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公开(公告)号：CN1267971C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN03107357.3
申请日：2003-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/302 , B08B3/12
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/12 , Y10S134/902 , Y10S438/906
Abstract: 本发明的各实施例包括超声能量清洗装置，能够旋转要清洁的晶片，并在清洁作用期间旋转清洁探杆。清洁晶片的同时旋转清洁探杆可以有效地增加装置的清洁作用，同时减小了形成晶片图形损伤。在旋转的清洁探杆中腐蚀出弯曲的槽，例如螺旋槽，可以减少潜在地损伤晶片表面或已形成在表面上的结构的有害波。使用具有弯曲槽的清洁探杆同时也旋转清洁探杆可以有效地从晶片上清洁掉粒子，同时也限制了对晶片表面的损伤。
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公开(公告)号：CN100576450C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200510116124.7
申请日：2005-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L27/115
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括，在衬底上形成绝缘图形。绝缘图形具有露出衬底表面的至少一个开口。然后，在衬底上形成第一多晶硅层，以便第一多晶硅层填充开口。第一多晶硅层还包括在其中的空隙。第一多晶硅层的上部被除去，以便空隙扩大到凹部，以及凹部被露出。在衬底上形成第二多晶硅层，以便第二多晶硅层填充凹部。
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公开(公告)号：CN1881531A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610093739.7
申请日：2006-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/82 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L21/02068 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L28/91
Abstract: 在处理半导体结构的方法和使用其形成半导体器件的电容器的方法中，可以使用具有小于水的表面张力的清洗溶液来清洗半导体衬底。可以在异丙醇蒸气气氛中干燥半导体结构。
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公开(公告)号：CN1654713A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510009448.0
申请日：2005-02-16
Applicant: 三星电子株式会社 , 东友FINE-CHEM.株式会社
IPC: C23G5/036 , H01L21/30 , H01L21/82 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L21/02071 , C11D3/0073 , C11D3/042 , C11D3/046 , C11D3/2082 , C11D3/30 , C11D3/364 , C11D3/39 , C11D3/3947 , C11D11/0047 , C23G1/106
Abstract: 一种用于半导体晶片处理的防腐蚀清洁剂，该清洁剂包括至少由水、表面活性剂和防腐蚀化合物构成的水混合物，其中防腐蚀化合物选自由氨基磷酸酯、聚胺和聚羧酸组成的组中。混合物中的防腐蚀化合物的量优选在从大约0.0001wt％至大约0.1wt％的范围内，而表面活性剂的量优选在从大约0.001wt％至大约1.0wt％的范围内。该水混合物还可以包括用作氧化物蚀刻剂的硫酸和氟化物以及用作金属蚀刻剂的过氧化物。
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公开(公告)号：CN1452218A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN03108456.7
申请日：2003-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/302 , B08B3/12
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/12 , Y10S134/902
Abstract: 一种晶片清洁装置，包括放置在晶片侧部的能量集中消除部件。探杆的延伸部分基本上平行晶片表面并在其之上延伸。振动器附装到探杆的后端以振动探杆，以便该延伸部分将声振动能量传递到晶片并驱除杂质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1779916A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510116124.7
申请日：2005-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L27/115
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括，在衬底上形成绝缘图形。绝缘图形具有露出衬底表面的至少一个开口。然后，在衬底上形成第一多晶硅层，以便第一多晶硅层填充开口。第一多晶硅层还包括在其中的空隙。第一多晶硅层的上部被除去，以便空隙扩大到凹部，以及凹部被露出。在衬底上形成第二多晶硅层，以便第二多晶硅层填充凹部。
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公开(公告)号：CN1453827A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03107357.3
申请日：2003-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/302 , B08B3/12
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/12 , Y10S134/902 , Y10S438/906
Abstract: 本发明的各实施例包括超声能量清洗装置，能够旋转要清洁的晶片，并在清洁作用期间旋转清洁探杆。清洁晶片的同时旋转清洁探杆可以有效地增加装置的清洁作用，同时减小了形成晶片图形损伤。在旋转的清洁探杆中腐蚀出弯曲的槽，例如螺旋槽，可以减少潜在地损伤晶片表面或已形成在表面上的结构的有害波。使用具有弯曲槽的清洁探杆同时也旋转清洁探杆可以有效地从晶片上清洁掉粒子，同时也限制了对晶片表面的损伤。
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公开(公告)号：CN1447392A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN02143435.2
申请日：2002-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B3/12
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/12 , Y10S134/902
Abstract: 提供一种用于去掉晶片上的污染物颗粒的强声波清洗设备。强声波清洗设备包括压电变换器和能量传输棒。压电变换器用于产生强声波能量。沿着晶片径向安装在晶片上的能量传输棒用于给晶片上的清洗液分配能量和用于振动清洗液。能量传输棒的形状和尺寸使得通过清洗液在晶片径向均匀分配能量，由此从晶片去掉污染物颗粒。
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公开(公告)号：CN100336178C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN03108456.7
申请日：2003-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/302 , B08B3/12
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/12 , Y10S134/902
Abstract: 一种晶片清洁装置，包括放置在晶片侧部的能量集中消除部件。探杆的延伸部分基本上平行晶片表面并在其之上延伸。振动器附装到探杆的后端以振动探杆，以便该延伸部分将声振动能量传递到晶片并驱除杂质。
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公开(公告)号：CN1329959C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN02143435.2
申请日：2002-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B3/12
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/12 , Y10S134/902
Abstract: 提供一种用于去掉晶片上的污染物颗粒的强声波清洗设备。强声波清洗设备包括压电变换器和能量传输棒。压电变换器用于产生强声波能量。沿着晶片径向安装在晶片上的能量传输棒用于给晶片上的清洗液分配能量和用于振动清洗液。能量传输棒的形状和尺寸使得通过清洗液在晶片径向均匀分配能量，由此从晶片去掉污染物颗粒。
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