公开(公告)号：CN107564836A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201710523906.5

申请日：2017-06-30

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李知桓 ,  崔重奉 ,  許瓒宁 ,  許弼覠 ,  姜秉万

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 公开了一种基板处理装置。基板处理装置包括：旋转头；支撑轴，其与旋转头的下部连接以支撑旋转头；销，其位于旋转头的上表面上以支撑基板并且在其内部具有空间；和喷嘴构件，其被构造成向位于旋转头上的基板供应液体。

公开(公告)号：CN117012603A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202210469371.9

申请日：2022-04-28

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金东勋 ,  裵多顺 ,  朴玩哉 ,  李城吉 ,  严永堤 ,  李知桓 ,  吴东燮 ,  卢明燮 ,  丘峻宅 ,  金杜里

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供能够使等离子体的均匀性极大化的基板处理装置和方法。基板处理方法包括：提供基板处理装置，所述基板处理装置包括：处理空间，用于处理基板；以及等离子体生成模块，生成用于处理基板的等离子体，等离子体生成模块包括：多个第一电极，在第一方向上彼此并排地配置；多个第二电极，在与第一方向不同的第二方向上彼此并排地配置；以及阵列，包括与多个第一电极以及多个第二电极连接的多个微等离子体单元；向多个微等离子体单元提供工艺气体，向处理空间提供反应气体；以及通过向第一微等离子体单元提供第一大小的第一能量，并向第二微等离子体单元提供第二能量，来使在第一微等离子体单元和第二微等离子体单元生成的等离子体的自由基量不同。

公开(公告)号：CN106711081B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201611011607.5

申请日：2016-11-17

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李知桓 ,  崔重奉 ,  许瓒宁 ,  许弼覠

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及一种旋转头、包括所述旋转头的基板处理装置和方法。根据本发明的实施方式，所述旋转头包括放置基板的支撑板和放置在所述支撑板上并支撑所述基板侧部的卡盘销，其中所述卡盘销包括外本体和插入所述外本体中并且具有与所述外主体不同材料的内本体，其中所述外本体和所述内本体中的每个具有第一材料或第二材料中的任一种，并且其中所述第一材料和所述第二材料中的一种材料包括具有比另一种更低的导热性和更好的耐热性的材料。

公开(公告)号：CN113410162B

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202110279903.8

申请日：2021-03-16

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金东勋 ,  朴玩哉 ,  李城吉 ,  李知桓 ,  严永堤 ,  吴东燮 ,  卢明燮

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311 ,  H01J37/305 ,  H01J37/32 ,  H01J37/02

Abstract: 本公开提供了一种用于处理基板的设备。在一个实施例中，一种基板处理设备包括：处理腔室，所述处理腔室具有内部空间；支撑单元，所述支撑单元将基板支撑在所述内部空间中；处理气体供应单元，所述处理气体供应单元用于将处理气体供应到所述内部空间；以及等离子体源，所述等离子体源在所述内部空间中将所述处理气体激发至等离子体状态，其中所述处理气体供应单元包括加热器，所述加热器加热所述处理气体。

公开(公告)号：CN112786490B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202011239668.3

申请日：2020-11-09

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李知桓

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 提供传送单元、包括该传送单元的基板处理装置以及基板处理方法。所述基板处理装置包括：支撑板；多个突起，其从支撑板向上突出以支撑基板；温度调节构件，其设置在支撑板中以用于加热或冷却基板；和超声施加构件，其在放置于多个突起上的基板与支撑板之间施加超声。

公开(公告)号：CN114203577A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202110899932.4

申请日：2021-08-06

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 严永堤 ,  丘峻宅 ,  朴玩哉 ,  金东勳 ,  李城吉 ,  李知桓 ,  吴东燮 ,  卢明燮 ,  金杜里

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明提供能够改变诸如退火腔室的热处理腔室的数量的基板处理装置及具备基板处理装置的基板处理系统。所述基板处理装置包括：第一腔室，对基板进行热处理；以及第二腔室，以热处理之外的其它方式处理基板，其中，第一腔室的数量根据需要对基板进行热处理的第二腔室的数量而改变。

公开(公告)号：CN114171380A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202111047348.2

申请日：2021-09-07

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 丘峻宅 ,  李城吉 ,  朴玩哉 ,  严永堤 ,  金东勳 ,  李知桓 ,  吴东燮 ,  卢明燮 ,  金杜里

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供电特性和可靠性提高的半导体装置的制造方法。所述半导体装置的制造方法包括：提供基板，所述基板上依次堆叠有第一氧化膜、氮化膜和第二氧化膜，并且形成有贯通所述第一氧化膜、所述氮化膜和所述第二氧化膜的沟槽；利用第一等离子体工艺去除由所述沟槽暴露的所述氮化膜的一部分的同时，对由所述沟槽暴露的所述氧化膜进行倒角；以及利用第二等离子体工艺去除在所述第一等离子体工艺之后留下的氮化膜。

公开(公告)号：CN112908889B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202011293430.9

申请日：2020-11-18

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李知桓 ,  李城吉 ,  吴东燮 ,  卢明燮 ,  金东勋 ,  朴玩哉

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供一种用于处理基板的方法，用于处理所述基板的所述方法包括：去除形成在所述基板上的膜；使用等离子体状态的处理气体执行预处理以对形成在所述基板上的所述膜进行表面处理；以及通过在所述预处理之后将处理液体供应到所述基板上来执行液体处理以从所述基板去除所述膜。

公开(公告)号：CN116936441A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202210359420.3

申请日：2022-04-06

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金经晩 ,  韩定宇 ,  李知桓 ,  朴玩哉 ,  朱润钟 ,  裵晟学

IPC: H01L21/683 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种支承单元及基板处理装置。该支承单元包括：支承板，基板放置在该支承板上，并且该支承板包括向基板提供静电力的静电电极；加热器，该加热器设置在支承板内侧、并配置为加热基板；绝缘板，该绝缘板作为绝缘物质、设置在支承板下方；双金属构件，该双金属构件设置在支承板内侧并配置为补偿支承板由于热量而引起的弯曲，其中，双金属构件包括：销，该销设置成与放置在支承件上的基板的底表面为可接触的；第一构件，该第一构件配置为支承销；第二构件，该第二构件设置成围绕第一构件，并且销设置为根据第一构件与第二构件之间的热变形量的差而向上移动或向下移动。

公开(公告)号：CN113410162A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110279903.8

申请日：2021-03-16

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金东勋 ,  朴玩哉 ,  李城吉 ,  李知桓 ,  严永堤 ,  吴东燮 ,  卢明燮

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311 ,  H01J37/305 ,  H01J37/32 ,  H01J37/02

Abstract: 本公开提供了一种用于处理基板的设备。在一个实施例中，一种基板处理设备包括：处理腔室，所述处理腔室具有内部空间；支撑单元，所述支撑单元将基板支撑在所述内部空间中；处理气体供应单元，所述处理气体供应单元用于将处理气体供应到所述内部空间；以及等离子体源，所述等离子体源在所述内部空间中将所述处理气体激发至等离子体状态，其中所述处理气体供应单元包括加热器，所述加热器加热所述处理气体。