公开(公告)号：CN112233965B

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202010672057.1

申请日：2020-07-14

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金度宪 ,  崔基勋 ,  许瓒宁 ,  姜基文

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种处理基板的方法。在一个实施例中，将超临界流体供应至腔室中的处理空间，从而处理所述处理空间中的基板。在排放所述处理空间的情况下，将所述超临界流体供应到所述处理空间。当排放所述处理空间时供应的所述超临界流体的温度，高于供应到所述处理空间用于处理所述基板的所述超临界流体的温度。

公开(公告)号：CN110896043B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN201910852522.7

申请日：2019-09-10

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 崔基勋 ,  许瓒宁 ,  金度宪 ,  崔海圆 ,  李在晟 ,  A·科里阿金 ,  郑址洙

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  G03F7/30

Abstract: 一种用于处理基板的装置包括：显影室，其通过供应显影溶液对基板执行显影工艺；超临界室，其通过供应超临界流体来处理基板；和传送室，其具有传送单元，该传送单元在显影室与超临界室之间传送基板W。

公开(公告)号：CN110416121A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910350495.3

申请日：2019-04-28

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李在晟 ,  崔基勋 ,  崔海圆 ,  A·科里阿金 ,  许瓒宁 ,  金度宪 ,  郑址洙

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种用于处理基板的装置，其包括在内部具有处理空间的腔室、在所述处理空间中支承所述基板的基板支承单元、以及安装在所述腔室中并调节所述处理空间中的温度的温度调节单元。所述温度调节单元包括加热所述处理空间的加热构件、以及冷却所述处理空间的冷却构件。所述冷却构件位于比所述加热构件更靠近所述腔室的中心轴线。

公开(公告)号：CN104078388A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410124436.1

申请日：2014-03-28

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 郑仁一 ,  郑恩先 ,  许瓒宁 ,  朴正善 ,  金性洙

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/00 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明提供一种衬底处理设备。该衬底处理设备包括：干燥室，在该干燥室中通过使用作为超临界流体提供的流体溶解残留在衬底上的有机溶剂以干燥衬底；将流体供应到干燥室中的供应单元；和再循环单元，其包括用于从由干燥室排放的流体中分离有机溶剂以再循环流体的分离器，该再循环单元将再循环流体供应到供应单元中。所述分离器包括：其中引入包含第一浓度有机溶剂的流体的蒸馏器；加热从蒸馏器排放的包含第二浓度有机溶剂的流体的加热单元，该加热单元将蒸发的包含第三浓度有机溶剂的流体供应到蒸馏器中；使从蒸馏器排放的包含第四浓度有机溶剂的流体液化的冷凝单元。有机溶剂具有在浓度上依次降低的第二浓度、第一浓度、第三浓度和第四浓度。

公开(公告)号：CN112289702B

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202010698255.5

申请日：2020-07-20

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 许瓒宁 ,  崔基勋 ,  姜基文 ,  金度宪 ,  李在晟

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种用于处理基板的设备包括：处理腔室，在处理腔室中限定有处理空间；支撑单元，用于在处理空间中支撑基板；流体供应单元，用于将超临界流体供应到处理空间；以及控制器，其构造成控制流体供应单元，其中流体供应单元被构造成将超临界流体以第一密度或高于第一密度的第二密度选择性地供应至处理空间中。因此，当使用超临界流体干燥基板时，可以提高基板的干燥效率。

公开(公告)号：CN111081595B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201910968081.7

申请日：2019-10-12

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李在晟 ,  崔海圆 ,  崔基勋 ,  科里阿金 ,  许瓒宁 ,  金度宪 ,  郑址洙

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明的一实施例提供一种超临界处理装置，包括：器皿，具备在中央形成有第一流体孔的上器皿和在中央形成有第二流体孔的下器皿；以及空间部，在所述上器皿与所述下器皿之间布置基板，在所述上器皿的下部设置有第一引导部，所述第一引导部形成为从所述第一流体孔越向周边侧向下倾斜。

公开(公告)号：CN111048401A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201910962253.X

申请日：2019-10-11

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 崔海园 ,  崔基勋 ,  李在晟 ,  许瓒宁 ,  A·科里阿金 ,  金度宪 ,  郑址洙

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种用于清洁基板的组合物。根据一个实施方式，用于清洁基板的组合物包含有机溶剂，该有机溶剂针对聚苯乙烯胶乳的汉森溶解度参数为5以上至12以下。

公开(公告)号：CN110416121B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN201910350495.3

申请日：2019-04-28

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李在晟 ,  崔基勋 ,  崔海圆 ,  A·科里阿金 ,  许瓒宁 ,  金度宪 ,  郑址洙

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种用于处理基板的装置，其包括在内部具有处理空间的腔室、在所述处理空间中支承所述基板的基板支承单元、以及安装在所述腔室中并调节所述处理空间中的温度的温度调节单元。所述温度调节单元包括加热所述处理空间的加热构件、以及冷却所述处理空间的冷却构件。所述冷却构件位于比所述加热构件更靠近所述腔室的中心轴线。

公开(公告)号：CN112233965A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN202010672057.1

申请日：2020-07-14

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金度宪 ,  崔基勋 ,  许瓒宁 ,  姜基文

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种处理基板的方法。在一个实施例中，将超临界流体供应至腔室中的处理空间，从而处理所述处理空间中的基板。在排放所述处理空间的情况下，将所述超临界流体供应到所述处理空间。当排放所述处理空间时供应的所述超临界流体的温度，高于供应到所述处理空间用于处理所述基板的所述超临界流体的温度。

公开(公告)号：CN110739203A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201910653248.0

申请日：2019-07-19

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 崔海园 ,  A·科里阿金 ,  郑址洙 ,  崔基勋 ,  李在晟 ,  许瓒宁 ,  金度宪

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  G03F7/30

Abstract: 一种基板处理方法包括：通过将显影流体涂覆到经过曝光工艺和后烘工艺的基板而对所述基板执行显影工艺；将冲洗流体涂覆到经过所述显影工艺的所述基板；以及将涂覆有所述冲洗流体的所述基板移动到高压腔室且通过使用超临界流体处理所述基板。