公开(公告)号：CN119521656A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202410729145.9

申请日：2024-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周昊 ,  李侑烈 ,  金承贤 ,  卞诚载 ,  洪成德

IPC: H10B12/00 ,  H10D62/17

Abstract: 提供了半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：位线，其在衬底上；突出绝缘图案，其在位线上并在沟道沟槽中；第一沟道图案和第二沟道图案，其沿着沟道沟槽的侧壁延伸，并且在第一方向上彼此间隔开；沟道界面层，其沿着沟道沟槽的侧壁延伸，并且与第一沟道图案和第二沟道图案接触；第一字线，其在第一沟道图案和第二沟道图案之间；第二字线，其在第一沟道图案和第二沟道图案之间，并且在第一方向上与第一字线间隔开；以及第一电容器和第二电容器，其分别电连接到第一沟道图案和第二沟道图案。

公开(公告)号：CN116528584A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310081373.5

申请日：2023-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵成根 ,  朴载星 ,  金永锡 ,  金永信 ,  文大荣 ,  李锦珠 ,  郑盛旭 ,  洪成德 ,  黄水奂

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48

Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，包括单元区域和由单元区域的外围部限定的外围区域，单元区域包括虚设单元区域和正常单元区域以及由单元元件隔离膜限定的有源区域。所述装置还包括在基底中限定单元区域的单元区域分离膜，虚设单元区域在正常单元区域与单元区域分离膜之间与单元区域分离膜限定边界。所述装置还包括：正常位线，位于正常单元区域上并且在第一方向上延伸；虚设位线组，位于虚设单元区域上，虚设位线组包括在第一方向上延伸的多条虚设位线；以及多个存储接触件，连接到有源区域并且沿着与第一方向垂直的第二方向定位。

公开(公告)号：CN115688503A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210910287.6

申请日：2022-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金承贤 ,  全柱炫 ,  朴载星 ,  金性珍 ,  洪成德

IPC: G06F30/23 ,  G06T17/20 ,  G06F119/08

Abstract: 提供了一种模拟系统。该模拟系统包括处理器，以及存储模拟程序的存储装置，该模拟程序在由处理器执行时使处理器使用有限差分法(FDM)来计算由提供给模拟域的光能产生的热能数据，基于计算的热能数据使用有限元法(FEM)计算模拟域随时间的温度改变数据和计算模拟域随时间的相改变数据，并使用计算的温度改变数据和计算的相改变数据来计算模拟域的硅损失。