晶片清洗系统
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1267971C

    公开(公告)日:2006-08-02

    申请号:CN03107357.3

    申请日:2003-03-20

    Abstract: 本发明的各实施例包括超声能量清洗装置,能够旋转要清洁的晶片,并在清洁作用期间旋转清洁探杆。清洁晶片的同时旋转清洁探杆可以有效地增加装置的清洁作用,同时减小了形成晶片图形损伤。在旋转的清洁探杆中腐蚀出弯曲的槽,例如螺旋槽,可以减少潜在地损伤晶片表面或已形成在表面上的结构的有害波。使用具有弯曲槽的清洁探杆同时也旋转清洁探杆可以有效地从晶片上清洁掉粒子,同时也限制了对晶片表面的损伤。

    晶片清洗系统
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1453827A

    公开(公告)日:2003-11-05

    申请号:CN03107357.3

    申请日:2003-03-20

    Abstract: 本发明的各实施例包括超声能量清洗装置,能够旋转要清洁的晶片,并在清洁作用期间旋转清洁探杆。清洁晶片的同时旋转清洁探杆可以有效地增加装置的清洁作用,同时减小了形成晶片图形损伤。在旋转的清洁探杆中腐蚀出弯曲的槽,例如螺旋槽,可以减少潜在地损伤晶片表面或已形成在表面上的结构的有害波。使用具有弯曲槽的清洁探杆同时也旋转清洁探杆可以有效地从晶片上清洁掉粒子,同时也限制了对晶片表面的损伤。

    湿蚀刻方法及使用其制造半导体装置的方法

    公开(公告)号:CN116453970A

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202310024420.2

    申请日:2023-01-09

    Abstract: 提供了一种湿蚀刻方法和制造半导体装置的方法。所述湿蚀刻方法包括:将包括蚀刻目标膜的结构提供到容纳具有第一磷酸浓度的第一蚀刻溶液的处理浴槽中;在处理浴槽中用第一蚀刻溶液执行用于对蚀刻目标膜进行蚀刻的第一蚀刻工艺;通过改变第一蚀刻溶液中的磷酸浓度来提供具有与第一磷酸浓度不同的第二磷酸浓度的第二蚀刻溶液;在处理浴槽中用第二蚀刻溶液执行用于对蚀刻目标膜进行蚀刻的第二蚀刻工艺;通过改变第二蚀刻溶液中的磷酸浓度来提供具有与第一磷酸浓度和第二磷酸浓度不同的第三磷酸浓度的第三蚀刻溶液;以及在处理浴槽中用第三蚀刻溶液执行用于对蚀刻目标膜进行蚀刻的第三蚀刻工艺。

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