公开(公告)号：CN115996566A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211076642.0

申请日：2022-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金硕炫 ,  金冈昱 ,  金永信 ,  金真雅 ,  申东花

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括有源单元区域、边界区域和在其间的虚设单元区域；位线，设置在有源单元区域上，在第一方向上延伸，并在第二方向上彼此间隔开，位线包括在第二方向上交替布置的第一位线和第二位线；位线垫，在边界区域上在第二方向上彼此间隔开，第二位线在第一方向上延伸到虚设单元区域和边界区域，并分别连接到位线垫；以及绝缘分离图案，在边界区域上并且在位线垫之间。绝缘分离图案的一部分延伸到在边界区域上在第二位线之间的区域中，并与对应的第一位线的端部接触。

公开(公告)号：CN114156268A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202110571210.6

申请日：2021-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林东均 ,  金永信 ,  朴基振 ,  宋昊柱 ,  杨同官 ,  尹详皓 ,  李奎贤 ,  李知垠 ,  韩昇煜 ,  洪润基

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/423 ,  H01L21/027 ,  H01L21/266

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：栅极结构，位于基底上；第一间隔件结构和第二间隔件结构，分别位于栅极结构的彼此相对的第一侧壁和第二侧壁上；以及第一源极/漏极层和第二源极/漏极层，分别位于基底的与栅极结构的第一侧壁相邻的上部和基底的与栅极结构的第二侧壁相邻的上部处。栅极结构的上表面具有参照作为基准面的基底的上表面从栅极结构的中心部分到栅极结构的第一侧壁减小并且从栅极结构的中心部分到栅极结构的第二侧壁基本恒定的高度。

公开(公告)号：CN116528584A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310081373.5

申请日：2023-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵成根 ,  朴载星 ,  金永锡 ,  金永信 ,  文大荣 ,  李锦珠 ,  郑盛旭 ,  洪成德 ,  黄水奂

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48

Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，包括单元区域和由单元区域的外围部限定的外围区域，单元区域包括虚设单元区域和正常单元区域以及由单元元件隔离膜限定的有源区域。所述装置还包括在基底中限定单元区域的单元区域分离膜，虚设单元区域在正常单元区域与单元区域分离膜之间与单元区域分离膜限定边界。所述装置还包括：正常位线，位于正常单元区域上并且在第一方向上延伸；虚设位线组，位于虚设单元区域上，虚设位线组包括在第一方向上延伸的多条虚设位线；以及多个存储接触件，连接到有源区域并且沿着与第一方向垂直的第二方向定位。

公开(公告)号：CN116896866A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202211664705.4

申请日：2022-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙智慧 ,  金浩中 ,  金永信 ,  金孝锡 ,  崔捧植 ,  具太雄 ,  徐泰河

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括单元区域的具有第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域的第一有源图案；器件隔离层，在单元区域上位于限定第一有源图案的沟槽中；缓冲层，位于单元区域上；线结构，在第三方向上延伸，从单元区域延伸到边界区域，并且包括穿过缓冲层并接触第一源极/漏极区域的第一导电图案、位于第一导电图案上的位线以及位于位线与第一导电图案之间的第一阻挡图案；一对间隔件，分别位于线结构的两个侧壁上；接触件，位于第二源极/漏极区域上；接垫，位于接触件上；第一磨料颗粒，位于接触件与接垫之间；以及数据存储元件，位于接垫上。

公开(公告)号：CN114975355A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210143718.0

申请日：2022-02-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金硕炫 ,  金永信 ,  朴桐湜 ,  李钟旼 ,  崔准容

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L23/538

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括单元区域；单元区域隔离膜，在所述衬底中并且沿所述单元区域的外边缘延伸；位线结构，在所述衬底上并且在所述单元区域中，其中所述位线结构具有设置在所述单元区域隔离膜上的远端；单元间隔物，在所述位线结构的所述远端的竖直侧表面上；蚀刻停止膜，沿所述单元间隔物的侧表面和所述单元区域隔离膜的顶面延伸；以及层间绝缘膜，在所述蚀刻停止膜上，并且在所述单元间隔物的所述侧表面上，其中所述层间绝缘膜包括氮化硅。