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公开(公告)号：CN1918477A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200480041867.6
申请日：2004-09-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/09 , B82Y25/00 , G01R15/205 , G01R33/093
Abstract: 一种磁场检测器，具有参考磁电阻元件和磁场检测磁电阻元件。参考磁电阻元件和磁场检测磁电阻元件每一个都具有叠层结构，该叠层结构包括反铁磁层、磁化方向由反铁磁层固定的铁磁材料的固定层、非磁性层、以及磁化方向适合于由外磁场改变的铁磁材料的自由层。参考磁电阻元件使得在不存在磁场的情况下固定层的磁化方向与自由层的磁化方向彼此平行或反平行，磁场检测磁电阻元件使得在不存在磁场的情况下固定层的磁化方向与自由层的磁化方向彼此不同。从而，可提供一种无论何时需要都能够独自校准检测器的灵敏性和分辨率的磁场检测器。
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公开(公告)号：CN1924603B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200610128852.4
申请日：2006-08-31
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G01R15/205
Abstract: 本发明提供一种能够依照用途自由地使检测范围及检测灵敏度变化的磁场检测装置。在磁阻效应元件(2)上外加偏置磁场(Hb)及外部磁场(Hex)。由于偏置磁场(Hb)及外部磁场(Hex)在同一直线上产生，所以偏置磁场(Hb)以妨碍被外加给磁阻效应元件(2)的外部磁场(Hex)的方式发挥功能。为此，磁阻效应元件(2)中的自由层的磁化就得以抑制。磁化矢量(42)的旋转角度也减少。从而，磁阻效应元件(2)相对于外部磁场(Hex)的电阻值的特性就按偏置磁场(Hb)来进行偏移。
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公开(公告)号：CN1940586B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200610084417.6
申请日：2006-05-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00
Abstract: 提供一种磁场检测装置及其制造方法，该磁场检测装置具有结构简单的、在外部磁场中电阻不变化的参照用磁致电阻元件。该磁场检测装置包括：磁体；具有包含铁磁性层的层结构、且电阻随上述铁磁性层的磁化方向的变化而变化的检测用磁致电阻元件；以及具有与上述检测用磁致电阻元件大致相同的层结构、且在铁磁性层的感测磁的方向上被从上述磁体施加具有大于等于饱和磁场的强度的磁场的参照用磁致电阻元件。
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公开(公告)号：CN100541222C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200480041867.6
申请日：2004-09-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/09 , B82Y25/00 , G01R15/205 , G01R33/093
Abstract: 一种磁场检测器，具有参考磁电阻元件和磁场检测磁电阻元件。参考磁电阻元件和磁场检测磁电阻元件每一个都具有叠层结构，该叠层结构包括反铁磁层、磁化方向由反铁磁层固定的铁磁材料的固定层、非磁性层、以及磁化方向适合于由外磁场改变的铁磁材料的自由层。参考磁电阻元件使得在不存在磁场的情况下固定层的磁化方向与自由层的磁化方向彼此平行或反平行，磁场检测磁电阻元件使得在不存在磁场的情况下固定层的磁化方向与自由层的磁化方向彼此不同。从而，可提供一种无论何时需要都能够独自校准检测器的灵敏性和分辨率的磁场检测器。
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公开(公告)号：CN1940586A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610084417.6
申请日：2006-05-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00
Abstract: 提供一种磁场检测装置及其制造方法，该磁场检测装置具有结构简单的、在外部磁场中电阻不变化的参照用磁致电阻元件。该磁场检测装置包括：磁体；具有包含铁磁性层的层结构、且电阻随上述铁磁性层的磁化方向的变化而变化的检测用磁致电阻元件；以及具有与上述检测用磁致电阻元件大致相同的层结构、且在铁磁性层的感测磁的方向上被从上述磁体施加具有大于等于饱和磁场的强度的磁场的参照用磁致电阻元件。
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公开(公告)号：CN1924603A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610128852.4
申请日：2006-08-31
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G01R15/205
Abstract: 本发明提供一种能够依照用途自由地使检测范围及检测灵敏度变化的磁场检测装置。在磁阻效应元件(2)上外加偏置磁场(Hb)及外部磁场(Hex)。由于偏置磁场(Hb)及外部磁场(Hex)在同一直线上产生，所以偏置磁场(Hb)以妨碍被外加给磁阻效应元件(2)的外部磁场(Hex)的方式发挥功能。为此，磁阻效应元件(2)中的自由层的磁化就得以抑制。磁化矢量(42)的旋转角度也减少。从而，磁阻效应元件(2)相对于外部磁场(Hex)的电阻值的特性就按偏置磁场(Hb)来进行偏移。
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