公开(公告)号：CN116027643A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211167154.0

申请日：2022-09-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

Inventor： 崔海圆 ,  辛承敃 ,  朴相真 ,  辛在原 ,  朴智焕 ,  李根泽 ,  科里亚金·安东 ,  元俊皓 ,  许弼覠

IPC: G03F7/40

Abstract: 提供了衬底处理设备和衬底处理方法，其中通过多级压力控制来控制注入到超临界干燥容器中的CO2的流速。所述衬底处理方法包括：将涂覆有化学液体的衬底设置在处理室中，所述处理室包括在其中处理所述衬底的空间；通过使用超临界流体来干燥所述衬底；以及在所述衬底被干燥后，将所述衬底从所述处理室中取出。

公开(公告)号：CN116266036A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211545329.7

申请日：2022-12-01

Applicant: 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

Inventor： 辛承敃 ,  朴相真 ,  崔海圆 ,  李章晋 ,  朴智焕 ,  李根泽 ,  克里科里安·安东 ,  元俊皓 ,  成进荣 ,  许弼覠

IPC: G03F7/30 ,  G03F7/20

Abstract: 提供了一种用于处理衬底的装置和方法。该装置包括：至少一个第一工艺室，被配置为将显影剂供应到衬底上；至少一个第二工艺室，被配置为使用超临界流体处理衬底；传送室，被配置为将衬底从至少一个第一工艺室传送到至少一个第二工艺室，同时在至少一个第一工艺室中供应的显影剂残留在衬底上；以及温湿度控制系统，被配置为通过将恒温恒湿的第一气体供应到传送室中来管理传送室的温度和湿度。

公开(公告)号：CN118050960A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311374488.X

申请日：2023-10-23

Applicant: 细美事有限公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 姜亨奭 ,  元俊皓 ,  许弼覠 ,  赵弘灿 ,  金日宁 ,  朴相真 ,  辛承敃 ,  朴智焕 ,  李根泽

IPC: G03F7/40 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开提供了一种基板处理装置，其包括：腔室，被配置成提供用于处理基板的空间；基板支承部，被配置成在腔室中支承基板；上部供应端口，设置在腔室的上部分中，并且被配置成向基板的上表面上供应超临界流体；凹部，设置在腔室的上壁中并且具有扩散器形状，扩散器形状的直径从上部供应端口的出口逐渐增大；以及流体挡板，在凹部中设置在上部供应端口与基板之间，并且包括以相同的相位和几何尺寸重复地布置在空间中并且彼此流体连通的单元格。

公开(公告)号：CN112768373A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202011077967.1

申请日：2020-10-10

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 郑暎大 ,  金源根 ,  李智暎 ,  郑智训 ,  金泰信 ,  吴世勋 ,  许弼覠 ,  朴炫九

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明的基板处理装置包括：旋转单元，支承基板，并使基板旋转；药液喷出单元，向所述旋转单元喷出药液；药液回收单元，位于与所述旋转单元相邻的位置，并回收从所述旋转单元飞散的药液；以及激光照射单元，向所述基板照射激光，并加热所述基板，从而通过将激光照射于基板而调整基板温度，能够增加基于药液的蚀刻量。

公开(公告)号：CN116994981A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202210442568.3

申请日：2022-04-25

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 崔基熏 ,  金应秀 ,  许弼覠 ,  成进荣 ,  崔海圆 ,  A·科里阿金 ,  元俊皓

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明构思提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：腔室，在该腔室中具有处理空间；供应管线，在所述供应管线上安装有第一开/关阀，并且该供应管线配置成向所述处理空间供应处理流体；加热器，其安装在所述供应管线上并配置成加热所述处理流体；排出管线，在所述排出管线上安装有第二开/关阀，并且该排出管线配置成对所述处理空间进行排放；以及控制器，其配置成控制所述第一开/关阀和所述第二开/关阀，使得在所述处理空间中对基板执行处理工艺之前，将所述加热的处理流体供应到所述处理空间和从所述处理空间排出。

公开(公告)号：CN106711081A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201611011607.5

申请日：2016-11-17

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李知桓 ,  崔重奉 ,  许瓒宁 ,  许弼覠

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6875 ,  B08B3/04 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68757 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/6715

Abstract: 本发明涉及一种旋转头、包括所述旋转头的基板处理装置和方法。根据本发明的实施方式，所述旋转头包括放置基板的支撑板和放置在所述支撑板上并支撑所述基板侧部的卡盘销，其中所述卡盘销包括外本体和插入所述外本体中并且具有与所述外主体不同材料的内本体，其中所述外本体和所述内本体中的每个具有第一材料或第二材料中的任一种，并且其中所述第一材料和所述第二材料中的一种材料包括具有比另一种更低的导热性和更好的耐热性的材料。

公开(公告)号：CN119542184A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411212462.X

申请日：2024-08-30

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 许弼覠 ,  金旻佑 ,  姜亨奭 ,  A·科里阿金 ,  李俊熙

IPC: H01L21/67 ,  F26B5/16

Abstract: 本发明公开了一种基板处理装置及基板处理方法。该装置包括：腔室，该腔室用于提供用于处理基板的处理空间；以及处理流体供应单元，该处理流体供应单元用于将处理流体供应到处理空间，其中，处理流体供应单元包括：罐，该罐用于储存处理流体；加热单元，该加热单元用于加热罐中的处理流体以将处理流体从第一状态改变为第二状态；入口管线，该入口管线用于将第一状态的处理流体引入到罐中；供应管线，该供应管线用于将第二状态的处理流体从罐供应到腔室；循环管线，该循环管线用于使在罐中的处理流体循环；第一阀，该第一阀安装在循环管线中；以及温度下降构件，该温度下降构件安装在循环管线中以降低流经循环管线的处理流体的温度。

公开(公告)号：CN119446965A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411015550.0

申请日：2024-07-26

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 许弼覠 ,  姜基文 ,  元俊皓 ,  金炳宽 ,  赵弘灿

IPC: H01L21/67 ,  F26B25/18

Abstract: 本发明公开了一种处理基板的装置和方法，并具体公开了一种用于加工基板的装置，该装置包括：腔室，该腔室用于通过第一本体和第二本体的组合形成在其中执行用于基板的加工工艺的加工空间；以及驱动器，该驱动器用于使第一本体或第二本体中的任一者相对于另一者移动、使得第一本体与第二本体之间的相对位置在从外部密封加工空间的密封位置与打开加工空间的打开位置之间可以是能够改变的，其中第一本体在与第二本体接触的面上形成有第一突起物，第二本体形成有第一接收部，并且第一突起物设置为在第一本体和第二本体处于密封位置时被插入到第一接收部中。

公开(公告)号：CN112838025B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202011224945.3

申请日：2020-11-05

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 高定奭 ,  金善美 ,  洪志守 ,  金局生 ,  崔成彬 ,  许弼覠

IPC: H01L21/67 ,  B08B3/02

Abstract: 本公开涉及基板处理装置以及基板处理方法，基板处理装置包括：支承单元，支承基板，并使基板旋转；以及喷射单元，包括一个以上喷嘴，所述喷嘴将混合有清洗液和二氧化碳的二流体向基板喷射。

公开(公告)号：CN112992726B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202011458403.2

申请日：2020-12-11

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 高定奭 ,  李在晟 ,  林度延 ,  金局生 ,  郑暎大 ,  金泰信 ,  李智暎 ,  金源根 ,  郑智训 ,  金光燮 ,  许弼覠 ,  史允基 ,  延蕊林 ,  尹铉 ,  金度延 ,  徐溶晙 ,  金昺槿 ,  严永堤

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明公开了用于蚀刻薄层的方法和设备，所述薄层包括形成在基板上的氮化硅。在所述基板上供应包括磷酸和水的蚀刻剂，使得在所述基板上形成液层。通过在所述薄层和所述蚀刻剂的反应来蚀刻所述薄层。测量所述液层的厚度，以在蚀刻所述薄层的同时检测所述液层的所述厚度的变化。基于所述液层的所述厚度的所述变化来计算所述磷酸和所述水的浓度的变化。基于所述磷酸和所述水的所述浓度的所述变化在所述基板上供应水，使得所述磷酸和所述水的所述浓度变为预定值。