更小的碳化硅块状衬底在还原性气体气氛中，在第一温度T1及处理时间t的条件下进行退火；第二工序，在还原性气体气氛中降低衬底温度；第三工序，以比第一工序中的退火温度T1更低的第二温度T2下供给至少包含硅原子的气体和包含碳原子的气体进行外延生长。

公开(公告)号：CN102859654B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201180020657.9

申请日：2011-03-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 富田信之 ,  浜野健一 ,  多留谷政良 ,  三谷阳一郎 ,  黑岩丈晴 ,  今泉昌之 ,  炭谷博昭 ,  大塚健一 ,  古庄智明 ,  泽田隆夫 ,  阿部雄次

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/02529 ,  C30B25/02 ,  C30B25/186 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68771 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供表面平坦性极其良好且在外延生长后表现的胡萝卜缺陷及三角缺陷显著低密度的碳化硅外延晶片的制造方法。通过如下制造碳化硅外延晶片，即，第一工序，将与 面的倾斜角比5度更小的碳化硅块状衬底在还原性气体气氛中，在第一温度T1及处理时间t的条件下进行退火；第二工序，在还原性气体气氛中降低衬底温度；第三工序，以比第一工序中的退火温度T1更低的第二温度T2下供给至少包含硅原子的气体和包含碳原子的气体进行外延生长。

公开(公告)号：CN1628363A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN02829122.0

申请日：2002-06-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 泽田隆夫 ,  中田修平 ,  大野克巳 ,  山口博

IPC: H01J1/26 ,  H01J1/20 ,  H01J1/14 ,  H01J9/04

CPC classification number: H01J9/042 ,  H01J1/26

Abstract: 本发明的截止电压的变动降低方法是通过在阴极基体(7)的表面(7a)上加热而形成使上述阴极基体(7)向前方突出变形的金属层(9)，同时在上述阴极基体(7)的前面(7a)上直接或者经由上述金属层(9)形成电子发射物质层(11)，并具有通过加热上述电子发射物质层(11)使热电子从上述电子发射物质层(11)的前面(11a)释放的加热装置(5)的电子管用阴极的截止电压的变动降低方法，通过由于上述加热装置(5)的加热引起的上述金属层(9)产生的上述阴极基体(7)向前方的突出变形，使上述电子发射物质层(11)的前面(11a)向前方突出变形因消耗上述电子发射物质层(11)的前面(11a)而后退的部分。