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公开(公告)号：CN108074883B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201710742374.4
申请日：2017-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件、其制造方法以及使用其的电子元件模块。所述半导体封装件包括：板部件，所述板部件包括其中设置有元件容纳区域的芯层以及设置在所述芯层的顶表面和底表面上的积层；电子元件，设置在所述元件容纳区域中；及块状导体，设置在所述积层内并且电连接到所述电子元件的端子。
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公开(公告)号：CN102142442B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201010611021.9
申请日：2010-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/24 , H01L27/22 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L21/8229 , H01L45/00 , H01L43/00 , H01L43/12
Abstract: 本发明公开了半导体器件及其形成方法。根据本发明的一种半导体器件包括：设置在衬底上的层间绝缘层，该层间绝缘层包括暴露衬底的开口；设置在该开口中的阻挡层图案；以及设置在阻挡层图案上的导电图案，导电图案具有从该开口伸出的氧化部分和位于该开口中的非氧化部分，其中导电图案的宽度由阻挡层图案的厚度决定。本发明还提供了形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN102142442A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010611021.9
申请日：2010-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/24 , H01L27/22 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L21/8229 , H01L45/00 , H01L43/00 , H01L43/12
Abstract: 本发明公开了半导体器件及其形成方法。根据本发明的一种半导体器件包括：设置在衬底上的层间绝缘层，该层间绝缘层包括暴露衬底的开口；设置在该开口中的阻挡层图案；以及设置在阻挡层图案上的导电图案，导电图案具有从该开口伸出的氧化部分和位于该开口中的非氧化部分，其中导电图案的宽度由阻挡层图案的厚度决定。本发明还提供了形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN108695256B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201810288543.6
申请日：2018-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234
Abstract: 本申请提供了一种制造半导体装置的方法以及半导体装置。该制造半导体装置的方法包括：将衬底的上部图案化，以形成第一有源图案，所述衬底包括具有第一晶格常数的半导体元素；在第一有源图案的上部上执行选择性外延生长工艺，以形成第一源极/漏极区；为第一源极/漏极区掺杂镓；在掺有镓的第一源极/漏极区上执行退火工艺；以及形成连接至第一源极/漏极区的第一接触图案。第一源极/漏极区包括具有大于第一晶格常数的第二晶格常数的半导体元素。
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公开(公告)号：CN104378631B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201410395159.8
申请日：2014-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N19/112 , H04N19/147 , H04N19/33
CPC classification number: H04N7/0117 , H04N19/59
Abstract: 提供了一种使用最小失真值选择分辨率的方法和执行所述方法的装置。一种根据示例实施例的操作图像处理的方法包括：使用从视频源输出的原始图像产生具有不同分辨率的多个编码比特流；产生分别与所述多个编码比特流相应的多个恢复的图像，所述多个恢复的图像具有与原始图像的第一分辨率相同的分辨率；基于所述多个恢复的图像和原始图像来输出所述多个编码比特流中的一个。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106559606A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610842913.7
申请日：2016-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种镜头阴影校正电路、一种片上系统、一种数据处理系统和一种用于图像的镜头阴影校正的数据处理方法。所述镜头阴影校正电路包括：增益发生器，配置为响应于增益生成参数对于输入图像的每个像素生成第一增益值；以及调节电路，配置为接收第一增益值和第一YUV数据，并使用第一增益值和第一YUV数据的Y值中的至少一个调节第一YUV数据的U值和V值中的至少一个。
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公开(公告)号：CN104378631A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410395159.8
申请日：2014-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N19/112 , H04N19/147 , H04N19/33
CPC classification number: H04N7/0117 , H04N19/59
Abstract: 本发明提供了一种使用最小失真值选择分辨率的方法和执行所述方法的装置。一种根据示例实施例的操作图像处理的方法包括：使用从视频源输出的原始图像产生具有不同分辨率的多个编码比特流；产生分别与所述多个编码比特流相应的多个恢复的图像，所述多个恢复的图像具有与原始图像的第一分辨率相同的分辨率；基于所述多个恢复的图像和原始图像来输出所述多个编码比特流中的一个。
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公开(公告)号：CN103686191A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310389664.7
申请日：2013-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N19/597
CPC classification number: H04N13/161 , H04N19/42 , H04N19/597
Abstract: 提供一种处理多视点图像的方法以及用于执行所述方法的设备。所述多视点图像处理设备包括：第一视频编解码器模块，被配置为输出第一图像处理数据作为对从第一图像源提供的第一图像信号进行处理的结果，并且在每个预定时间产生同步信息；第二视频编解码器模块，被配置为输出第二图像处理数据作为根据同步信息使用输出的第一图像处理数据的一部分对从第二图像源提供的第二图像信号进行处理的结果。第一图像处理数据和第二图像处理数据被组合为多视点图像。
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公开(公告)号：CN100576450C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200510116124.7
申请日：2005-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L27/115
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括，在衬底上形成绝缘图形。绝缘图形具有露出衬底表面的至少一个开口。然后，在衬底上形成第一多晶硅层，以便第一多晶硅层填充开口。第一多晶硅层还包括在其中的空隙。第一多晶硅层的上部被除去，以便空隙扩大到凹部，以及凹部被露出。在衬底上形成第二多晶硅层，以便第二多晶硅层填充凹部。
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公开(公告)号：CN100365785C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200410092330.4
申请日：2004-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/85 , B23K20/004 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L2224/05553 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/49171 , H01L2224/78268 , H01L2224/78301 , H01L2224/786 , H01L2224/7865 , H01L2224/789 , H01L2224/78901 , H01L2224/85045 , H01L2224/851 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00015
Abstract: 控制器可以接收来自引线焊接监视系统的断线信号和操作线夹以夹住断线。可以包括拉线操作、线尾形成操作和小球形成操作的一系列操作可以自动执行。传感器可以测量引线拉动毛细管的长度和可以在线尾上形成的小球的位置。为了利用传感器信息拉动引线，辅助线夹可以安装在线夹和毛细管之间。
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