公开(公告)号：CN116027643A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211167154.0

申请日：2022-09-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

Inventor： 崔海圆 ,  辛承敃 ,  朴相真 ,  辛在原 ,  朴智焕 ,  李根泽 ,  科里亚金·安东 ,  元俊皓 ,  许弼覠

IPC: G03F7/40

Abstract: 提供了衬底处理设备和衬底处理方法，其中通过多级压力控制来控制注入到超临界干燥容器中的CO2的流速。所述衬底处理方法包括：将涂覆有化学液体的衬底设置在处理室中，所述处理室包括在其中处理所述衬底的空间；通过使用超临界流体来干燥所述衬底；以及在所述衬底被干燥后，将所述衬底从所述处理室中取出。

公开(公告)号：CN118248514A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311783885.2

申请日：2023-12-22

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 崔伦硕 ,  金润相 ,  李相政 ,  辛在原 ,  朴钟源

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明构思提供了一种用于处理基板的装置。该基板处理装置包括：具有处理空间的腔室；配置为在处理空间中支承基板的支承单元；定位在处理空间上方的窗板；以及形成在窗板上的导电层，其中，窗板的底表面暴露于处理空间，并且导电层形成在窗板的顶表面和底表面中的顶表面上。

公开(公告)号：CN115966485A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202210853629.5

申请日：2022-07-11

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 辛在原 ,  李在晟 ,  崔海圆 ,  元俊皓 ,  科里亚金·安东 ,  金旻祐 ,  姜亨奭 ,  金应秀 ,  许弼覠 ,  成进荣

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供设置在管道内以稳定内部气流的流动阻力产生单元及包括其的基板处理装置。基板处理装置包括壳体；支承单元，设置在壳体内部，并且在两侧支承基板；加热部件，设置于壳体的侧壁，并且用于产生用于处理基板的热量；流体供应单元，用于向壳体的内部供应用于处理基板的流体，并且包括上部流体供应部、下部流体供应部和供应管道，上部流体供应部用于向基板的上部供应流体，下部流体供应部用于向基板的下部供应流体，供应管道与上部流体供应部和下部流体供应部中的至少一个流体供应部连接；以及流动阻力产生单元，设置于供应管道，并且对通过供应管道的流体产生流动阻力，其中，流动阻力产生单元设置在供应管道所包括的曲管与流体供应部之间。

公开(公告)号：CN117059464A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202310487686.0

申请日：2023-04-28

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李相政 ,  奉允根 ,  崔伦硕 ,  辛在原 ,  姜汉林 ,  朴钟源 ,  曹玹玗 ,  张径熏

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供一种基板处理设备，包括:具有处理空间的腔室、布置在所述腔室的上部并且配置以覆盖所述腔室的上表面的介质窗、以及布置在所述介质窗上并且配置以用于提供射频功率以从所述处理空间中的气体产生等离子体的射频源。其中，所述射频源包括设置在所述介质窗上的射频电极和设置在所述射频电极上的射频板，所述介质窗包括从所述介质窗的最上表面垂直向下延伸的凹槽，且所述射频板呈环形。

公开(公告)号：CN117254246A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202310153569.0

申请日：2023-02-22

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 崔伦硕 ,  李相政 ,  辛在原 ,  曹玹玗 ,  朴钟源

IPC: H01Q1/36 ,  H01Q1/48 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/12

Abstract: 一种天线构件包括彼此旋转对称的第一线圈和第二线圈，其中，第一线圈包括被施加电流的第一电源端子、连接到地的第一接地端子以及在第一电源端子和第一接地端子之间分路的第一分路电容器，第二线圈包括被施加电流的第二电源端子、连接到地的第二接地端子以及在第二电源端子和第二接地端子之间分路的第二分路电容器，第一线圈包括弧形的第一部分和弧形的第二部分，并且第一部分和第二部分整体形成单匝绕组，第二线圈包括弧形的第一部分和弧形的第二部分，并且第一部分和第二部分整体形成单匝绕组，第二部分的高度低于第一部分的高度，第二线圈的第二部分设置在第一线圈的第一部分的下方，以及第一线圈的第二部分设置在第二线圈的第一部分的下方。

公开(公告)号：CN117080040A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202310539862.0

申请日：2023-05-15

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 崔伦硕 ,  金润相 ,  奉允根 ,  辛在原 ,  朴钟源

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开提供了一种基板处理设备，以在单个装置中提供对基板的加热和等离子体处理，并且基板处理设备包括：处理容器，在其中容纳基板；支承构件，在处理容器中支承基板；等离子体提供单元，包括在处理容器内生成等离子体的电极；以及微波引入单元，连接到微波生成单元，并且向处理容器中引入微波。