公开(公告)号：CN110310986A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910231444.9

申请日：2019-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安学润 ,  李相炫 ,  康诚右 ,  申洪湜 ,  吴省翰 ,  吴怜默 ,  李仁根

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088

Abstract: 一种集成电路器件可以包括：衬底，包括沿第一方向延伸的鳍型有源区；栅极结构，交叉鳍型有源区并沿交叉第一方向的第二方向延伸；源极/漏极区，在栅极结构的彼此相反侧处的鳍型有源区上；第一接触结构，电连接到源极/漏极区中的一个；成对的第一接触块结构，分别在第一接触结构的在第二方向上的彼此相反的第一侧壁上。

公开(公告)号：CN110085586A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201910067000.6

申请日：2019-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申洪湜 ,  李相贤 ,  安学润 ,  吴省翰 ,  吴怜默

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：在半导体基板上的金属图案；覆盖金属图案的蚀刻停止层，该蚀刻停止层包括顺序堆叠的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；在蚀刻停止层上的层间电介质层；和穿透层间电介质层和蚀刻停止层的接触插塞，该接触插塞连接到金属图案，其中第一绝缘层包括包含金属性元素和氮的第一绝缘材料，其中第二绝缘层包括含碳的第二绝缘材料，以及其中第三绝缘层包括不含金属性元素和碳的第三绝缘材料。

公开(公告)号：CN110880503B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201910634952.1

申请日：2019-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申洪湜 ,  朴兴植 ,  李道行 ,  李仁根 ,  蔡承澔 ,  崔夏荣

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092

公开(公告)号：CN110310986B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201910231444.9

申请日：2019-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安学润 ,  李相炫 ,  康诚右 ,  申洪湜 ,  吴省翰 ,  吴怜默 ,  李仁根

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088

Abstract: 一种集成电路器件可以包括：衬底，包括沿第一方向延伸的鳍型有源区；栅极结构，交叉鳍型有源区并沿交叉第一方向的第二方向延伸；源极/漏极区，在栅极结构的彼此相反侧处的鳍型有源区上；第一接触结构，电连接到源极/漏极区中的一个；成对的第一接触块结构，分别在第一接触结构的在第二方向上的彼此相反的第一侧壁上。

公开(公告)号：CN116469922A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310091806.5

申请日：2023-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申洪湜 ,  徐政延 ,  康诚右 ,  金东权

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L27/088 ,  H01L23/538

Abstract: 可以提供半导体器件，其包括：有源图案，在基板上并在第一方向上延伸；在有源图案上的栅极结构，包括在不同于第一方向的第二方向上延伸的栅电极；在栅极结构的至少一侧的源极/漏极图案；以及在源极/漏极图案上并且连接到源极/漏极图案的源极/漏极接触，其中相对于有源图案的上表面，栅电极的上表面的高度与源极/漏极接触的上表面的高度相同，并且源极/漏极接触包括下源极/漏极接触和在下源极/漏极接触上的上源极/漏极接触。

公开(公告)号：CN114388500A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202110972491.6

申请日：2021-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李元赫 ,  朴钟撤 ,  朴商德 ,  申洪湜 ,  李道行

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，在有源图案上且彼此分隔开；第一源极/漏极接触件，在第一源极/漏极图案上且包括第一源极/漏极阻挡膜和在第一源极/漏极阻挡膜上的第一源极/漏极填充膜；第二源极/漏极接触件，在第二源极/漏极图案上；以及栅极结构，在第一源极/漏极接触件与第二源极/漏极接触件之间在有源图案上且包括栅电极，其中，第一源极/漏极接触件的顶表面比栅极结构的顶表面低，并且从有源图案的顶表面到第一源极/漏极阻挡膜的顶表面的高度比从有源图案的顶表面到第一源极/漏极填充膜的顶表面的高度小。

公开(公告)号：CN110021526A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201811416581.1

申请日：2018-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相炫 ,  李全一 ,  康诚右 ,  申洪湜 ,  吴怜默 ,  李升玟

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种刻蚀方法和一种制造半导体器件的方法。所述刻蚀方法包括：将第一处理气体的等离子体提供到刻蚀对象，以在所述刻蚀对象上形成沉积层，所述第一处理气体包括碳氟化合物气体和惰性气体，并且所述刻蚀对象包括包含氧化硅的第一区和包含氮化硅的第二区；将惰性气体的等离子体提供到在所述刻蚀对象上具有所述沉积层的所述刻蚀对象，以活化所述氧化硅的刻蚀反应，其中，将负直流电压施加到与所述刻蚀对象分隔开以面对所述刻蚀对象的刻蚀表面的相对部，所述相对部包括硅；以及随后，提供第二处理气体的等离子体，以去除刻蚀反应产物，所述第二处理气体包括惰性气体和含氧气体。

公开(公告)号：CN108364937A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810077733.3

申请日：2018-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申洪湜 ,  金度亨 ,  李斗荣 ,  罗炫旭 ,  李书范 ,  李元赫

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了包括满足电阻器件的期望目标电阻值的电阻结构且具有增强的特性的半导体器件。一种半导体器件包括：下层间绝缘层，设置在包括电阻区域的基板上；电阻结构，包括顺序地堆叠在电阻区域的下层间绝缘层上的电阻层和蚀刻停止图案；上层间绝缘层，配置为覆盖电阻结构并设置在下层间绝缘层上；电阻接触结构，配置为穿过上层间绝缘层和蚀刻停止图案并接触电阻层；以及电阻接触间隔物，设置在上层间绝缘层和蚀刻停止图案与电阻接触结构之间。

公开(公告)号：CN108364937B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN201810077733.3

申请日：2018-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申洪湜 ,  金度亨 ,  李斗荣 ,  罗炫旭 ,  李书范 ,  李元赫

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了包括满足电阻器件的期望目标电阻值的电阻结构且具有增强的特性的半导体器件。一种半导体器件包括：下层间绝缘层，设置在包括电阻区域的基板上；电阻结构，包括顺序地堆叠在电阻区域的下层间绝缘层上的电阻层和蚀刻停止图案；上层间绝缘层，配置为覆盖电阻结构并设置在下层间绝缘层上；电阻接触结构，配置为穿过上层间绝缘层和蚀刻停止图案并接触电阻层；以及电阻接触间隔物，设置在上层间绝缘层和蚀刻停止图案与电阻接触结构之间。

公开(公告)号：CN114639735A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202111400333.X

申请日：2021-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申洪湜 ,  金东权 ,  李珍旭 ,  朴钟撤 ,  李元赫

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 一种半导体器件包括：栅极图案，在基板上并且包括顺序堆叠的栅极电介质层、栅电极和栅极盖图案；在栅极图案的侧壁上的栅极间隔物；在基板中的源极/漏极图案；在源极/漏极图案上的接触焊盘；在接触焊盘上的源极/漏极接触；以及在栅极间隔物和源极/漏极接触之间的掩埋电介质图案，其中栅极间隔物包括：在栅电极和接触焊盘之间的第一段；从第一段延伸并在栅电极和源极/漏极接触之间的第二段；以及在第二段上的第三段，掩埋电介质图案在第三段和源极/漏极接触之间，不存在于第一段和接触焊盘之间并且不存在于第二段和源极/漏极接触之间。